Ионизация ударная

Изоляция напыленная 161 Импульсный пробой 80 Ионизация ударная 45 Испытания [c.314]

Ионизация ударная 270, IX. Ионная сила 276, IX. [c.469]

При меньшей эффективности других механизмов ионизации (поджигания) по сравнению с ионизацией ударной волной осуществляется именно этот гидродинамический (детонационный) режим. Газ при этом сжимается и нагревается ударной волной до состояния А, а затем, получая дополнительно энергию за счет поглощения света, расширяется вдоль прямой АЖ, достигая точки Жуге к моменту окончания энерговыделения. [c.295]

Гидродинамические режимы с ионизацией ударной волной, но скоростью,, превышающей детонационную (О А —у Б), не осуществляются. Движение за волной при этом было бы дозвуковым, и расширение нагретого газа за волной тотчас ослабило бы волну, переведя ее в режим нормальной детонации . [c.296]

Свойства металла шва, наплавленного электродом без покрытия, очень низки (ударная вязкость падает до 0,5 МДж/м вместо 8 МДж/м ). Состав покрытия электродов определяется рядом функций, которые он должен выполнять защита зоны сварки от кислорода и азота воздуха, раскисление металла сварочной ванны, легирование ее нужными компонентами, стабилизация дугового разряда. Производство электродов сводится к нанесению на стальной стержень электродного покрытия определенного состава. Электродные покрытия состоят из целого ряда компонентов, которые условно можно разделить на ионизирующие, шлакообразующие, газообразующие, раскислители, легирующие и вяжущие. Некоторые компоненты могут выполнять несколько функций одновременно, например мел, который, разлагаясь, выделяет много газа (СОг). оксид кальция идет на образование шлака, а пары кальция имеют низкий потенциал ионизации и стабилизируют дуговой разряд, СОг служит газовой защитой. [c.390]

Пропорциональные счетчики. Если ионизационная камера работает в режиме тока насыщения, то ее чувствительность к регистрации отдельных частиц невысока. Чувствительность значительно повышается, если ионизационная камера работает в режиме газового усиления. В области больших напряжений (участок D рис. 6, б) в результате ударной ионизации происходит лавинное умножение числа пар ионов н первоначально созданные ионизирующей заряженной частицей /г пар ионов превращаются в kn пар ионов. Величина k — коэффициент газового усиления. С возрастанием напряжения между электродами происходит увеличение коэффициента газового усиления. [c.40]

Явления, приводящие к отступлению от закона Ома в сильных электрических полях, можно разделить на две группы. К первой относятся явления, изменяющие время релаксации, а следовательно, подвижность носителей. Это разогрев электронного газа и эффект Ганна. Вторая группа явлений, в которую входят ударная ионизация и эффект Зинера, вызывает изменение концентрации носителей. [c.256]

Если к диэлектрику приложены слабые электрические поля (в области выполнения закона Ома), то они не могут изменить ни концентрации, ни подвижности носителей заряда. Значения величин п и 1, таким образом, остаются весьма низкими, и вклад электронной проводимости незначителен. В сильных электрических полях ситуация резко меняется. Энергии электрического поля. может быть достаточно для освобождения полем электронов (или дырок) из связанного состояния. Вследствие этого возрастает подвижность носителей заряда. Кроме того, из-за ударной ионизации резко увеличивается и концентрация освобожденных электронов в зоне проводимости (или дырок в валентной зоне). Все это приводит к росту электронной проводимости. [c.274]

В полупроводниках надо учитывать электрон-фононные и электрон-примесные столкновения, однако решающую роль играют столкновения фотоэлектрона с электронами валентной зоны. Специфика этих столкновений состоит в том, что валентному электрону должна передаваться сразу большая порция энергии — не менее ширины запрещенной зоны Д . При этом валентный электрон переходит в зону проводимости, рождается пара электрон проводимости и дырка. Рассматриваемый процесс называют ударной ионизацией-, энергия, передаваемая фотоэлектроном валентному электрону, называется энергией ударной ионизации. Одного акта ударной ионизации может оказаться достаточно для того, чтобы фотоэлектрон утратил возможность участвовать в фотоэмиссии. [c.170]

В основе механизма пробоя газов лежит процесс ударной ионизации, обусловленный свободными элект- [c.545]

Для создания инверсии в полупроводниках используют четыре типа возбуждения инжекцию носителей заряда, электронную накачку, ударную ионизацию (лавинный пробой) и оптическую накачку. Наибольшую эффективность имеют два первых типа накачки, которые и получили самое широкое распространение. [c.946]

Решение задачи об обтекании твердого тела проводящей жидкостью в присутствии магнитного поля представляет значительный интерес для аэродинамики больших скоростей. Известно, что при сверхзвуковых скоростях полета перед телом образуется сильная ударная волна. Вследствие сильного нагрева газа за ударной волной происходит ионизация, т. е. газ становится электропроводящим. Если с движущимся телом связано магнитное поле, то с этим полем будет взаимодействовать газ, находящийся между телом и головной ударной волной. Такое взаимодействие изменит характер обтекания тела и приведет к изменению теплового потока от газа к телу. [c.445]

Приведенные формулы имеют ограниченную область применимости. С повышением температуры (для сильных ударных волн) в газе возбуждаются внутренние степени свободы молекул, происходят диссоциация, ионизация, образование новых веществ. При этом отношение теплоемкостей уже нельзя считать постоянной величиной. Эти эффекты прежде всего влияют на величину плотности и температуры за ударной волной. [c.24]

Основное влияние процессов диссоциации и ионизации состоит в снижении температуры воздуха за ударной волной (вниз по потоку), так как на эти процессы затрачивается кинетическая энергия молекул. Для оценки порядка величины снижения темпе- ратуры приведем следующий пример при максимальной пиковой температуре в 20 000 К, возникающей при проходе воздуха сквозь поверхность ударной волны, равновесная температура на некотором расстоянии ниже волны составляет всего 7000 К. На рис. 29.11 приведены для сравнения кривые изменения температуры в критической точке теплоизолированного тела с притупленным носком при его полете в двух атмосферах в диссоциированном и ионизированном воздухе (реальный газ) и в воздухе без учета названных процессов (идеальный газ). [c.350]

При дальнейшем повышении Е до значений, близких к электрической прочности Е р, возникает возможность генерации заряженных частиц в электрическом поле из-за появления ударной ионизации, и [c.103]

Пробой газа обусловливается явлением ударной и фотонной ионизации. Пробой жидких диэлектриков происходит в результате ионизационных и тепловых процессов. Одним из главнейших факторов, способствующих пробою жидкостей, является наличие в них посторонних примесей. Пробой твердых тел может вызываться как электрическим, так и тепловым процессами, возникающими под действием поля. [c.116]

При лавинном механизме ударная ионизация электронами сопровождается вторичными процессами на катоде, в результате которых заряды в газовом [c.117]

Эффективность процессов ударной ионизации определяется, во-первых, средним числом столкновений электронов, приходящимся на единицу длины пути и, во-вторых, вероятностью того, что столкновение электрона с молекулой или атомом закончится ионизацией. Одновременное действие этих двух факторов при разном диапазоне значений р и И обусловливает величину и р газового промежутка при малых рк в основном влияет первый фактор, а при больших - второй. [c.120]

Электрический пробой тщательно очищенных жидкостей при кратковременном воздействии электрического поля происходит за счет сочетания двух процессов ударной ионизации электродами и холодной эмиссии с катода. В соответствии с этим электрическая прочность тщательно очищенных жидкостей на два порядка выше, чем газов, и составляет примерно 100 МВ/м. Это объясняется тем, что требуется большая напряженность поля для того, чтобы электрон, двигаясь в более плотной среде, с меньшей длиной свободного пробега X накопил энергию, достаточную для ионизации. [c.122]

Основные закономерности пробоя газов достаточно хорошо объясняются механизмом начальной стадии пробоя — ударной ионизацией. [c.62]

В этом случае при появлении ионизированной зоны воздуха вокруг внутреннего цилиндра максимальная напряженность может стать равной минимально необходимой для ударной ионизации и не будет распространяться дальше по направлению к внешнему цилиндру будет ограниченная зона ионизированного воздуха — так называемая корона, являющаяся формой неполного пробоя газа. В случае, когда с увеличением радиуса внутреннего электрода максимальная напряженность возрастает, ионизация, начавшаяся на поверхности внутреннего электрода, распространится сразу до внешнего электрода произойдет полный искровой пробой без явления короны. [c.66]

При изучении электрического пробоя важно, чтобы в образцах — объектах исследования не было пор (газовых включений), поскольку в них возникает ударная ионизация, искажающая картину пробоя. [c.78]

Отсюда был сделан вывод, что для начала ударной ионизации электронами необходимо, чтобы последние при разбеге в электрическом поле приобретали кинетическую энергию, составляющую определенную часть энергии решетки.. Скорость электрона, разгоняемого полем, к моменту столкновения с узлом решетки может быть выражена уравнением [c.78]

При напряженностях, больших . в газах начинается процесс ударной ионизации (рис. 5.4, участок 3). Образующиеся под действием внешних ионизаторов заряженные частицы ускоряются в электрическом поле и на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для ионизации молекул газа. Плотность заряженных частиц увеличивается, ток растет, что приводит к пробою газового промежутка. Для воздуха при нормальных условиях [c.140]

Транзистор лавинный — транзистор, в котором используется режим лайинного размножения носителей заряда (ударной ионизации) в коллекторном переходе для увеличения коэффициента усиления по току [10]. [c.158]

Ударная ионизация. Увеличение электропроводности твердого тела в сильных полях связано с увеличением концентрации носителей заряда. При полях, напряженность которых превышает 10 В/м, электроны проводимости приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов. В результате ионизации образуются электронно-дырочные пары, которые ускоряются полем до высоких энергий и тоже могут ионизовать атомы. Таким образом, концентрация свободных носителей лавинообразно нарастает. Этот процесс и получил название ударной иониза-ции. Ударная ионизация не приводит к немед- ленному пробою вещества, поскольку электроны (и дырки), рассеиваясь на фононах, передают свою энергию решетке и могут рекомбинировать. [c.259]

Предположим, что полупроводниковый фотоэмиттер имеет энергетическую диаграмму, показанную на рис. 7.9, а. Здесь через Е обозначена энергия ударной ионизации (Ei AE), штриховой прямой показан порог ударной ионизации X — энергия электронного сродства. В рассматриваемом случае % -Ei (х>А ). Чтобы не участвовать в столкновении с валентным электроном, зародившийся фотоэлектрон должен был бы иметь энергию ниже порога ударной ионизации, но тогда, как легко видеть, он оказался бы ниже уровня вакуума . Если же фотоэлектрон имеет энергию [c.170]

Чем меньше энергия электронного сродства по сравнению с энергией ударной ионизации, а следовательно, и с шириной запрещенной зоны, тем, во-первых, выше над уровнем вакуума остается фотоэлектрон после столкновения с валентным электроном и, во-вторых, больше фотоэлектронов могут иметь энергию выше уровня вакуума , но ниже порога ударной ионизации. На рисунке показаны два фотоэлектрона — один испытывает столкновение с валентным электроном, энергия другого ниже порога ударной ионизации легко видеть, что оба фотоэлектрона могут участвовать в фотоэмиссии. Фотоэмиттеры, для которых выполняется условие (7.2.6), имеют м здесь Н определяется электрон-фононными и электрон-примеснымп столкновениями. Квантовый выход в максимуме превышает 0,1. Он может увеличиться еще больше за счет размножения фотоэлектро- [c.171]

Гидродинамический режим распространения волны поглощения, вызванной ионизацией за ударной волной, со скоростью, превышающей скорость нормальной детонации (5.34), невозможен. Такому случаю соответствовало бы сжатие за ударной волной до состояния А на ударной адиабате с последующим расширением газа во время поглощения лазерного излучения вдоль отрезка прямой А 1 до точки В на ударной адиабате волны поглощения. Но в состоянии В скорость распространения волны по нагретому газу О оказывается дозвуковой. Расширение нагретого газа за такой волной тотчас бы ослабило и замедлило волну, переводя ее в режим нормальной детонации (из точки В в точку 2). Такой режим аналогичен пересжатбй детонации. Для того чтобы светодетонационная волна распространялась со скоростью большей, чем это может обеспечить поглощение лазерного излучения, должно быть дополнительное выделение энергии. Однако в условиях опытов таких дополнительных факторов нет, и, следовательно, отклонения от режима нормальной детонации невозможны. [c.110]

Предположим, что существует негидродинамический механизм ионизации, более эффективный, чем ударная волна, и что этот механизм может обеспечить большую скорость распространения волны поглощения, чем световая детонация. Таким механизмом при больших Р может служить радиационный механизм, а при высоких температурах (больше 100 эВ) — механизм электронной теплопроводности. [c.110]

При уменьшении потока интенсивности лазерного излучения уменьшаются температура и степень ионизации плазмы за фронтом ударной волны. По этой причине возрастает длина пробега излучения в плазме (толщина поглощающего слоя). По аналогии с теорией обычной детонации можно определить пороговое значение для интенсивности лазерного излучения, при котором еще возможен режим световой детонации. Естественно считать, что слой поглощающей плазмы за ударной волной расширяется не только в направлении движения ударной волны, но и в боковых направлениях. Отношение потерь энергии на боковое расширение к затратам на расширение в направлении движения ударной волны характеризуется отношением боковой поверхности цилиндрической зоны реакции 2лг1 к площади фронта яг , т. е. величиной //г. Волна световой детонации может существовать при условии, что /Сг. При радиусе светового канала г 10 -ь10 см длина пробега лазерного излучения становится сравнимой с г при температуре Т 20 000 К, чему соответствует пороговый световой поток / св 10 Вт/см2. При интенсивностях лазерного излучения ниже порогового режим световой детонации невозможен. Так как Рсв<.Рп, то режим световой детонации можно поддерживать меньшими световыми потоками, чем это требуется для первоначального создания плазмы и ударной волны. [c.111]

Рассмотрим установившееся движение плоской ударной волны навстречу лазерному излучению. Интенсивность лазерного излучения Р считаем постоянной. Газ перед волной неподвижен и характеризуется начальной плотностью частиц Л о- Тепловое излучение плазмы ионизирует слой газа перед фронтом светодетонационной волны. При значениях Го и Л о соответствующих светодетонационному режиму, начальная ионизация газа непосредственно перед фронтом равна aeг<10 . Пробег ионизующих квантов не превышает миллиметра, поэтому в нескольких миллиметрах от фронта газ вообще не ионизован. Температура электронного газа перед фронтом Те определяется равновесием между поглощением лазерного излучения и потерями энергии при столкновениях. В светодетонационном режиме для водорода, гелия и аргона величина Те равна Те -н2 эВ. Время от начала фотоионизации очередного слоя газа до прохождения фронта волны через этот слой порядка 10 с. Передачей энергии от электронов к атомам можно пренебречь (из-за большого различия в массах атома и электрона), поэтому для температуры атомов (и ионов) перед фронтом справедлива оценка Т < Те. [c.112]

Интенсивность данного процесса определяется коэффициентом ударной ионизации а, равньш числу ионизаций, производимьк двиясущимся электроном на единицу длины пути в направлении поля. При этом количество электронов у анода, образовавшихся в результате ударной ионизации, начатой первоначально одним электроном с поверхности катода, в соответствии с экспоненциальным законом размножения, достигнет величины е (к-расстояние между электродами, или разрядный промежуток). Эти электроны распределяются в межэлекгродно м пространстве в виде компактного облачка, называемого электронной лавиной. [c.117]

Ударная ионизация электронами составляет основу пробоя газа. Однако электронная лавина сама по себе еше не достаточна для образования пробоя, так как не создает проводяшего пути между электродами. Следовательно, кроме ударной ионизации электронами должны иметь место и другие явления, значительно влияющие на процесс формирования разряда. Характер этих явлений, сопровождающих ударную ионизацию электронами, определяет механизм пробоя газов. [c.117]

Электрический пробой - это пробой, обусловленный ударной ионизацией или разрывом связей меж.лу частицами диэлектрика непосредстпепно под действием электрического поля. [c.123]

В жидкостях улучшенной очистки, но не доведенных до предельно чистого состояния, проводимость практически не зависит от напряженности электрического поля до значений около 0,1 МВ/м. При больших напряженностях наблюдается более резкий рост тока, чем по закону Ома, — наблюдается увеличение проводимости, по-видимому, за счет увеличения подвижности ионов. В жидких диэлектриках обычной технической чистоты зависимость тока утечки от напряженности имеет довольно неопределенный характер. При достаточно больших значениях напряженности в обычных недегазированных жидкостях наблюдается увеличение тока утечки за счет ударной ионизации газовых объемов, находящихся в жидкости в растворенном состоянии. [c.48]

Повышенную электрическую прочность имеют так называемые электроотрицательные газы, отличающиеся тем что их молекулы способны присоединять к себе (захватывать) движущиеся свободные электроны, превращаясь таким образом в малоподвижные отрицательные ионы. Для осуществления ударной ионизации этими ионами требуется большая напряженность электрического поля, чем при ионизации электронами. К электроотрицательным относятся, в частности, газы, содержащие в своих молекулах атомы фтора, брома и хлора. Эта законрмерность усматривается в данных табл. 3-1. [c.88]

В диэлектриках свободными зарядами, которые перемещаются в электрическом поле и обусловливают электропроводность, могут быть ионы (положительные и отрицательные), молионы (в жидких диэлектриках), электроны и электронные вакансии (дырки), поля-роны. Такие свободные заряды образуются за счет нагрева диэлектрика, в результате которого происходит термическая диссоциация частиц, при воздействии на диэлектрик света или при его ионизирующем (радиационном) облучении. В сильных электрических полях возможна инжекция зарядов (электронов, дырок) в диэлектрик из металлических электродов заряды (ионы) могут инжектироваться в диэлектрик, если электродами служат вода или другая жидкость — электролиты, в которых имеются свободные положительные или отрицательные ионы наконец, в сильных электрических полях свободные заряды (ионы и электроны) образуются в дилектрике в результате ударной ионизации, когда свободные заряды, главным образом электроны, ускоряются в электрическом [c.137]

Электротехнические материалы (1976) -- [ c.45 ]

Диэлектрики Основные свойства и применения в электронике (1989) -- [ c.54 ]

Электротехнические материалы Издание 3 (1976) -- [ c.45 ]

Техническая энциклопедия Т 10 (1931) -- [ c.270 ]

Техническая энциклопедия Т 9 (1938) -- [ c.270 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...