Рассеяния центр

Для ответа на этот вопрос найдем в пространстве предмета плоскость, оптически сопряженную с плоскостью изображения. Она называется плоскостью установки или плоскостью наводки. Спроецируем предмет из центра входного зрачка на плоскость установки. Эта проекция и будет тем объектом, изображение которого более или менее резко передает оптическая система. Действительно, главный луч, исходящий из любой точки предмета, проходит также через ее проекцию на плоскость установки. Он является центром пучка лучей, исходящих из этой точки. Если точка предмета лежит в плоскости установки, т. е. совпадает со своей проекцией, то ее изображение получится резким. Если же она не лежит в плоскости установки, то ее изображение получится в виде кружка рассеяния, центр которого является изображением проекции этой точки на плоскость установки. Чем больше апертурная диафрагма, тем шире пучки, исходящие из точек предмета, а следовательно, тем больше размеры соответствующих кружков рассеяния. Если бы пучки совсем не были ограничены диафрагмами или краями линз, то кружки рассеяния занимали бы всю плоскость изображения и изображение не могло бы вообще быть получено. Отсюда ясно, насколько [c.94]

В случае антициклона ветер около поверхности земли будет пересекать изобары по направлению от центра высокого давления. Если дивергенция в приземном слое превысит конвергенцию в верхних слоях, тогда воздух в нижних слоях будет стремиться расшириться и осесть и, таким образом, начнется рассеяние центра антициклона. [c.19]

Для определения величины соответствующих площадей (ограниченных верхним и нижним пределом допуска), расположенных по обе стороны центра рассеяния, используем приведенную функцию Лапласа при аргументе г = — [c.70]

Величина смещения центра поля рассеяния от середины поля допуска по абсциссе равна [c.71]

Как отмечалось выше, вероятность получения брака (в %) определяется 1) для случая смещения центра поля рассеяния от середины поля допуска (по абсциссе) и 2) для случая совмещения центра поля рассеяния с серединой поля допуска (по абсциссе). [c.74]

Величина смещения центра поля рассеяния [по формуле (19)] равна [c.74]

Среднее значение или центр рассеяния определяют по формуле [c.68]

В основе современного понимания проводимости металлов лежит идея Блоха [4, 5], что свободные электроны проходят через металл как плоские волны, модулированные некоторой функцией с периодом, равным периоду решетки. Это позволяет преодолеть противоречия простой теории электронного газа, согласно которой атомы решетки сами должны являться главными центрами рассеяния электронов проводимости В результате длина свободного пробега может достигать нескольких миллиметров, что и наблюдается при низких температурах в особо чистых металлах. Сопротивление металлов, согласно теории Блоха, обусловлено только неидеальностью решетки. Наличие примесных атомов, точечных дефектов и границ зерен приводит к дополнительному рассеянию и, следовательно, к увели- [c.189]

При высоких температурах колеблющиеся атомы решетки могут рассматриваться как независимые беспорядочные центры рассеяния и поэтому вероятность рассеяния зависит от среднеквадратичной амплитуды решеточных колебаний X . Среднеквадратичная амплитуда гармонических колебаний пропорциональна Т. Таким образом, если пренебречь тепловым расширением, удельное сопротивление чистого металла в области высоких температур должно быть пропорционально Т. Действительно, для простого гармонического осциллятора с массой М на основании теоремы о равном распределении энергии по степеням свободы можно записать [c.193]

Это заключение справедливо также для электронов в металле или полупроводнике, для нейтронов в графитовых замедлителях и вообще для всех объектов, в которых главную роль играют столкновения частиц не друг с другом, а с какими-то неподвижными или почти неподвижными центрами рассеяния. [c.198]

Дисперсия D (X) и среднее квадратическое отклонение а определяют рассеяние значений случайной величины относительно центра группирования. Параметр а влияет на форму кривой распределения (рис. 4.4). [c.91]

Рассеяние значений случайных величин в выборке относительно эмпирического центра группирования характеризуется эмпирическим средним квадратическим отклонением [c.93]

До сего времени речь шла о рассеянии света в мутных средах. Однако его можно наблюдать также в газах и жидкостях даже при отсутствии каких-либо загрязнений. Это молекулярное рассеяние, появляющееся в тех случаях, когда в силу тех или иных причин в среде, где распространяется свет, имеется оптическая неоднородность. Наиболее характерный пример молекулярного рассеяния — возникновение голубого цвета неба в результате рассеяния солнечного света. Вопрос о центрах такого рассеяния длительное время дискутировался видными физиками. [c.353]

Рис. 15.12. Кривые радиального распределения заряда внутри протона (а) и нейтрона (б), считая от центра частицы. Ординаты пропорциональны заряду тонкой сферической оболочки радиусом г. Площадь под всей кривой распределения для протона равна эа ряду протона. Площадь, соответствующая всей кривой распределения для нейтрона, равна нулю. Данные получены в опытах по рассеянию электронов высоких энергий.

Исследуя рассеяние а-частиц, испускаемых (Th ) и обладающих начальной энергией 8,8 Мэе, на ядрах урана, Резерфорд в 1927 г, установил, что рассеяние а-частиц происходило так же, как и от кулоновского силового центра, и что а-частицы не вступают в область действия ядерных сил. Это означает, что ядро урана окру- [c.228]

Кристалл одного вещества заменить кристаллом другого. Явлению этому можно дать полное количественное истолкование, если допустить, что рентгеновские лучи суть волны, испытывающие дифракцию на пространственной решетке, каковой является кристалл. Действительно, кристалл представляет собой совокупность атомов, расположенных в виде правильной пространственной решетки. Расстояние между атомами составляет доли нанометров (для кристалла каменной соли, например, расстояние от Ыа до С1 равно 0,2814 нм). Каждый атом решетки становится центром рассеяния рентгеновских волн, когерентных между собой, ибо они возбуждаются одной и той же приходящей волной. Интерферируя между собой, эти волны дают по известным направлениям максимумы, которые вызывают образование отдельных дифракционных пятнышек на фотографической эмульсии. По положению и относительной интенсивности этих пятнышек можно составить представление о расположении рассеивающих центров в кристаллической решетке и об их природе (атомы, атомные группы или ионы). Поэтому явление дифракции, будучи важнейшим и непосредственным доказательством волновой при- [c.408]

Для ее построения удобно воспользоваться представлением процесса рассеяния в двух различных системах координат лабораторной И системе центра инерции. Напомним основные свойства этих систем. [c.214]

В процессе рассеяния плоская волна взаимодействует с полем другой частицы V r), в результате чего, наряду с плоской волной появляется расходящаяся из центра взаимодействия сферическая волна вида [c.491]

Обычно при изучении процесса рассеяния нас интересует его начальная и заключительная стадии, т. е. поведение частиц вдали от рассеивающего центра. В этом случае (при больших г) радиальная функция ф (г) для каждого I может быть представлена в виде двух парциальных сферических волн — [c.492]

Рассмотрение задачи о поляризации при рассеянии двух частиц со спинами Si = S2=Va слишком сложно, чтобы его можно было сделать наглядным. Поэтому мы ограничимся рассмотрением более простой задачи о рассеянии частицы со спином Si = V2 на бесспиновом тяжелом центре (S2 = 0). В конце рассмотрения будут указаны особенности, которые следует учесть при решении точной задачи. [c.78]

Пр,и рассеянии на бесспиновом центре рассеяние с переворотом спина у рассеивающейся частицы невозможно из-за закона сохранения момента количества движения. [c.80]

Напомним, что проведенное рассуждение справедливо для простейшего случая рассеяния нуклона на бесспиновом центре (S2=0). В реальном случае N—Л )-рассеяния обе взаимодействующие частицы имеют спин s=4z, что в значительной степени осложняет анализ. Взаимодействие двух нуклонов может происходить как при Si + S2=0, так и при si-l-S2=l, что дает для 1-f + S значения 1+1, I и I—1. В результате даже при/ 2 надо учитывать пять фаз й(%), б( ро), 6( pi), Ь р2) и (б г). А для п—р)-рассеяния еще пять 6( Si), 6( pi). 6( i), б( йг) и б( з). [c.82]

Рассмотрим теперь рассеяние центром, находящимся в положении г.Найдем разностьхода волны,рассеянной им в направлении к, по сравнению с волной, рассеянной из точки г = О в том же направлении. Эта разность равна кг — к г = (к — ко)г. Таким образом, если начальная волна имела единичную амплитуду (Л = 1), то рассеивающий центр, находящийся в положении г, дает волну [c.8]

Вектор рассеяния Ак играет важную роль в теории рассеяния. С учетом вышеизложенного для волны, рассеянной центром рассеяния в точке ртпр, выражение (2.7) можно записать так [c.75]

Колеблющиеся электроны являются источником электромагнитных волн, так называемых рассеянных лучей, распространяющихся во все стороны. Можно считать, что эти волны исходят из центра атома. Вследствие правильного расположения атомов в кристалле рассеянные лучи взаимодействуют между собой в одинх направлениях усиливают друг друга, в других — гасят. Если по направлению потока этих лучей расположить фотопластинку, то в направлениях усиления лучей возникнут пятна или кольца. [c.36]

Из приведенного выражения (3.41) следует, что даже в этом упрощенном варианте на величину потока излучения сказывают существенное влияние все оптические свойства слоя, в том числе и вид индикатрисы рассеяния. В этой связи следует отмегить, что величина коэффициента поглощения таких материалов, как пористое стекло и кварцевая керамика, целиком определяется их химическим составом. В то же время на коэффициент рассеяния основное влияние оказывает форма, ориентация и концентрация рассеивающих центров, какими являются поры. Это важное для технологии обстоятельство позволяет регулировать ошические характеристики проницаемых матриц из полупрозрачных материалов. [c.62]

Формула (11.15) выведена в предполож нии, что распределение действительных размеров подчиняется закону Гаусса, центр группирования совпадает с серединой поля допуска, а поле рассеяния — со значением допуска. В производственных условиях случайные погрешности размеров детален могут распределяться не по закону Гаусса. Для определения допуска замыкающего размера при произвольном законе распределения в формулу (11.15) вводят коэффициент относительного рассеяния /г,- [c.260]

Поляризация рассеянного света. Пусть имеем изотропную молекулу. Направим на нее естественный свет. Свяжем с ее центром декартову систему координат так, чтобы ось х совпала с первоначальным направлением падения света. Наблюдение будем производить на плоскости ху (рис. 13,4). Разложим электрический вектор падающего естественного света на две взаимно перпендикулярные составляющие но осям Z W у. Очевидно, что при наблюдении вдоль оси у, т. е. при величине угла рассеяния гр = 90", ввиду того что электрический вектор светового поля всегда колеблется перпендикулярно направлению наблюдения (из-за понеречности световых волн), до нас (до наблюдателя, смотрящего под углом ср = 90 ") дойдет лищь световой сигнал, обусловлегщый колебанием электрического вектора только в направлении вдоль оси 2. Колебание электрического вектора вдоль оси у не может вызвать распространение света в том же направлении (вдоль оси у). [c.315]

Параметрическое рассеяние света имеет еще одну особенность — оно наблюдается лишь в кристаллах, не имеющих центра симметрии (пьезокристаллы). Это связано с тем, что трехфотонные (один падаю-щи11 и два рассеянных) взаимодействия описываются нелинейной восприимчивостью третьего порядка, а восприимчивости нечетных порядков равны нулю в центросимметричных средах. Однако в центросимметричных средах (к которым относятся и жидкости) наблюдается четырехфотонное параметрическое рассеяние , при котором два фотона накачки превращаются в пару фотонов с другими частотами и направлениями распространения [c.412]

Так как экспериментальному измерению поддаются величины п и dN dNlh = da), то формула Резерфорда применяется для оценки результатО В опытов по рассеянию частиц отталкивающими центрами. [c.162]

Гамма-излучение при неупругом рассеянии нейтронов. Составное ядро в возбужденном состоянии, образующееся при поглощении нейтрона, может избавиться от энергии возбул<-дения не только высвечиванием у-кванта (радиационный захват), но и испусканием нейтрона с последующим выходом одного или нескольких у-квантов. Этот процессе пороговый, поскольку кинетическая энергия нейтрона (в системе центра инерции) должна быть достаточной для возбуж.дения ядра по меньшей мере до первого уровня выше основного состояния. Отсюда также следует, что максимальная энергия у-кванта меньше или равна энергии нейтрона, претерпевшего неупругое рассеяние. Как только энергия нейтрона становится больше энергии нескольких уровней возбуждения, переход в основное состояние часто происходит через каскадный процесс, при этом энергия одного у-кванта не равна энергии, потерянной нейтроном. [c.30]

В заключение попытаемся качественно объяснить явление рассеяния света различными средами. Мы видели, что дифракция электромагнитной волны на неправильной плоской (двумерной ) структуре приводит к отклонению части потока энергии от его первоначального направления, т.е. к рассеянию света. Аналогичный процесс должен происходить и при дифракции на неправильной пространственной (трехмерной) структуре — дифракция света на каждой частице приведет к отклонению части пучка. Интерференция отклонившихся от первоначального направления волн (обусловливающая возникновение острых дифракционных максимумов) в данном случае не происходит. Весь эффект пропорционален когщентрации рассеивающих центров. [c.352]

Предположим, что пучок неполяризованных частиц со спином s = V2, энергией То и плотностью потока No рассеивается на бесспиновом центре (рис. 41). Выделим из числа рассеянных частиц те, которые летят в конусе (б, 0-biA0), и ограничимся азимутальными углами ф = 0 и ф = л. Назовем рассеяние под полярным углом 0 и азимутальным углом ф = 0 рассеянием налево, а под углами 0 и ф = я — рассеянием направо. [c.78]

Большая масса рассеивающего центра нужна для того, чтобы энергия частицы три первом и втором рассеяниях оставалась приблизительно неиз-.менной. [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...