Бомбардировка ионная

Сравнение реакций передачи, происходящих лри разных энергиях, показывает, что с увеличением энергии растет сложность реакций передачи, т. е. возрастают сечения реакций, в которых передаются 3—5 нуклонов (например, при бомбардировке ионами зО образуются ядра tN и еС"). Возможно, это связано с тем, что при высоких энергиях существенную роль начинают играть взаимодействия при больших орбитальных моментах I , которым соответствуют большие центробежные силы, препятствующие объединению обоих ядер в одну систему, но допускающие краевые соударения. [c.457]

Таблица 25.31. Относительные коэффициенты вторичной ионной эмиссии наиболее распространенных металлов при бомбардировке ионами Аг+, Не" " и 0+ (энергия первичных ионов 8 кэВ, за эталон принято железо при бомбардировке ионами Аг [34], элементы расположены по латинскому алфавиту)

Для удельного теплового потока, вызванного энергетической бомбардировкой ионов, справедливо выражение [c.246]

В формулу (3.24) входит коэффициент катодного распыления углеродного волокна S, от определения которого при различной энергии и массе распыляющих ионов может в несколько раз измениться значение срока службы L. Если предположить, что материал волокна соответствует природному графиту, имеем для S значения от 0,06 атом/ион при бомбардировке ионами Аг " с энергией 200 эВ до 0,7 и 1,5 атом/ион при бомбардировке ионами s с энергиями соответственно 2 и 5 кэВ [180, 181]. Как видим, выбор коэффициента S сильно влияет на определение срока службы. Возьмем для наших оценок значение S = 0,7 атом/ион, отметив, что отсутствие точных данных по распылению материалов углеродных волокон ионами остаточных газов требует специального исследования для определения S. [c.119]

В результате проведенных исследований можно заключить, что автоэмиссионные свойства углеродно-волоконных катодов определяются структурными изменениями их эмиттирующей поверхности, происходящими вследствие ионной бомбардировки ионами остаточных газов и действия пондеромоторных сил. В результате длительной работы автокатодов при давлении 10 —10 мм рт. ст. достигается [c.122]

Приведенное выше описание результатов проделанных экспериментов позволяет выделить роль двух наиболее мощных механизмов эрозии поверхности автокатодов при их формовке и последующей работе. Эти механизмы — бомбардировка ионами остаточных газов и пондеромоторные нагрузки на материал катода под действием электрического поля. Имеет смысл выделить ряд последовательных этапов эрозии поверхности полиакрилонитрильных углеродных волокон. На первом этапе (длительностью до 5—10 минут в вакууме [c.144]

Для изучения собств. Л. т. используют поверхности, получаемые сколом в высоком вакууме или жидком Не плёнки, получаемые методом молекулярной эпитаксии, а также поверхности, очищенные бомбардировкой ионами инертных газов с последующим отжигом в вакууме. Адсорбция чужеродных атомов или окисление поверхности изменяют спектр П. с. и, в ча-стности, обычно приводят к исчезновению собств. П. с. 651 [c.651]

Стекла Викор обладают отличной прозрачностью, соляризация стекла в результате воздействия ультрафиолетового излучения так же мала, как я кварцевого стекла. Под действием бомбардировки ионами, образующимися в ртутном разряде, поверхность стекла Викор чернеет. После 2000 ч прозрачность стекла в ультрафиолетовой части спектра уменьшается на 13%. Проницаемость стекла Викор для водорода при 700—975 °С такая же, как и кварцевого стекла. По химическим свойствам стекла Викор почти не отличаются от кварцевого стекла. [c.120]

Обезгаживание металлических деталей во время вакуумной обработки ламп производят следующими основными методами прокаливанием при пропускании тока через деталь нагревом токами высокой частоты электронной бомбардировкой ионной бомбардировкой. [c.400]

Магнетронное распыление. Разновидностью методов на основе тлеющего разряда является магнетронное распыление [53, 54]. Магнетронные системы ионного распыления относятся к системам распыления диодного типа, в которых атомы распыляемого материала удаляются с поверхности мишени при ее бомбардировке ионами рабочего газа (обычно Аг), образующимися в плазме аномального тлеющего разряда. Для увеличения скорости распыления необходимо увеличить интенсивность ионной бомбардировки мишени, т. е. увеличить плотность ионного тока на поверхности мишени. С этой целью используют магнитное поле В, силовые линии которого параллельны распыляемой поверхности и перпендикулярны к силовым линиям электрического поля Е. [c.116]

В технологических электродуговых плазменных устройствах ионная очистка поверхности производится бомбардировкой ионами с энергиями (1,6—2,4) 10 кДж. Исследования операции ионной очистки показывают, что наряду с распылением поверхности при этих энергиях наблюдается также форми-122 [c.122]

Рассмотренная в гл. 3 ионная имплантация в покрытия не решает всей совокупности отмеченных проблем. Глубина проникновения ионов, как правило, мала по сравнению с их толщиной, а возможности структурных изменений в уже сформированном покрытии ограничены. К примеру, не представляется возможным регулировать стехиометрический состав покрытий. Рассмотрим основные процессы, происходящие при совмещенных методах осаждения. Это собственно имплантация ионов, ионное перемешивание и распыление поверхности гомогенизация структуры изменение структуры и взаимодействий на границе раздела покрытие — подложка. Простые модели процессов для случая формирования однокомпонентного покрытия (атомы сорта А) при бомбардировке ионами сорта Б рассматриваются в [58, 149]. Согласно модели [149] рост пленки возможен при выполнении соотношения [c.146]

Повышение пробивного напряжения искровой обработкой, по-видимому, связано с разрушением выступов искрой, а также сгоранием микрочастиц или их удалением из областей с повышенной напряженностью. При кондиционировании длительным приложением напряжения разрушение микровыступов связано с их бомбардировкой ионами, образованными в про- [c.51]

Поскольку уже изолированы макроскопические количества (микрограммы) Аш" , представляется возможным посредством бомбардировки ионами гелия получить элемент с атомным номером 97. Пока невозможно сказать, как далеко мы можем продвинуться в этом направлении. [c.314]

Еще не настало время поставить слово конец под периодической таблицей. Если мы будем иметь макроскопические количества америция, то посредством бомбардировки ионами гелия, вероятно, можно будет изготовить элемент 97. Если же удастся синтезировать и изолировать долгоживущий изотоп кюрия, то возможен следующий шаг к элементу 98. [c.320]

Отрицательно заряженные частицы бомбардируют анод, а положительно заряженные — катод. Взаимная бомбардировка ионов при соответствующем напряжении дуги превращает кинетическую энергию этих частиц в тепловую и световую электроны превращаются в электроны проводимости, а ионы нейтрализуются. [c.303]

Сплав t. с Бомбардировка ионами Сг Бомбардировка ионами Мо [c.85]

Бомбардировка ионами У Бомбардировка ионами Т1 [c.86]

Наибольшую стабилизацию прочностных свойств твердых сплавов оказывает бомбардировка ионами хрома и титана, которые наиболее эффективно влияют на поверхностные дефекты структуры твердого сплава из-за более низкой энергии активации (133,3 и 116 Дж/моль соответственно) по сравнению с энергией активации молибдена и вольфрама (197,8 и 296,7 Дж/моль соответственно). [c.87]

Ионизация и возбуждение молекул газа при коронном разряде происходят лишь в небольшой области вблизи коронирующего электрода, в остальной части разрядного промежутка существует несамостоятельный разряд. При использовании коронного разряда для ускорения процесса цианирования стали [26] ионизировалась входящая в печь газовая смесь, а насыщаемая поверхность не подвергалась ионной бомбардировке в то время как при обработке в тлеющем разряде поверхность детали даже разогревается в результате бомбардировки ионами насыщающей среды. [c.107]

Очаги внутренней ионизации в порах действуют разрушающим образом на твердый, основной компонент изоляции за счет бомбардировки ионами и электронами, вызывающими эрозию, за счет теплового воздействия и воздействия озона и окислов азота. Разные материалы проявляют различную стойкость против этих воздействий. Как правило, неорганические диэлектрики проявляют большую стойкость, чем органические, довольно сильно отличающиеся в, этом отношении друг от друга. При ионизационном пробое начальной стадией является ионизация в порах (внутренняя корона), второй — завершающей — разрушение диэлектрика под [c.84]

Реактивное катодное распыление представляет процесс, в котором происходит вырывание атомов или частиц металлической мишени под действием бомбардировки ионами относительно высоких энергий в присутствии кислорода. Кислород реагирует с частицами напыляемого металла, образуя окислы. Синклэром [68] таким способом были получены пленки из двуо киси кремния, окиси алюминия и из алю. мосиликатов. Давление при этом составляло 332,5-10- Па, а напряжение— 1800 В. О получении пленочного покрытия из двуокиси титана с помощью реактивного катодного распыления сообщается Хейтманом [69]. [c.107]

Трансурановые элементы получают на ускорителях и в ядер-ных реакторах при помощи реакций, приводящих к повышению заряда исходного ядра [бомбардировка ионами 5В, еС, 7N, зО, joNe реакции d, п), (а, п), (а, 2п), реакция п, у) с последующим Р -распадом и др.]. Выделение трансурановых элементов после облучения производится с помощью радиохимических методов (метод носителя, ионообменная хроматография, физические методы выделения и идентификации). [c.430]

В исиарительно-ионных насосах активные пленки создаются путем термического испарения в вакууме накаленной титановой проволоки или штабика. В магниторазрядных насосах титан распыляется бомбардировкой ионами, образованными газовым разрядом. [c.51]

При катодном распылении атомы углерода поступают из катода в результате бомбардировки ионами высокой энергии. Затем эти атомы движутся по направлению к высокому положительному потенциалу в системе (рис. 1.22). При катодном распылении используют систему с низким давлением (обычно давление аргона лежит в диапазоне 10 — 10 мм рт. ст.). Напряжение между анодом и катодом порядка 5 кВ. Нагрев катода увеличивает эмиссию свободных электронов, которые, сталкиваясь с атомами газа, обусловлива- [c.39]

Кремниевая подложка очищалась бомбардировкой ионами С-Ь при напряжении 600 В в течение 120 с перед нанесением пленки in siti. [c.259]

ЭЛЕМЕНТЫ JVa 105—110—сверхтяжёлые искусственно полученные радиоакт. хим. элементы. Элементы с ат. номером J04—110 наз. трансактиноидными. Элемент №105 (нуклид с массовым числом Л =261, T i 2 = l,6 ) получен в 1970 в Дубне группой Г, Н. Флерова при бомбардировке ионами Ne нуклид этого элемента с. 4=260 получен и том же году в Беркли (США) группой А. Гиорсо (А. Ghiorso). В 1974 группа Флёрова сообщила [c.608]

Насосы серии НЭМ не имеют накаленных элементов, поскольку в них распыление электродов из титана происходит вследствие бомбардировки ионами газовога разряда, который не -прекращается даже при очень hmsikhx давлениях. Пленка титана, осдждаясь на поверхности анода и стенках насска, поглощает ионизированные мо- [c.369]

При использовании методов, основанных на явлении катодного расиыления [61,71 ], покрытие образуется в результате конденсации главным образом нейтральных частиц, выбиваемых из мишенн бомбардировкой ионами инертного газа (аргона, криптона), имеющими высокую энергию. Энергия частиц наносимого материала по крайней мере на поря. юк выше, чем энергия частиц, [c.154]

Новое направление в области диффузионной металлизации связано с процессом диффузии электронов, ионов, нейтронов в повфхностный слой металла. Бомбардировка электронами с помощью электронной пушки-ускорителя создает сильно нагретый поверхностный слой металла. При остывании получается гладкая оплавленная поверхность с высокопрочными свойствами. В поверхностный слой детали можно направить с большой скоростью ионы более прочного металла и создать на его поверхности улучшенный слой металла, который путем диффундирования проникает на большую глубину. При обычной металлизации это не удается, так как образовавшаяся при нагреве деталей оксидная пленка, или окалина, мешает проникновению атомов вводимого металла. При бомбардировке ионы легко в него проникают. Таким образом, можно обычную углеродистую сталь штамповать требуемого размера и с малой шероховатостью поверхности, а затем облучением создать на ее поверхности слой из другого, более прочного металла. [c.149]

Весьма крупные кластеры Na Fis и S4I3 были зарегистрированы при бомбардировке ионами аргона кристаллов NaF и sl [82]. [c.23]

В последнее время начаты поиски новых методов изготовления полупроводниковых материалов. Эти исследования ведутся в основном применительно к созданию солнечных элементов, но полученные результаты могут быть использованы в будуш,ем и для изготовления термоэлектрических материалов. Один из таких методов, основанный на бомбардировке ионами кадмия тонких пленок теллура, описан в работе А. Е. Городецкого и др. [31]. На стекло напылялась пленка теллура толихиной 0,1 мкм, которая затем облучалась ионами кадмия с энергией 5—50 кэв. Изготовленные таким образом пленки имели дырочную проводимость с подвижностью 3 — 5 см 1 в сек). Аналогичную характеристику имеет теллур кадмия с избытком теллура (р-типа), изготовленный по обычной технологии. [c.69]

Попытка убрать с поверхности подложки кислородсодержащие соединения бомбардировкой ионами аргона с энергией 60-100 эВ не привела к успеху. Если до и после обработки концентрация кислорода примерно составляла 1%, то содержание азота в составе подложки практически с нуля поднялось до 1—2%. Однако количество и размер отслоений в покрытиях после ионной обработки значительно уменьшшшсь. На подложках, обработанных ионами, количество отслоений не превышало [c.85]

Характерной особенностью метода КИБ является высокая химическая активность испаряющегося материала, обусловленная образованием конденсата при электродуговом испарении материала катода, за счет которого конденсат преобразуется в высокоиони-зированный поток низкотемпературной плазмы. Степень ионизации испаряемого металла и газа зависят от кристаллохимической природы испаряемого металла, давления газа, напряженности магнитного поля (для установок, снабженных плазмооптическими устройствами). Так как конденсат в процессе осаждения подвергается интенсивной бомбардировке ионами испаряемого вещества, то происходит частичное его распыление, а также повышение температуры в зоне формирования покрытия. В результате резко возрастает подвижность атомов на поверхности инструмента, происходит активация химических реакций между конденсатом и компонентами реакционной газовой смеси. [c.20]

Данные рис. 41 свидетельствуют о заметном влиянии покрытий на ударно-циклическую прочность Оп. Например, бомбардировка ионами титана, сопутствующая процессу нанесения покрытия TiN методом КИБ, несколько увеличивает ударно-циклическую прочность твердого сплава ВКб. Последующее нанесение покрытия TiN еще больше увеличивает прочность. Большое влияние на ударноциклическую прочность оказывает и толщина покрытия (табл. 25). [c.91]

Бериллиды 97 Бомбардировка ионная 36 электронная 36 Бориды 144—146 [c.291]

Нагнетательное сопло,выполняется неподвижным. Незатопленная струя рабочей жидкости пропускается между разрядными электродами, один из которых плоский, а второй заканчивается двумя остриями. Между электродами существует коронйый разряд, во внешней области которого находятся ионы, имеющие знак корони-рующего электрода. Струя жидкости, обладающая свойствами диэлектрика, в результате бомбардировки ионами заряжается, а затем пропускается между отклоняющими электродами, на которые подается управляющий электрический сигнал. В результате взаимодействия электрического поля отклоняющих электродов, с заряженной струей возникает сила, отклоняющая струю в сторону одного из приемных сопел и обеспечивающая управление гидродвигателем. [c.12]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...