Дислокации линейные

Средняя расчетная длина пробега дислокации L, определяемая по формуле y=N bL, равна 1—2 мм (экспериментально определяемое значение L 0,5 мм), а плотность дислокаций линейно возрастает с увеличением пластической деформации [c.188]

Диполь точечный пространственный 158 Дислокации линейные 542 —, непрерывно распределенные по объему 543 [c.562]

Дислокации — линейный дефекУ кристаллической решетки, нарушающий правильное чередование атомных плоскостей. Простейшими видами дислокаций являются краевая (дислокация Тейлора) и винтовая дислокации (рис. 1.4). [c.13]

При высоких температурах ускоряются диффузионные процессы, изменяются исходная микроструктура и механические свойства материалов. С повышением температуры значительно возрастает число вакансий, увеличивается подвижность точечных дефектов. Кроме того, диффузия способствует перемещению дислокаций (линейный дефект) путем переползания, что дает им большую степень свободы , но также наблюдаются частичная аннигиляция дислокаций (дислокации разного знака взаимно уничтожаются), перераспределение их, что коренным образом меняет первоначальную дислокационную структуру металла. [c.136]

Зарождение хрупких трещин транскристаллитного скола происходит в результате слияния группы дислокаций (линейных дефектов кристаллической решетки), скапливающихся у границ зерен. Известны и другие механизмы зарождения хрупких трещин [c.45]

Различают также дислокации линейные (краевые), винтовые и смешанные. В линейных дислокациях направление сдвига перпендикулярно к вектору Бюргерса, в винтовых—параллельно ему. Смешанные дислокации представляют комбинацию линейных и винтовых дислокаций. [c.101]

Дислокации — линейные дефекты кристаллической решетки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования. Энергия образования дислокаций существенно выше энергии образования точечных дефектов, поэтому они не могут существовать в измеримых концентрациях как термодинамически устойчивые дефекты. Они легко образуются при выращивании монокристаллов или эпитаксиальных пленок, сопровождающемся термическими, механическими и концентрационными напряжениями, приводящими к пластической деформации кристалла. Часть дислокаций может сохраняться в кристалле даже после самого тщательного отжига. Более подробно вопрос о причинах возникновения дислокаций будет рассмотрен при обсуждении методов выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок (см. гл. 6 [c.95]

Другим важнейшим видом несовершенства кристаллического строения являются так называемые дислокации. Представим себе, что в кристаллической решетке по каким-либо причинам появилась лишняя полуплоскость атомов, так называемая экстраплоскость (рис. 8). Край 3—3 такой плоскости образует линейный дефект (несовершенство) решетки, который называется краевой дислокацией. Краевая дислокация может распространяться на многие тысячи параметров решетки, для нее вектор Бюргерса (см. с. ООО) перпендикулярен экстраплоскости. В реальных металлах дислокации смешанные на некоторых участках — краевые, на других — винтовые. [c.28]

Таким образом, правильность кристаллического строения нарушается двумя видами дефектов — точечными (вакансии) и линейными (дислокациями). [c.30]

Линейные дефекты не двигаются самопроизвольно и хаотически, как вакансии. Однако достаточно небольшого напряжения, чтобы дислокация начала двигаться, образуя плоскость, а в разрезе — линию скольжения С (рис. 11). [c.30]

Рис. 12. Схема определения вектора Бюргерса для линейной дислокации

Кристаллические решетки зерна могут иметь различные структурные несовершенства точечные, линейные и поверхностные, которые возникают в результате образования вакансий — мест не занятых атомами дислоцированных атомов, вышедших из узла решетки дислокаций, возникающих при появлении в кристалле незаконченных атомных плоскостей примесных атомов, внедренных в кристаллическую решетку. [c.7]

Посторонние примеси имеют тенденцию собираться у линейных дислокаций и дырок по границам зерен. Роль этих сегрегаций в процессе электрохимической коррозии металлов может быть различной увеличение растворимости металла, облегчение образования питтингов в местах скопления дислокаций (субграницах), изменение характера коррозионного разрушения. [c.327]

По В. П. Батракову (1962 г.), интенсивной линейной локализованной коррозии вследствие приложенных извне или внутренних напряжений подвержены границы зерен или блочных структур, своеобразные группировки атомов по кристаллографическим плоскостям, дислокации и другие искажения кристаллической решетки, находящиеся в активном состоянии. [c.335]

Прн краевой (линейной) дислокации (рис. 1.11) в раздвинутую верхнюю часть совершенной кристаллической решетки как бы внедрена добавочная атомная плоскость PQ (экстраплоскость), перпендикулярная к плоскости чертежа. Число рядов атомов над плоскостью АС на один ряд больше, чем под ней. Край экстраплоскости называют линией дислокации, поперечное сечение которой состоит из наиболее упруго искаженной области кристаллической решетки [c.18]

Рис 1.11. Схема расположения атомов при линейной дислокации (а) и линейное несовершенство (б) [c.19]

На рис. 1.12,6 показано расположение атомов над и под плоскостью скольжения Q, совпадающей с плоскостью чертежа (белые кружки — атомы над плоскостью Q, а черные — под ней). Линией винтовой дислокации является АО, параллельная вектору сдвига (при линейной дислокации эта линия перпендикулярна вектору сдвига). [c.20]

На рис. 1.13 представлены микрофотографии следов точечных дислокаций (отдельные точки), линейных дислокаций (сплошные прямые линии, а также спирали или полуокружности). В этом случае зерна дислокаций могут располагаться в виде сфокусированных пучков выгнутых линий или в виде сетки пересекающихся дислокаций. [c.20]

При пластической деформации в металле образуются, перемещаются и взаимодействуют с другими дефектами кристаллического строения линейные несовершенства (дислокации). [c.81]

Местные искажения решетки наступают при приложении внешних нагрузок, а также в зонах действия внутренних напряжений. Возникновение Дислокаций может вызвать появление новых дислокаций на смежных участках. Существуют источники самопроизвольного возникновения дислокации две совместившиеся линейные дислокации образуют под действием напряжений непрерывно действующий генератор дислокаций (источники Франка-Рида). [c.172]

Другой путь, как это ни парадоксально, прямо противоположен и состоит в создании металлов, имеющих возможно больше нарушений правильной кристаллической структуры. Эти нарушения микроструктуры — точечные и линейные (дислокации) — могут быть получены или сочетанием пластического деформирования металла (наклепа) с термообработкой, или путем нейтронного облучения. При этом из кристаллической решетки выбиваются атомы и в решетке создаются или свободные места — вакансии, или атомы без места — внедренные атомы. Эти нарушения микроструктуры делают металл более прочным, так как затрудняют передвижение внутри кристалла, подобно тому как шероховатые поверхности двух брусков препятствуют их скольжению. [c.37]

К линейным несовершенствам можно отнести цепочки вакансий и атомов внедрения, а также дислокации. [c.470]

Дислокации представляют собой дефекты кристаллического строения, вызывающие нарушения правильного расположения атомов на расстояниях, значительно больших, чем постоянная решетки. Они возникают случайно при росте кристалла и термодинамически неравновесны. Причинами образования дислокаций могут быть также конденсация вакансий, скопление примесей, действие высоких напряжений. Процесс преобразования скоплений точечных дефектов в линейные идет с уменьшением свободной энергии кристалла. [c.470]

Дислокацией называется линейное несовершенство, образующее внутри кристалла зону сдвига. [c.47]

Ее край 1-1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. [c.47]

Зона скопления дислокаций характеризуется фрактальным распределением в ней данных линейных дефектов. В зависимости от конкретного геометрического образа дислокационной структуры и принадлежности к какой-либо из стадий эволюции дислокационной подсистемы (хаос, клубки, ячейки, фрагменты) данная зона характеризуется определенным энергетическим содержанием и различается значениями фрактальной размерности дислокационных структур. Среди различных дислокационных ансамблей ячеистые конфигурации наиболее отвечают диссипативному состоянию структуры металла. Они характеризуются значением фрактальной размерности дислокационной структуры Ор а 1,5. [c.119]

В работе [74] предпринята попытка объяснить влияние механической деформации медного электрода на его анодную и катодную поляризацию в водном растворе USO4 с позиций теории перенапряжения кристаллизации при условии, что лимитирующей стадией реакций является поверхностная диффузия ад-ионов, параметры которой зависят от расстояния между ступеньками роста, т. е. от плотности дислокаций. С учетом того, что плотность дислокаций линейно связана со степенью пластической деформации, получена прямая пропорциональная зависимость скорости реакции от корня квадратного из степени деформации. Эта зависимость приближенно соответствует результатам опытов и несколько нарушается при больших деформациях. К сожалению, в этой работе не измеряли величину механического напряжения, а поскольку в случае меди деформационное упрочнение может подчиняться параболическому закону [41 ], можно объяснить результаты опытов [74 ] без привлечения теории замедленной стадии поверхностной диффузии. [c.89]

Известно, что кристаллы металлов имеют дефекты. К ним относятся вакансии, т. е. пустые (незанятые атомом) места в узлах кристаллической решетки, а также смещения, обусловл н-ные сдвигом атома из узла в межузлие. G повышением температуры количество вакансий и смещений увеличивается. Металлы содержат также примеси инородных атомов, вызывающие искажения кристаллической решетки. К наиболее важным дефектам кристаллической решетки следует отнести дислокации (линейные дефекты, имеющие значительно большую протяженность в одном измерении по отношению к любому другому, перпендикулярному к нему). Они бывают краевыми, винтовыми, смещенными И др. , [c.11]

На рис. 1.6 приведена схема участка кристаллической решетки с одной лишней атомной полуплоскостью, т. е. краевой дислокацией. Линейная атомная полуплоскость PQQP называется экстраплоскостью, а нижний край экстраплоско- [c.11]

Dislo ation — Дислокация. Линейный дефект в кристаллической атомной решетке. Два основных типа [c.939]

На рис. 23 приведена схема участка кристаллической решетки с одной лишней атомной полуплоскостью, т. е. краевой дислокацией. Линейная атомная полуплоскость PQQ P называется экстраплоскостью, а нижний край экстраилоскости — линией дислокации. Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной и обозначают знаком X, если в нижней — то отрицательной и обозначают знаком Т. Различие между дислокациями часто условное. Перевернув кристалл, мы превращаем положительную дислокацию в отрицательную. Знак дислокации позволяет оценить результат их взаимодействия. Дислокации одного знака отталкиваются, а противоположного — притягиваются. [c.57]

Дислокации — линейные несовершества кристаллических решеток, существенно влияющие не механические свойства кристаллов. В реальных кристаллах дислокации могут иметь протяженность до тысяч и даже десятков тысяч периодов решетки. [c.289]

Движение дислокаций задерживается у точечных и линейных дефектов атомно-кристаллических решеток, включений примесных атомов, облаков примесей (атмосферы Котрелла), у границ фаз, кристаллических блоков и зерен. Перемещение дислокаций тормозят поперечные дислокации и дислокации одинакового направления, но противоположного знака. Разноименные дислокации, столкнувшись одна с другой, взаимно погашаются. [c.172]

Основные ВИДЫ искажений линейные д и ел о к аци и — вклинивание лишних кристаллических плоскостей (экстраплоскостей) (рис. 82, а) винтовые дислокации — спиральный сдвиг кристаллических плоскостей друг отноептелыю друга (рис. 82,6) в а к а н с и и — отсутствие атомов в узлах кристаллических решеток (рис. 82, в) включения примесных атомов в междуузлия решетки (рис. 82, г). [c.172]

Дислокации образуются вследствие появления в кристалле дополнительной атомной плоскости (экстраплоскости), из-за частичного сдвига одной части плоскостей по отношению к другой. На рис. 12.35 показана краевая, или линейная, дислокация. Линия дислокации представляет проекцию внедренной экстраплоскости и обозначается знакомХ, если экстраплоскость вставлена сверху (положительная дислокация), — знаком Т, если экстраплоскость вставлена снизу (отрицательная дислокация). Степень искаженности кристаллической решетки (показатель энергии нестабильности дислокации) определяется вектором Бюргерса Ь, [c.470]

Иа рисунке 1.13 представлен линейный дефект кристаллической решетки - дислокации, возникающий в том случае, ес ш одна из атомных ПJЮ кo тeй при кристаллизации не заполняется полностью, а лишь частично. Эта плоскость на рисунке 1.13 обозначена HMBOJmM J , означающим краевую дислокацию, так как в данном случае дефект связан с краем этой неполной плоскости. [c.49]

При традиционном описании процесса пластической деформации исходят из того, что существующие в кристаллах системы скольжения позволяют обеспечить его формирование без разрушения сплошности. В.Е. Паниным и др. [11] было доказано, что пластическое течение происходит одновременно на нескольких уровнях, причем трансляция на одном уровне обязательно сопровождается поворотом на более высоком уровне, и наоборот. Принципиально важным в этом подходе является то, что любое нарушение структуры кристалла при подводе к нему внешней энергии рассматривается с позиции самоорганизации локальных структур, обусловленной энтропийными эффектами. Вторичные структуры, формирующиеся в деформируемом кристалле при достижении необходимого уровня возбуждения, представляют совокупность локальных структур - от дефектов типа точечных или линейных до аморфного состояния, возникающего при высокой плотности дефектов. Таким образом, при анализе пластической деформации кристаллов необходимо учитывать кооперативное взаимодействие трансляции, ответственной за изменение формы (дисторсии), и ротации, ответственной за изменение объема (дилатации). При этом важную роль в распространении скольжения играют границы зерен. Эволюция скольжения включает образование полос скольжения на начальных этапах пластической деформации, которые потом трансформируются в полосы микроскопического сдвига, что приводит к возникновению зоны локализованной макропластической деформации, проходящей через весь объем. Переход от одного масштабного уровня (микрополосы) к другому (макротюлосы) являет собой неустойчивость пластической деформации, предопределяющую шейко-образование. Он характеризуется тем, что шменяются элементарные носители деформации - дислокации сменяются дисклинациями. Дисклинации являются более энергоемкими дефектами, чем дислокации, что позволяет системе про- [c.241]

Линейные дефекты малы в двух измерениях, в третьем они могут достигать длины кристалла (зерна). К линейным дефектам относятся цепочки вакансий, межузельных атомов и дислокации. Дислокации являются особым видом несовершенств в кристаллической решетке. С позиции теории дислокаций рассматривается прочность, фазовые и структу рные превращения [c.47]

Механика сплошной среды. Т.2 (1970) -- [ c.542 ]

Металлургия черных металлов (1986) -- [ c.256 ]

Теория обработки металлов давлением Издание 2 (1978) -- [ c.111 ]

Металловедение Издание 4 1963 (1963) -- [ c.17 ]

Металловедение Издание 4 1966 (1966) -- [ c.21 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...