Магнитострикция насыщения

Магнитострикция насыщения гексагональных кристаллов описывается выражен,leM [c.615]

Для поликристаллического материала продольная магнитострикция насыщения может быть получена по формуле [c.615]

Поперечная магнитострикция насыщения (т. е. магнитострикция, измеряемая в направлении, перпендикулярном J) выражается формулой [c.615]

Для гексагональных кристаллов редкоземельных металлов (см. рис. 27.32—27,34) применяют отличные от приведенного выше выражения для магнитострикции насыщения [c.615]

Рис. 27.50. Магнитострикция насыщения вдоль кристаллографических осей [100] и [111] для сплавов Fe—Со при Г = 20 С

Намагниченность насыщения, температура точки Кюри, константы магнитной кристаллографической анизотропии, магнитострикция насыщения — все это относится к основным магнитным свойствам, связанным со строением вещества. Эти свойства зависят только от основного химического состава и не зависят от структуры вещества. Поэтому их называют структурно-нечувствительными. Магнитная проницаемость, коэрцитивная сила, остаточная намагниченность, весь ход кривой намагничивания и вид петли гистерезиса зависят от структуры вещества. Эти свойства называют структурно-чувствительными. [c.12]

Хорошо известно, что важным фактором, влияющим на процесс намагничивания ферромагнетиков, является эффект магнитострик-ции. Она возникает вследствие магнитоупругого эффекта, который появляется из-за наличия самопроизвольной деформации в ферромагнетике. Явление магнитострикции приводит к тому, что для намагничивания необходима некоторая избыточная энергии. Это, в свою очередь, затрудняет процесс намагничивания [63]. Одноосная однородная самопроизвольная деформация приводит к возникновению напряжений, отличающихся вдоль и перпендикулярно оси ленты. Магнитострикция насыщения Xs вдоль направления спонтанной намагниченности Ms в условиях действия напряжений а определяет величину магнитоупругой энергии [c.138]

Если теперь обратиться к рис. 5.19, то видно, что когда магнитное поле становится большим и достигается магнитное насыщение, кривые . и изменяются параллельно друг другу. Насыщение Я происходит вместе с насыщением намагниченности. Такая величина магнитострикции называется магнитострикцией насыщения— %s. Как видно из рис. 5.19, в аморфной ленте, использованной в этом эксперименте, несмотря на то, что дилатация в направлениях длины, ширины и толщины ленты различается по величине и знаку, магнитное поле, необходимое для насыщения Я, во всех случаях практически одинаковой [c.140]

Рйс. 5.20. Зависимость магнитострикции насыщения аморфных сплавов Fe—Со от концентрации железа и кобальта [55, 56] [c.141]

Пусть в магнитном материале имеются внутренние напряжения а,-, причем где = 6///— магнитострикция насыщения, б/— относительное изменение длины образца в магнитном поле при насыщении. Предположим, что направления приложенного внешнего напряжения а и магнитного поля Н составляют угол ф с направлением внутренних напряжений ст,- распределение внутренних напряжений предполагается однородным в пределах каждого домена. [c.59]

Линейная магнитострикция. Относительное изменение длины Хар = (Л///) р в направлениях Pi, Ра, Рз при изотермическом намагничивании ферромагнитного кристалла до насыщения в направлениях ai, аа, аз называют магнитострикцией насыщения при условии, что в начальном состоянии намагниченность кристалла была ориентирована по направлению легкого намагничивания (идеально размагниченное состояние). Для кубических кристаллов Хар лается выражением [c.535]

Для поли кристаллического материала с произвольно ориентированными кристаллическими осями продольная магнитострикция насыщения (измеренная параллельно направлению намагничения, т. е. =Pj) может быть получена из уравнения (28.8) [c.535]

Поперечная магнитострикция насыщения выражается формулой [c.535]

Рис. 28.57. Зависимость константы магнитострикции насыщения Gd от температуры [13]

Магнитострикция насыщения ферромагнитных сплавов на основе марганца при температуре 20°С [15] [c.545]

Наибольшей магнитострикцией насыщения, равной приблизительно [c.116]

Прежде всего магнитострикция зависит от напряженности поля. Эта зависимость, вообще говоря, различна для разных материалов, но у большинства их абсолютная величина магнитострикции возрастает с увеличением напряженности поля, приближаясь к некоторому максимальному пределу. Этот предел носит название магнитострикции насыщения и обычно обозначается [c.95]

Фиг. 6. Магнитострикция насыщения никеля при растяжении-сжатии [2].

Магнитострикционный привод подач осуществляет непрерывное движение, как результат суммирования во времени отдельных импульсов конечной величины. Так как к прецизионным подачам предъявляются жесткие требования в отношении плавности перемещения, то необходимо ограничивать величину отдельных импульсов значениями не более 1—2 мк. В этих условиях выбор марки сплава для рабочего стержня определяется не величиной магнитострикции насыщения, а его другими качествами и, в частности, его стоимостью. [c.97]

Фиг. 13. Магнитострикция насыщения железоалюминиевых сплавов (ЦНИИЧермет).

Магнитомягкие сплавы на основе железа и кобальта с высокой магнитной индукцией насыщения до 2,4 Тл обладают температурой Кюри до 1050 °С и магнитострикцией насыщения до 1Т0 . Они применяются для изготовления электромагнитов, соленоидов, силовых трансформаторов, магнитных усилителей, ультразвуковых генераторов и статоров электрических машин, телефонных мембран, магнитострикционных элементов, магнитоупругих датчиков, магнитопроводов в электровакуумных приборах. Причем рабочие температуры могут быть как высокие (до 1000 °С), так и низкие. Данные [c.591]

Магнито-зажатый феррит 121 Магнито-свободный феррит 121 Магнитострикция насыщения 116 Материалы для волноводов 283 [c.682]

Тл в условиях синусоидального ее изменения. Для сплавов прецизионных магнитно-мягких начальная магнитная проницаемость, максимальная магнитная проницаемость, коэрцитивная сила, А/м, индукция технического насыщения, Тл, магнитострикция насыщения магнитная проницаемость в заданном поле Я. Для магнитно-твердых сплавов коэрцитивная сила по индукции кА/м остаточная индукция В , Тл, магнитная энергия В Тл кА/м напряженность поля при максимальной проницаемости кА/м индукция намагничивания в поле максимальной проницаемости Тл коэрцитивная сила при намагничивании в поле максимальной проницаемости кА/м остаточная индукция при намагничивании в поле максимальной проницаемости Тл удельные потери на гистерезис при намагничивании в поле максимальной проницаемости кДж/м коэффициент прямоугольности (В/В) . Для сплавов прецизионных сверхпроводящих указывается температура перехода в сверхпроводящее состояние. Для сплавов прецизионных с высоким электрическим сопротивлением дополнительно приводятся следующие характеристики колебание электрического сопротивления по длине тпУ - ср> [c.18]

Константа анизотропии - 8 10 Дж/м . Магнитострикция насыщения - 25 10 . [c.561]

Магнитострикция насыщения, т. е. магнитострикция, Еозншсающая при намагничивании кристалла до насыщения, для кубических кристаллов определяется формулой [c.614]

Магнитострнкционные материалы. Основными характеристиками магнитострикционных материалов (см. табл. 27.32), применяющихся для изготовления магнитострикционных преобразователен, являются коэффициент магнитомеханической связи К, квадрат которого равен отношению преобразованной энергии (механической или магнитной) к подводимой (соответственно магнитной или механической), динамическая маг-гщтострикционная постоянная a=(da/dS)s и маг-ьитострикционная постоянная чувствительности Л= ((ЗВ/а)где а — механическое напряжение, Я/м , В — магнитная индукция, Тл, а индексы и Я означают неизменность деформации и магнитного поля. Величина а существенна для работы излучателей, а Л — для работы приемников. Плотность р и модуль Юнга Е определяют резонансную частоту преобразователей от механической прочности, магнитострикции насыщения X и индукции насыщения Вь зависит предельная интенсивность магнитострикционных излучателей механическая добротность Q, удельное электрическое сопротивление р.-,л и коэрцитивная сила Не определяют потери энергии на вихревые токи и гистерезис при работе преобразователя. Значения К, а, Л существенно зависят от напряженности подмагничивающего поля, значение которого Яопт, отвечающее максимуму К, обычно называют оптимальным. [c.615]

ТОТЫ и др., тем больше, чем выше темп-ра Кюри Т .. Для магнитострикц. излучателей звука большое значение имеют величина магнитострикции насыщения к-рая определяет их предельную мощность в условиях значит, нагрузки, и динамич. усталостная прочность Одр, ограничивающая предельную амплитуду колебаний слабо нагруженных преобразователей. Величина а также крутизна статич. кривой зависимости магнитострикции от Л1агн. поля являются определяющими параметрами М. м. при их использовании в оптико-механич. системах, создающих управляемые стагич. или НЧ-перемещения. [c.8]

С М. непосредственно связан Д -эффект — зависимость модуля упругости Е изотропных (поликристал-лич. или аморфных) ферро-, ферри- и антиферромагнетиков от величины магн. поля. В отсутствие внеш. магн. поля, когда векторы Мд доменов свободны , механич. напряжение, наложенное на образец, вызывает обычно упругое удлинение Ед и удлинение 8 ,1 магнито-стрикционной природы, т. е. — о/(Ед 4- ё ), где — модуль упругости упорядоченного магнетика в размагниченном состоянии. Наложение сильного магн. поля, закрепляя все векторы Мд и вызывая магнитострикцию насыщения Яд, сводит к нулю е 1 т. е. модуль д магнетика, намагниченного до технического насыщения, равен — модулю при отсутствии М. Макс. Д -эф-фект кЕ Е , = ( "д — Е )1Ед. Расчёты показывают, что АЕ Е = ЛЯ /с д/Л/ , где -/о — нач. восприимчивость данного процесса намагничивания, А я 1 (численная константа), Т, о., макс. Дй -эффект велик в материалах с большой магнитострикцией, малой магнито-кристаллич. анизотропией, малыми внутр. напряжениями, Напр., у отожжённого N1 .Е/Ец 19—22%. У соединений с большой Яд (ТЬо аОуо.тЕва и иГе ) обнаружен Д.Б-эффект, достигающий 160%, [c.131]

Таким образом, станов ится ясно, что величина магнитострикции насыщения зависит от химического состава сплава, лоэтому далее необходимо рассмотреть, как в таком случае изменяются доменная структура и параметры процесса намагничивания. [c.141]

В электротехнических сталях увеличение содержания кремния снижает как константу магнитокристаллической анизотропии (от 45 кДж/м при 1 % Si до 28 кДж/м при 4,5 % Si), так и магнитострикцию насыщения что облегчает перемагничивание материала и уменьшает потери на гистерезис. Кроме того, введение кремния резко повышает удельное электрическое сопротивление [c.539]

Тл, что используют на практике (табл. 8.10). Наибольшее распространение получили сплавы Fe—Со примерно эквиатомного состава (пер-мендюры). Для них характерна весьма высокая магнитострикция насыщения (60...100)- 10 , поэтому их используют также как магнито-стрикционные материалы (табл. 8.11). Одновременно пермендюры имеют относительно невысокую константу магнитокристаллической анизотропии К , что обусловливает невысокое значение наблюдаемой у этих материалов коэрцитивной силы (30... 160 А/м), достаточно высокую максимальную проницаемость (5500) и малые потери на перемагничивание при высоких индукциях (Р, g/400 = 25 Вт/кг для ленты толщиной 50 мкм). Из-за высокой магнитострикции процессы перемагничивания во многом определяются энергией магнитоупругой анизотропии, пропорциональной произведению и внутренних напряжений Для релаксации этих напряжений необходимо использовать длительный отжиг с последующим медленным охлаждением. Но в результате такого отжига в сплавах типа пермендюр происходит химическое упорядочение — при температурах ниже 730 °С возникает сверхструктура РеСо эквиатомного состава. Как следствие, сплав приобретает повышенную хрупкость, препятствующую выпуску пермендюра в виде тонкой ленты. Для повышения пластичности сплав легируют ванадием (1,5...2 %), что приводит к [c.550]

В сплаве Finemet магнитострикция насыщения составляет всего 2,1 10 , что необычно для сплава на основе железа. Такая низкая магнитострикция достигается вследствие баланса магнитострикций кристаллической и аморфной фаз. У кристаллической фазы a-Fe(Si) при [c.560]

П римечание. — коэрцитивная сила в э (lo — начальная магнитная проницаембсть в гс/а 7 — магнитострикция насыщения — намагниченность насыщения в гс (ii — чувствительность. [c.358]

Оценим предел снимаемой интенсивности, зависящий от свойств самого излучателя. Как известно, на низких (килогерцевых) частотах наибольшее распространение в настоящее время получили излучатели из магнитострикционных материалов. Магнитострикция насыщения для материалов этой группы имеет порядок 10" (в частности, для такого распространенного [c.151]

Никель обладает большим абсолютным значением коэффициента магнитострикции насыщения = А/// = —35-10" , (/ — длина пластины до воздействия поля. Л/ — изменение длины в результате воздействия поля знак минус означает уменьшение длины). Обычно применяют никель марки Н (ГОСТ 849—56), толщиной 0,1 мм в виде жесткой неотожженной ленты. После вырубки пластины оксидируют нагреванием на воздухе до 800° С в течение 15—25 мин. Образованная таким образом оксидная пленка служит для электрической изоляции пластин при сборке пакета. Никель обладает высокими антикоррозион- [c.328]

Удельные потери определяют на кольцевых образцах, изготовленных в соответствии с ГОСТ 12119—80. Магнитострикцию насыщения определяют на ленточных образцах размером 100Х10 мм. [c.82]

Изменение намагниченности ферромагнитного кристалла сопровождается обычно анизотропным эффектом изменения его размеров или так называемым магнито-стрикционным эффектом. Количественной характеристикой этого эффекта служат константы магнитострикции Хц, зависящие от направления в кристалле. Константа магнитострикции насыщения равна относительному изменению линейного размера кристалла при изменении его намагниченностн от нуля до насыщения в данном направлении. [c.24]

Для упрощения выражения для магнитоупругой энергии предполагают, что в поликристаллическом ферромагнетике магнитострикция изотропна, т. е. вводят среднюю магнитострикцию насыщения К такую, что если к кристаллу приложено напряжение 2, то магни-тострикционная энергия пропорциональна значению ЯвЕ. Приложение продольного напряжения 2 приводит к возникновению соответствующего преимущественного 24 [c.24]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...