Рассеяние энергии колебаний в металле

РАССЕЯНИЕ ЭНЕРГИИ КОЛЕБАНИЙ В МЕТАЛЛЕ [c.9]

Логарифмический декремент служит характеристикой рассеяния энергии колебаний, которое происходит в следующих элементах лопаточного аппарата 1) в металле [c.9]

В последние годы калориметрический метод определения энергии, рассеиваемой в металле в процессе повторно-переменного нагружения, развивался с использованием установок, позволяющих проводить нагружение образцов при частотах до 20 кГц, что обеспечивало выделение большого количества тепла в металле за единицу времени, а следовательно, и повышение точности определения величины необратимо рассеянной энергии. Схема установки, использованной для этой цели в работе [52], приведена на рис. О. В образце / создавался симметричный цикл растяжения— сжатия возбуждением продольных колебаний системы, куда кроме образца входят концентратор 2 и магнитострикционный вибратор [c.92]

Физические факторы, которые влияют на подвижность носителей, в полупроводниках те же самые, что и в металлах, т. е. рассеяние электронов на колебаниях кристаллической решетки и на атомах примеси. Однако зависимость подвижности носителей от температуры в полупроводниках совершенно другая, чем в металлах. Это обусловлено зависимостью распределения носителей заряда в полупроводниках от температуры уже при их небольших энергиях, в то время как в металлах распределение энергии электронов от температуры из-за большей их средней энергии начинает зависеть от температуры лишь при высоких энергиях. В полупроводниках подвижность носителей из-за рассеяния на колебаниях кристаллической решетки с ростом температуры убывает как а их подвижность из-за рассеяния на атомах примесей увеличивается пропорционально В результате этого полная электропроводимость в зависимости от температуры имеет минимум при некоторой температуре. Детали этой зависимости довольно сложны и здесь не приводятся. [c.355]

Остаточное сопротивление металлов. При не очень низких температурах электрическое сопротивление металлов обусловливается главным образом рассеянием электронов на атомах кристаллической решетки металла. В результате актов рассеяния электронов происходит в среднем передача энергии от электронов к атомам кристаллической решетки. Передача энергии обусловливает возникновение электрического сопротивления. Атомы колеблются в узлах кристаллической решетки, и полученная ими энергия преобразуется в энергию колебаний. Колебания решетки описываются как возбуждения твердого тела, называемые фононами, а вся совокупность колебаний успешно описывается понятием фононного газа. Электрическое сопротивление в этой картине является результатом элект-рон-фононного взаимодействия. [c.370]

Теперь рассмотрим, как должны вести себя электроны, объединенные в куперовские пары, при возбуждении в проводнике электрического тока. В отсутствие тока все пары вследствие полной корреляции имеют импульс, равный нулю, так как они образованы электронами, имеющими равные по величине и противоположные по направлению импульсы. Возникновение тока не нарушает корреляции пар под действием внешнего источника, вызвавшего ток, все они приобретают один и тот же импульс и движутся как единый коллектив в одном и том же направлении с некоторой дрейфовой скоростью Уд. При этом поведение таких пар в металле существенно отличается от поведения обычных электронов, совершающих направленное движение. Нормальные электроны испытывают рассеяние на тепловых колебаниях и других дефектах решетки, что приводит к хаотизации их движения и является причиной возникновения электрического сопротивления. Куперовские же пары, пока они не разорваны, рассеиваться на дефектах решетки не могут, так как выход любой из них из строго коррелированного коллектива маловероятен. Пару можно вырвать из конденсата, лишь разрушив ее. Однако при очень низких температурах число фононов, обладающих достаточной для этого энергией, исключительно мало. Поэтому подавляющее большинство образовавшихся куперовских пар сохраняется неразрушенным. Не испытывая рассеяния при своем направленном движении, они обусловливают появление сверхпроводящего тока, текущего через сверхпроводник без сопротивления. [c.200]

Структурные процессы, протекающие при циклическом нагружении в металле, находят свое отражение в так называемом внутреннем трении. В процессе колебаний в упругом теле имеет место рассеяние энергии, которое определяется по величине затухания. [c.102]

Современные импульсные ультразвуковые дефектоскопы применяются главным образом для проверки качества изделий машиностроения. Исключение составляют массивные отливки, имеющие крупнозернистую структуру. Эта структура сильно поглощает и рассеивает ультразвуковые колебания, поэтому приходится уменьшать их частоту (так как при малых частотах поглощение и рассеяние звуковой энергии уменьшается), но при этом сильно падает чувствительность дефектоскопа. В то же время сильное поглощение и рассеяние ультразвуковых колебаний крупными зернами чугуна позволяют применять ультразвуковые дефектоскопы для определения зерен графита в чугуне и судить о структуре. Для определения структуры некоторых металлов в настоящее время изготовляются ультразвуковые дефектоскопы с частотой звуковых колебаний более 15 МГц. [c.264]

При эхо-импульсном методе толщину стенки изделия можно определить по длительности прохождения ультразвукового импульса или по частоте повторения многократных отражений ультразвуковых колебаний. Импульс упругих колебаний, распространяясь в металле с определенной скоростью, многократно отражается от противоположных поверхностей и при обратном ходе отдает пьезоэлементу часть энергии. Из-за поглощения и рассеяния ультразвуковых колебаний каждый последующий импульс несет меньшую энергию. На экране дефектоскопа возникает последовательный ряд импульсов, [c.128]

Длительность возбуждаемых импульсов деформации может ограничиваться снизу не только величиной т , но и временем пробега звука по области тепловыделения, а характерный размер области нагрева решетки I определяется либо длиной поглощения света /п б 1, либо длиной теплопроводности — расстоянием, на которое прогреется кристалл за время оптического воздействия за счет переноса энергии электронами, фононами и т. д. Фононная теплопроводность всегда происходит со скоростями, не превышающими звуковую, и поэтому не приводит к уширению акустических импульсов. Движения электронов в металлах и электронно-дырочной плазмы в полупроводниках может существенно увеличить область нагрева решетки, особенно при низких температурах. При комнатных температурах диффузия носителей в значительной мере замедлена из-за сильного рассеяния на тепловых колебаниях решетки. Поэтому для термоупругой генерации сверхкоротких импульсов деформации необходимо одновременно уменьшать длительность лазерного воздействия и длину поглощения света. Наконец, нельзя забывать, что время нагрева решетки может определяться не временем оптического воздействия, а временем передачи энергии от электронов к фононам, что также препятствует укорочению длительности импульсов деформации. [c.162]

Имеющиеся в литературе данные по сравнению коэффициентов относительного рассеяния энергии в металлах при различных видах нагружения в случае напряжений, близких к пределу выносливости, полученные по методу свободных затухающих колебаний, достаточно хорошо соответствуют расчетным результатам, приведенным в табл. 14 [68, 254]. Так как степень неоднородности распределения напряжений по зернам для одного и того же материала весьма существенно зависит от режима термической обработки, старения, истории нагружения и т. п., то следует ожидать, что характеристики неупругости, определяемые экспериментально, могут иметь значительное рассеяние, что в действительности [c.149]

Трощенко В. Т. Критерии усталостной прочности металлов и сплавов, основанные на учете рассеяния энергии.— В кн. Рассеяние энергии при колебаниях упругих систем. Киев Наук, думка, 1966, с. 168— [c.334]

Для измерения толщины изделия применяют обычно эхо-импульсный метод. При этом толщину стенки изделия определяют по длительности прохождения ультразвукового импульса или по времени между повторно отраженными импульсами. Импульс упругих колебаний, распространяясь в металле с определенной скоростью, многократно отражается от противоположных поверхностей и при обратном ходе отдает пьезоэлементу часть энергии. Из-за поглощения и рассеяния ультразвуковых колебаний каждый последующий импульс несет меньшую энергию. На экране видеоконтрольного устройства возникает последовательный ряд импульсов, равноотстоящих друг от друга и убывающих по амплитуде. Интервал времени между двумя последовательными импульсами прямо пропорционален измеряемой толщине. [c.69]

Влияние температуры на рассеяние энергии при колебаниях в некоторых металлах. Проблемы прочности , 1969, № 6, с. 63—66. [c.322]

Механические ультразвуковые колебания к месту сварки передаются от инструмента через толщу материала заготовки с внешней ее стороны. Процесс организуется так, чтобы не допустить значительного проскальзывания инструмента и опоры по поверхностям заготовок. Прохождение колебаний через металл деталей сопровождается рассеянием энергии за счет внешнего трения между свариваемыми поверхностями в начальный период (плоский источник теплоты) и внутреннего трения в объеме материала, находящегося между инструментом и опорой в условиях интенсивных ультразвуковых колебаний после образования зоны схватывания (гистерезисные потери, объемный источник теплоты). Это проявляется в повышении температуры в соединении до значений (0,4...0,7)7 пл. Повышение температуры, в свою очередь, облегчает пластическую деформацию. Наложение ультразвуковых колебаний вносит определенную специфику в поведение металла и кинетику процесса сварки в [c.507]

При увеличении толщины свариваемого материала и размера сварной точки значение силы сжатия должно возрастать. Пропорционально должна увеличиваться и амплитуда колебаний. Увеличение амплитуды колебаний и сжимающей силы требует большей подводимой к ультразвуковому инструменту электрической мощности. Передача сдвиговых деформаций через толщу металла заготовки к плоскости сварки сопровождается рассеянием энергии в материале, что, в конечном счете, сказывается на амплитуде относительных смещений деталь - деталь. [c.509]

В твердых телах затухание ультразвуковых волн обусловлено главным образом рассеянием ультразвука и поглощением волны, которое сопровождается переходом энергии упругих колебаний в тепловую энергию. Как показывают теория и эксперимент, затухание ультразвуковых волн зависит от частоты колебаний f, причем с увеличением частоты возрастает и затухание [7]. На рис. 73 приведены кривые зависимости коэффициента затухания б для некоторых материалов от частоты ультразвука [52]. Из анализа кривых видно, что затухание ультразвуковых волн в пластмассах значительно сильнее, чем в металлах. Этот факт необходимо учитывать при выборе оптимального режима для ультразвукового метода контроля сварных соединений из пластмасс. [c.154]

НОВ на колебаниях решетки, благодаря которому возникает электрическое сопротивление. Эту задачу мы ранее решали квазиклассическим методом. Вторая задача — это вычисление сдвига энергии электронов, связанного с взаимодействием электрона с с нонами. Мы упоминали подобные эффекты при обсуждении поверхностей Ферми в металлах. И наконец, третья задача состоит в вычислении электрон-электронного рассеяния, связанного с обменом фононами. Это рассеяние является причиной возникновения сверхпроводимости. Основная трудность решения этих задач уже была нами преодолена, когда мы записали гамильтониан в представлении вторичного квантования, и мы рассмотрим эти задачи весьма кратко. [c.465]

Динамика системы, состоящей из двух сталкивающихся масс молота в условиях так называемого жесткого удара лишь с определенной степенью приближения, может быть охарактеризована скоростными соотношениями (15.1)-(15.4). В нормальных условиях эксплуатации между сталкивающимися массами закладывают металл и развивающиеся ударные силы вызывают в нем пластическое течение. Это уже не соударение твердых упругих тел, а упругопластический удар со своими закономерностями. Однако можно полагать, что система замкнута, так как силы, действующие на металл, уравновешены реакцией связи основания (шабота), встречных подвижных частей или рамы. Следовательно, количество движения осталось без изменения, произошло только его перераспределение между столкнувшимися массами. Однако после удара общий уровень кинетической энергии в системе уменьшается вследствие необратимых потерь, обусловленных пластической деформацией (не учитывая рассеяния энергии на колебания и т. п.). Поэтому для реального удара вводят эмпирический коэффициент восстановления (отскока), устанавливающий соотношение между проекциями скоростей на линию центров до и после удара [c.365]

П. э. объясняется тем, что ср. энергия носителей тока зависит от их энергетич. спектра, концентрации и механизмов их рассеяния и поэтому в разных проводниках различна. При переходе из одного проводника в другой эл-ны либо передают избыточную энергию атомам, либо пополняют недостаток энергии за их счёт. В первом случае вблизи контакта выделяется, а во втором поглощается теплота Пельтье. При переходе эл-нов из полупроводника в металл энергия эл-нов проводимости ПП значительно выше уровня Ферми металла, и эл-ны отдают свою избыточную энергию. При противоположном направлении тока из металла в ПП могут перейти только те эл-ны, энергия к-рых выше дна зоны проводимости ПП. Тепловое равновесие в металле при этом нарушается и восстанавливается за счёт тепловых колебаний крист, решётки. При этом поглощается теплота Пельтье. На контакте двух ПП или двух металлов также выделяется (или поглощается) теплота Пельтье вследствие того, что ср. энергия носителей заряда по обе стороны контакта различна. [c.523]

Кроме того, дефекты возникают в результате образования термических пиков. Дело в том что часть энергии нейтронов затрачивается на возбуждение упругих колебаний отдельных групп атомов. Это соответствует как бы резкому возрастанию температуры в небольшом объеме. Вслед за локальным увеличением температуры происходит быстрое рассеяние тепла (посредством теплопроводности) и металл в этом месте получает закалку, сопровождающуюся сильными остаточными искажениями решетки. [c.556]

При высоких температурах колеблющиеся атомы решетки могут рассматриваться как независимые беспорядочные центры рассеяния и поэтому вероятность рассеяния зависит от среднеквадратичной амплитуды решеточных колебаний X . Среднеквадратичная амплитуда гармонических колебаний пропорциональна Т. Таким образом, если пренебречь тепловым расширением, удельное сопротивление чистого металла в области высоких температур должно быть пропорционально Т. Действительно, для простого гармонического осциллятора с массой М на основании теоремы о равном распределении энергии по степеням свободы можно записать [c.193]

Можно ожидать, что выражение (17.1) лучше всего соответствует идеализированному одновалентному металлу, электроны проводимости которого могут рассматриваться как свободные, так что их энергия выражается простым равенством Считается, что колебания решетки такого металла удовлетворительно описываются моделью Дебая (т. е. дисперсия во внимание не принимается). Рассеяние электронов проводимости на колебаниях решетки также сильно упрош ено. Теория рассеяния развита в предположении, что статическое взаимодействие электрон—пои точно определено и поэтому обш ее рассеяние зависит только от смеш ения иона. В согласии с этим далее предполагается, что взаимодействие имеет место лишь вблизи центра иона. В остальной части атомного объема электроны проводимости рассматриваются как совершенно свободные. По существу это соответствует почти полному экранированию заряда иона другими электронами проводимости металла. [c.188]

При выводе формулы (9.28) мы учитывали лишь скорость направленного движения электронов (дрейфовую скорость). Это естественно, так как хаотическое тепловое движение носителей-заряда не мол<ет привести к их направленному перемещению в магнитном поле. Кроме того, мы молчаливо допускали, что все носители в проводнике обладают одной и той же дрейфовой скоростью. Такое допущение может быть оправдано для металлов и вырожденных полупроводников, в которых ток переносится электронами, практически обладающими одной и той же энергией (фермиев-ской), и совершенно не применимо к невырожденным полупроводникам, в которых носители, имеющие различную энергию, могут обладать и различной скоростью дрейфа из-за зависимости их подвижности от скорости теплового движения (точнее, от времени свободного пробега). Например, при рассеянии на заряженных примесях дрейфовая скорость высокоэнергетических носителей (носителей, обладающих высокими скоростями теплового движения) будет больше, чем низкоэнергетических при рассеянии же на тепловых колебаниях решетки, наоборот, дрейфовая скорость высокоэнергетических электронов будет ниже, чем низкоэнергетических. Более строгая теория, учитывающая это обстоятельство, приводит к следующему выражению для постоянной Холла [c.267]

В высокотемпературной области (Г бв), в жидких металлах, где энергия тепловых колебаний ионов Шв много меньше энергии рассеяния электронов kT, последние игнорируют движение ионов и рассеиваются упруго. Следовательно, в этом случае S( QI) представляет собой в уравнении (6.9) статический структурный фактор, определяемый в экспериментах по рентгеновской или нейтронной дифракции. Однако нельзя игнорировать эффект неупругого рассеяния электронов за счет тепловых колебаний ионов. Поэтому, в уравнении (6.9) 5( ) нужно заменить на 00 — [c.205]

Рядом исследователей делались попытки описать физическую картину проявления сил внутреннего трения. По Т. Кельвину и В. Фойхту [26] на силы внутреннего трения в твердых телах можно распространить гипотезу Ньютона для жидкости, т. е. можно полагать, что сила внутреннего трения линейно связана со скоростью деформации. Несмотря на то что эта гипотеза противоречит многочисленным опытным данным, во всяком случае для сталей при обычно применяемых частотах и напряжениях, ею часто пользуются, поскольку она создает известные удобства при решении уравнений колебаний с затуханием. В действительности природа внутреннего трения более сложна. Наиболее важными причинами, вызывающими рассеяние энергии колебаний в металле, по-видимому, являются 1) местные пластические де- [c.95]

В пакете с ленточным бандажом доля от общего рассеяния энергии колебаний, приходящаяся на металл и на заделку хвостовиков, составляет 12%,насочле-нение лопатки и ленточного бандажа — 88%. [c.39]

Поглощение — это процесс перехода энергии колебаний в тепловую, обусловленный трением колеблющихся частиц. Поглощение будет тем больше, чем больше частота колебаний. При рассеянии происходят преломление и трансформация ультразвуковых волн. Рассеяние обусловлено кристаллической структурой металлов и сплавов. При прохождении ультразвуковой волны через границь кристаллов волна частично отражается, преломляется и трансформи- [c.143]

Дополнительную информацию о поведении дислокаций под нагрузкой дают исследования внутреннего трения, так как его величина, характеризующая способность материала к рассеянию энергии колебаний с малой и большой амплитудой, может быть связана с плотностью и подвижностью дислокаций и точечных дефектов кристаллической решетки. Согласно теории Гра-нато—Люкке, дислокации в металле под действием приложенного знакопеременного напряжения совершают колебания подобно натянутой струне. Дислокации закреплены атомами примесей и узлами дислокационной сетки. [c.94]

Теоретическое исследование температурной зависимости электрического сопротивления в значительной степени аналогично исследованию температурной зависимости теплоемкости, но отличается некоторыми дополнительными осложнениями. Для проведения такого исследования необходимы сведения не только о колебаниях решетки, но и о механизме взаимодействия между электронами и ионами, или, как говорят, о рассеянии электронов. Последний вопрос в свою очередь включает некоторые детали поведения самой совокупности электронов. Введенное Планком представление о нулевой энергии колебаний решетки не повлияло на теорию теплоемкости твердых тел много позже было выяснено, что нулевые колебания решетки не вносят вклад и в электрическое сопротивление металла (Блох, Хаустон и Зоммер-фельд). В настоящее время можно с полным основанием утверждать, что механизм электрического сопротивления, обусловленного колебаниями решетки, предложенный в работах периода 1927—1932 гг., в общих чертах был правилен (хотя этого нельзя сказать относительно некоторых вопросов в теории теплопроводности и термоэлектричества). Тем не менее оставалось много вопросов, в которых численное согласие расчетов с экспериментом и детальное понимание процессов были далеко недостаточными. Таким образом, хотя расчет теплоемкости простых твердых тел не вызывает сомнения, однако относительно электрического сопротивления простого металла этого сказать нельзя. [c.187]

Те немногие исследовар.ия о влиянии форм колебаний на рассеяние энергии в металле, которые были проведены до настоящего времени, относились лишь к колебаниям при изгибе консольно зажатых стержней. Между тем, это лишь небольшая часть спектра частот колебаний, свойственная рабочим лопаткам. Повреждения лопаток происходят не только при рассмотренных формах. Поэтому большим пробелом является отсутствие сведений о влиянии других форм из всего многообразия спектра. [c.117]

ТЦО конструкционной стали 40ХА приводит к увеличению почти на 30 %, что свидетельствует об увеличении плотности, дислокаций, дроблении зерен и субзерен. Это увеличивает рассеяние энергии при распространении ультразвуковых колебаний. Дробление зерен и суб-зерен при ТЦО приводит к ускорению релаксационных процессов и снижению остаточных внутренних напряжений второго рода. Увеличение коэффициента Пуассона после ТЦО связано с упрочнением металла в области упругих напряжений. Несмотря на увеличение числа протяженных линейных Дефектов структуры (линейных дислокаций и границ зерен), металл имеет более плотное и упорядоченное состояние. Об этом свидетельствует рост скоростей продольных о и поперечных У( ультразвуковых колебаний. [c.70]

В расчетах затухания используются логарифмический декремент колебаний 0 и неоднозначная зависимость силы сопротивления от перемещения за цикл нагружения или за период колебания, представляющая собой петлю гистерезиса. Н. Н. Давиден-ков, один из основоположников теории демпфирования, считал, что для металлов площадь петли гистерезиса при колебаниях не зависит от частоты, а следовательно, не зависит от частоты и относительное рассеяние энергии гр, равное отношению работы сил сопротивления за цикл к амплитудному значению потенциальной энергии. [c.13]

По своему характеру исследованные изменения напряжения дуги могут быть отнесены к колебаниям релаксационного типа. Это обстоятельство заставляет предполагать участие в них каких-то нелинейных элементов в сочетании с кумулятивными процессами и значительными потерями энергии в течение каждого периода. Нелинейными элементами в данном случае служат явления испарения металла катода и эмиссии электронов даряду с ионизацией газа. Сопряженными с ними кумулятивными процессами могут быть локальное нагревание катода ионной бомбардировкой и формирование плазмы и граничащего с катодом объемного заряда. Что касается потерь энергии, то они должны быть связаны преимущественно с диффузионными потеря.ми зарядов в катодной области дуги и рассеянием тепла, выделяющегося на катоде. В настоящее время было бы преждевременным пытаться развить количественную теорию -колебаний дугового цикла ввиду большой неопределенности исходных данных. Тем не менее общую картину возникновения колебаний в результате нарушений равновесия между процессами дугового цикла в чисто качественном плане можно уже представить себе довольно отчетливо. [c.152]

П. д. учитывалась также прн изучении целого ряда др. вопросов, таких, как аномальный скин-эффект в металлах [10], колебания кристаллич. решеток [7], плазменные волны в изотропной и магпитоактивпой плазме [5, 6], дискретные потери энергии в кристаллах [6] и т. д. Кроме того, учет П. д. существен также нри рассмотрении рассеяния света и новедения нек-рых оптич. колебаний кристаллов вблизи точек фазового нерехода второго рода (а — переход в кварце, сегнетоэлектрич. переходы). Подробнее см. 18, 9]. [c.225]

Особенностью УЗ в высокочастотном и гиперзвуковом диапазонах является возможность применения к нему представлений и методов квантовой механики, поскольку длины волн и частоты в этих диапазонах становятся одного порядка с параметрами и частотами, характеризующими структуру вещества. Упругой волне данной частоты при этом сопоставляется квазичастица — фонон, или квант звуковой энергии. Квантово-механич. представления удобны при рассмотрении различных взаимодействий в твёрдых телах. Напр., рассеяние и поглощение звука колебаниями кристаллич. решётки можно рассматривать как взаимодействие когерентных и тепловых фононов, комбинационное рассеяние света (см. Манделъштама — Бриллюэна рассеяние) — как взаимодействие фотонов с фо-нонами, а взаимодействие с электронами проводимости в металлах и полупроводниках и со спинами и спиновыми волнами в магнитоупорядоченных кристаллах (см. Магнитоупругие волны) — соответственно как электрон-фо-нонное, спин-фононное и магнон-фононное взаимодействия. [c.12]

Величину В. т. измеряют по затуханию свободных колебаний (продольных, поперечных, крутильных, изгиб-ных), по резонансной кривой для вынужденных колебаний, по относит, рассеянию упругой энергии за один период колебаний. В. т. явл. источни-1С0М сведений о процессах, возникающих в тв. телах, в частности в чистых металлах и сплавах, подвергнутых разл. механич. и тепловым обработкам. [c.80]

Некогерентное рассеяние нейтронов. Упругое некогерентное ядерное рассеяние даёт информацию только о вероятности процесса рассеяния без передачи энергии. Квазиупругое рассеяние (с очень малыми передаваемыми энергиями 10 —10эВ) даёт сведения о самодиффузии атомов и молекул в жидкостях, диффузии протонов в металлах, колебаниях макромолекул в растворах и др. Упругое некогерентное магн. рассеяние позволяет исследовать пространств, распределение магнитно-активных эл-нов в отд. парамагн, атомах. [c.457]

В полупроводниках и диэлектриках порог Ф. э. /1СОо= д+Х, где а— ширина запрещённой зоны, % — сродство к электрону, представляет собой высоту потенц. барьера для электронов проводимости (рис. 1, б). В не сильно легированных ПП эл-нов проводимости мало, поэтому здесь, в отличие от металлов, рассеяние энергии фотоэлектронов на эл-нах проводимости роли не играет. В этих материалах фотоэлектрон теряет энергию при вз-ствии с эл-нами валентной зоны (ударная ионизация) или с тепловыми колебаниями кристаллической решётки (рождение фононов). Скорость рассеяния энергии и глубина. [c.830]

Здесь коэффициент потерь обратно пропорционален частоте. Помимо этого, и действительная часть (7.10) зависит от частоты. На низких частотах она близка к нулю, а на высо- ких частотах стремится к пределу Сь Физически это очевидно (см. рис. 7.2, б) на частотах, близких к нулю, податливость (т. е. обратная величина жесткости) последовательного соединения элементов j и Г] определяется в основном демпфером, относительное смещение на нем значительно больше, чем относительное смещение концов пружины, благодаря чему энергия рассеянная в демпфере, значительно превышает энергию Wo, накапливаемую в пружине, а коэффициент потерь согласно (7.7) на низких частотах может достигать больших значений т)((о) = (сот/)". Многие реальные тела (стекло, некоторые металлы) демонстрируют подобную зависимость ri((a) на низких частотах (явление пластического течения). На рис. 7.5 крестиками изображены экспериментальные значения коэффициента потерь серебра при изгибных колебаниях пластинок [282]. На низких частотах наблюдается увеличение г), обусловленное пластическим течением. Сплошная кривая на рис. 7.5 соответствует формулам (7.11) — [c.213]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...