Спектроскопия фотоэлектронная

Рентгеновская спектроскопия фотоэлектронов Скользящий пучок рентгеновских лучей [c.162]

Снятие вырождения аГ-состояния во внутреннем октаэдрическом поле остовной р -оболочки и разделение d-электронов на eg (d )-и ( )-состояния экспериментально подтверждено исследованием фотоэлектронных спектров [60]. На рис. 28 (две нижние кривые) представлен полученный методом электронной спектроскопии фотоэлектронный спектр валентных электронов золота и рассчитанная на основе зонной теории плотность состояний N (Е) [60]. Принципиальным результатом является расщепление d-пика на два, разделенных глубоким минимумом. Это расщепление не объясняется [c.57]

Наиболее точный метод измерения энергии связи электронов во внутренних оболочках атомов (погрешность 0,1 эВ) основан на рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии газообразных веществ. Кроме того, искомые энергии определяют методами фотопоглощения, рентгеновской эмиссии, оже-спектроскопии и т. д. 19]. [c.420]

Рентгеновская фотоэлектронная эмиссия (РФЭ) возникает под действием рентгеновского излучения и связана с переходом фотоэлектронов с глубоких атомных уровней в вакуум. Характерной особенностью фотоэлектронных спектров РФЭ является наличие узких линий, соответствующих фотоэлектронам, которые вышли из тела без рассеяния энергии (табл. 25.18 и рис. 25.28— 25.30). При использовании длинноволнового рентгеновского излучения (/iv=l кэВ) энергия эмитированных электронов составляет несколько сот электрон-вольт. Длина свободного пробега таких электронов равна 0,5— 2 нм (рис. 25.27), так что линейчатая часть спектров РФЭ отражает свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Эта особенность спектров РФЭ позволяет использовать их для анализа состава поверхности в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС). Энергии для химических элементов в соединениях различаются на несколько электрон-вольт. Так, для углерода энергия фотоэлектронной 1 s-линии меняется от 281 (Hf , Ti ) до 292 эВ (СОг)-Этот эффект, обычно называемый химическим сдвигом, дает возможность получать с помощью РФС информацию не только о оставе поверхности, но и о химических [c.579]

Исследование методом фотоэлектронной спектроскопии пассивного и транспассивного состояния молибдена в деаэрированном растворе 0,1 М H l 33 252 [c.31]

Для испытания материалов на локальные виды коррозии существует две основные группы методов исследования - химические и электрохимические. В отдельную подгруппу можно выделить физические методы исследования поверхности металла, применяемые обычно в сочетании с химическими или электрохимическими (оптическая и растровая электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ, Оже-электронная и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и др.). [c.143]

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия 153 Рентгеновское излучение, создаваемое протонами 154 Рентгеноспектральный микроанализ 145 [c.350]

Оже- и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия [c.27]

Экспериментальные методы, дающие информацию о поверхностных явлениях на атомном уровне, разнообразны. Это автоэмиссионная микроскопия (см. Ионный проектор), дифракция электронов, инфракрасная спектроскопия, ионная спектроскопия, комбинационное рассеяние света, оже-спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, термодесорбц. спектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия, электронная микроскопия, электрон-фотонная спектроскопия, ал-липсометрия и др. Эти методы позволяют решать мн. практически важные задачи в области электроники, роста кристаллов, вакуумной техники, катализа, повышения прочности материалов и их обработки, борьбы с коррозией и трением и т. д. Т. к. роль П. особенно велика для частиц малых размеров и тонких плёнок, то исследование поверхностных явлений приобрело особо важное значение для развития микроэлектроники. [c.655]

Наиболее убедительные доказательства существования эндоэдральной структуфы были получены с помощью ЭПР-, фотоэлектронной, мессбауэров-ской спектроскопии и рентгеновской спектроскопии поглощения, причем ЭПР-спектроскопия позволяет получить информацию об элеюронной структуре и химическом состоянии атомов в некоторых металлофуллеренах. Эта [c.59]

В табл. 19.6 представлены значения энергии сродства атомов к электрону. Наиболее точные современные методы измерения этой величины основаны на анализе порогового поведения сечения лазерного фотоотрыва и лазерной фотоэлектронной спектроскопии [17—20]. В отдельных графах табл. 19.6 приведены электронная конфигурация валентной оболочки иона и соответствующий терм отрицательного иона. [c.420]

В табл. 19.7 собраны значения ЕА двухатомных и более сложных молекулярных частиц. Среди наиболее надежных методов определения этой величины отметим фотоэлектронную спектроскопию, фотоотрыв, перезарядку ионов и столкновительную ионизацию [17, 18, 21, 22]. [c.420]

Методов измерения ЕА существует много. Наиб, информация получена методо.ч фотоэлектронной спектроскопии — измерение порога фотораспада О. и.или энергии электронов, оторванных от О. и. при облучении лазерным излучением. ЁА для атомов галогенов определяются по спектру излучения плазмы, к-рый даёт порог фотоприлипания электрона к атому галогена. Др. методы метод поверхностной ионизации, анализ диссоциативного прилипания электрона к молекуле — обеспечивают точность, на два порядка худшую, чем метод фотоэлектронной спектроскопии. [c.514]

Применение У. и. Изучение спектров испускания, поглощения и отражения в УФ-области позволяет определять электронную структуру атомов, молекул, ионов, твердых тел. УФ-спектры Солнца, звёзд, туманностей несут информацию о физ. процессах, происходящих в горячих областях этих космич. объектов. На фотоэффекте, вызываемом У. и,, основана фотоэлектронная спектроскопия. У. и. может нарушать хим. связи в молекулах, в результате чего могут возникать разл. фотохим. реакции (окисление, восстановление, полимеризация н т. д.), что послужило основой для фотохимии. Люминесценция под действием У. и. используется для создания люминесцентных ламп, светящихся красок, в люминесцентном анализе, дефектоскопии. У. и. применяется в криминалистике и искусствоведении. Способность разл. веществ к избират. поглощению У. и. используется для обнаружения вредных примесей в атмосфере и в УФ-микроскопии. [c.221]

ЭЛЕКТРбННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ—совокупность методов анализа свойств вещества по энергетич. спектрам, угл. распределениям, спиновой поляризации и др. характеристикам электронов, эмитируемых веществом под влиянием к.-л. внеш. воздействий (электронных, ионных и др. зондов). Методы Э. с. позволяют изучать элементный состав образца, структуру, электронное строение, тепловые колебания атомов и молекул веществ в твёрдой, жидкой и газовой фазе, а также получать др. информацию на микроскопич. уровне. Для твёрдого тела и жидкости информация может относиться как к поверхности и припо-верхностной области, так и к объёму. В зависимости от природы зонда различают фотоэлектронную спектроскопию, в к-рой для выбивания из вещества электронов используют излучение от красного до рентг. диапазона ионно-электронную спектроскопию, в к-рой изучаемый объект бомбардируют ионами разл. энергии вторично-электронную спектроскопию (ВЭС), основанную на изучении рассеяния в веществе потоков ускоренных электронов, и т. д. [I ]. [c.553]

Помимо фотоэлектронной спектроскопии, наиб, результативны методы ВЭС. В них информацию гюлучают, регистрируя и анализируя изменения, претерпеваемые первичными электронами вследствие определённых элементарных актов взаимодействия их с изучаемым объектом (спектроскопия отражённых электронов) носителями информации являются также вторичные электроны, возникающие в результате генерации их воздействующим агентом или при релаксации создаваемого им возбуждения В-веществе (спектроскопия истинно-вторичных электронов). Имеются также методики, в к-рых обе группы электронов исследуются совместно. Т. к. отражение электронов может быть упругим, квазиупругим и неупругим, различают неск. методов регистрации отражённых частиц. [c.553]

В [35] однородные метаста-О—N фазы, полученные методом магнетронного осаждения при использовании А1-мишени и Аг—Oj—N2 смеси газов при t = 190 °С и различных давлениях О2 и N2 газов, исследовались методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и электронной спектроскопии с угловым разрешением. Обнаружено формирование богатых кислородом нано-кристаллических А1—О—N фаз с кубической (типа 7-AI2O3) структурой богатые азотом фазы имеют вюртцитоподобную гексагональную структуру. При 0/N 1,5 получаемые фазы аморфны. [c.8]

В настоящей главе приводятся результаты расчетов плотности состояния электронов, основанные главным образом на моделях структуры аморфных твердых тел (см. 6.2.1). Далее (6.2.2 и 6.2.3) обсуждаются наиболее типичные экспериментальные результаты, полученные методами рентгеновской и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (РФС и УФС), позволяющими непосредственно наблюдать уровни энергии электронов, а также результаты анализа спектров испускания мягкого рентгеновского излучения (МРС). Кроме того, рассмотрены результаты экспериментов по комптоновскому рассеянию для определен1Ия волновых фунвдий элек1 ронов, находящихся в различ1ных электронных состояниях (см. 6.3.1) и результаты некоторых экспериментов по аннигиляции позитронов (см. 6.3.2). [c.178]

Известно, что высокая коррозионная стойкость в различных средах достигается благодаря тому, что металл переходит в пассивное состояние. Это касается и аморфных, и кристаллических сплавов, содержащих хром, в частности нержавеющих сталей. В чистых кислотах, не содержащих таких сильноокисляющих ионов, как хло-рид-ионы, -например в водных растворах серной кислоты, катодная поляризация приводит к тому, что нержавеющая сталь переходит в пассивное состояние. На рис. 9.13 представлены результаты рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС) чистого кристаллического железа и двойных сплавов Fe — Сг, пассивированных в [c.258]

Структура низкоразмерных объектов не может быть определена только на основе метода рентгеновской дифракции. Известно, что наноструктурные многокомпонентные пленки имеют очень широкие дифракционные максимумы низкой интенсивности, что обычно объясняется аморфным состоянием вещества, хотя кристаллическая природа наноструктурных пленок может быть подтверждена другими методами. Поэтому для характеристики низкоразмерных объектов рекомендуется использование комбинированного подхода с применением различных методов, таких как рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Рамановская спектроскопия, расширенные измерения поглощения рентгеновских лучей тонкой структурой (EXAFS), электронная микроскопия высокого разрешения и спектроскопия энергетических потерь электронов. [c.480]

ИКП — инфракрасное поглощение КРС — комбинационное рассеяние света ЭМ — эллип-сометрия (так же, как и КРС, видимого света) РФС — рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия ФД — фотодесорбция. Отметим, что фотоны минимально возмущают поверхность и не заряжают ее. Основные трудности связаны с получением интенсивных пучков в нужном спектральном интервале здесь оказались полезны лазеры — монохроматические источники большой интенсивности. Кроме того, как правило, малы сечения реакций взаимодействия фотонов с поверхностью, однако совершенствование измерительной аппаратуры позволяет добиваться достаточной чувствительности. [c.153]

Под действием рентгеновского излучения возникает эмиссия электронов внутренних оболочек (фотоэффект). Кинетическая энергия этих электронов равна разнице между энергией падающего фотона и энергией связи. Они, следовательно, характеризуют атомы и их валентное состояние. С помощью спектрометра определяется зависимость числа электронов от их кинетической энергии. Такой метод получил название рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС) или ЭСХА, поскольку в основном он применяется для химической идентификации поверхностных компонентов и позволяет определять все элементы с. 2>2. В этом отношении он весьма близок к ОЭС высокого разрешения, отличаясь лишь тем, что вместо электронов поверхность облучают рентгеновскими фотонами. Рентгеновское излучение обладает более высокой проникающей способностью, однако в диапазоне энергий, которым пользуется метод ЭСХА (несколько килоэлектронвольт), разрешение по глубине, определяемое длиной свободного пробега, электрона примерно такое же, как в ОЭС, и составляет [c.153]

Оже-спектроскоЬия — одна из модификаций метода фотоэлектронной спектроскопии. Используется эффект перехода электрона с внешней орбиты на /С-орбиту при выбивании электрона с последней с помощью рентгеновского ли гамма-излучения. Возникающие при этом характерные пики на спектрограммах связаны с атомным номером бомбардируемого атома (Зигбан К., Электронная спектроскопия, изд-во Мир , 1.971).— Прим. перев. [c.57]

В работе [143] изучали состав пассивных пленок методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на сплавах Fe—Сг (9,7 12,5 14,7 20,4 50 и 79,7 ат. % Сг). Пленки получали выдержкой при потенциалах 100 и 500 мВ н.к. э.) в 1 М. H2SO4, насыщенной азотом. При потенциале— 500 мВ на сплавах 9,7 12,5 50% Сг поверхностный слой соответствовал составу сплава. Пленки, образованные при 100 и 500 мВ, были обогащены хромом, причем состав слоя металла, следующего за пассивной пленкой, соответствовал составу объемного сплава (рис. 51). Это свидетельствует о том, что обогащение хромом происходит вследствие преимущественного растворения железа. [c.149]

Свойства активного слоя не столь хорошо изучены по сравнению со свойствами основного материала. Это объясняется тем, что для исследования его свойств требуется применение специальных инструментов и методик вследствие его малой толш и-ны и значительного изменения свойств по толщине. Обычно для исследования структуры и химического состава активного слоя применяются методы электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, фотоэлектронной спектроскопии, дифракция рентгеновских лучей и др. Метод нано-индентирования в сочетании с решением соответствующих контактных задач также [c.313]

Исследование структуры малых частиц можно проводить многими методами, применяемыми при изучении поверхности твердого тела (см. [103]). Однако наиболее распространены методы электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) [1041 и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) [105[. По существу оба этих метода основаны на выбивании электрона из К- L- или М-оболочки атома налетающим быстрым электроном либо рентгеновским у-квантом. Образующаяся вакансия немедленно заполняется электроном с более высокого энергетическо1 о уровня. При этом атом остается в возбужденном состоянии, энергия которого может освободиться двумя путями испусканием характеристического рентгеновского излуче- [c.27]

Сталла, более стабильна, чем кубооктаэдрическая форма, обладающая ГЦК-структурой безграничного металла [397, 4241. Вместе с тем в отношении ионизации уже кластеры uj и Gug проявляют свойства массивной меди 1) абсолютное значение энергии наивысшей занятой орбиталп s-полосы у этих кластеров близко к 5 эВ, что согласуется с работой выхода меди, равной 4,65 эВ 2) с учетом поправки на реорганизацию электронной структуры кластеров после вырывания электрона из d-полосы ионизационный потенциал для этой полосы оказывается близким к полученному методом фотоэлектронной спектроскопии в случае массивной меди [396]. [c.237]

Ширину валентной зоны кластеров 1г, Rh, Pt и Pd измеряли с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и нашли, что во всех с.1Еучаях она достигает значения ширины зоны массивного металла у кластеров диаметром 15 А, содержащих около 400 атомов [109]. Как отметили авторы этой работы, полученные ими экспериментальные результаты противоречат предсказаниям методом Ха, но удовлетворительно согласуются с расчетами методом ЕН. [c.256]

Катрич и Мирошниченко [1017] применили фотоэлектронную спектроскопию для исследования образования энергетической зонной структуры в частицах островковой пленки Ni. Они обнаружили две группы фотоэлектронов с разной поляризацией спинов, характеризуемые различной проницаемостью потенциальных барьеров при одинаковой кинетической энергии. Эти группы сохранялись при уменьшении размера частиц до Z) — 30 40 А. Однако при D 12 ч- 20 А происходило резкое изменение фотоэлектронного спектра, возможно связанное, по мнению авторов, с переходом ферромагнитных частиц в парамагнитное состояние. [c.314]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...