Релаксация электронная

Если к диэлектрику внешнее поле не приложено, то в различных анионных вакансиях эти переходы происходят хаотически и поляризация не возникает. Приложение электрического поля приводит к тому, что перескоки становятся в значительной степени согласованными. При этом возникает преимущественная направленность перескоков и, таким образом, появляется результирующий дипольный момент. Время релаксации электронной тепловой поляризации достаточно велико 10 —10 с. [c.288]

За счёт процессов спин-спиновой и спин-решёточной релаксации электронной системы направление магн. сверхтонкого поля Яст на ядре изменяется во времени. [c.106]

С открытием лазеров как источников коротких импульсов излучения в оптическом диапазоне электромагнитных волн появилась возможность наблюдения фотонного эха [67], являющегося оптическим аналогом спинового эха, а также свободного распада электронной поляризации [68] и других эффектов [69-71], обусловленных сложением фаз, т. е. когерентностью атомного ансамбля. Как мы увидим ниже, эволюция во времени недиагональных элементов матрицы плотности примесного центра определяет свободное затухание поляризации, различные типы фотонного эха и некоторые другие нелинейные явления. Эти эффекты получили название переходных. Их можно наблюдать лишь после возбуждения образца достаточно короткими световыми импульсами. Среди переходных эффектов наибольший интерес в настоящее время вызывает фотонное эхо, превратившееся в главный инструмент для исследования фазовой и энергетической релаксации электронных состояний примесных центров в твердых растворах. Достижениям теории в области описания фотонного эха и посвящена в основном данная глава. [c.195]

В-третьих, к уширению приводят релаксационные процессы (электронные флуктуации, релаксация электронного спина, диффузионное движение атомов), если время релаксации меньше или сравнимо с временем жизни возбужденного состояния ядра. Соответственно уширение третьего типа может дать информацию о процессах, которыми оно вызвано. [c.165]

Ускоряющему действию приложенного поля подвергаются все электроны. Однако в случае распределения Ферми—Дирака основную роль в процессе рассеяния играют электроны с энергией, близкой к энергии Ферми. Это означает, что т определяется временем релаксации электронов, находящихся вблизи поверхности Ферми t( f). [c.294]

Для более детального пояснения механизма модуляции усиления обратимся к графикам на рис. 5.1. Пусть лазер на красителе накачивается непрерывной последовательностью импульсов, излучаемых лазером с активной синхронизацией мод. Длительность этих импульсов, например, при использовании аргонового лазера с активной синхронизацией мод составляет от 100 до 200 ПС. Время релаксации электронов с верхнего уровня лазерного перехода Г32, которое для примененного лазера на красителе лежит в наносекундном диапазоне (например, для родамина 6G 7 з2 = 5 не), велико по сравнению с длительностью импульсов накачки и генерируемых импульсов, но меньше времени прохода резонатора o 2L/ [c.151]

С ПОМОЩЬЮ метода трехимпульсной дифракции. Применялись импульсы с двумя частотами oi и сог и возможным выбором направления поляризации. Были измерены межзонное время релаксации T v = 380 ПС, внутризонное время релаксации энергии Тв = 36 фс и время ориентационной релаксации электронного волнового вектора Тв = 69 фс. Для этих величин из соотношения 1/т= (1/Те)+ (1/Те) следует время распада фазы т = = 23 фс. [c.347]

Прежде чем приступить к математическим выкладкам, имеет смысл хотя бы кратко обсудить физическую сторону задачи. Важная особенность нелинейного процесса переноса заряда состоит в том, что он характеризуется несколькими временами релаксации. Электрон-электронное взаимодействие, описываемое оператором Я, приводит к термализации электронов за некоторое время релаксации Заметим, что это взаимодействие не меняет суммарный импульс электронов и их полную энергию. Поэтому, если не учитывать других взаимодействий, на достаточно грубой шкале времени состояние электронной подсистемы можно характеризовать средним значением полного импульса (Ре) и средней энергией HJK Релаксация импульса электронов обусловлена их взаимодействием с фононами и примесными атомами. Если температура не слишком велика, то в реальных полупроводниках характерное время релаксации импульса электронов г определяется, в основном, их упругим рассеянием на примесных атомах ). С повышением температуры возрастает роль электрон-фононного взаимодействия, которое приводит к релаксации как среднего импульса электронной подсистемы, так и средней энергии. Тогда вместо и г нужно использовать другие значения времен релаксации с учетом вклада электрон-фононного взаимодействия. В главе 5 первого тома (см. приложение 5Б) было показано, что следует различать изотермические (Tgg С г) и адиабатические (г > г) условия. В первом случае для описания состояния электронной подсистемы достаточно задать средние значения полного импульса и энергии, а во втором требуется более детальное описание, скажем, с помощью функции распределения электронов. [c.100]

Для определения времени, характеризующего релаксацию электронного импульса, примем, что фуикция распределения электронов имеет вид [c.137]

Рассматриваются общие закономерности электронного поглощения и испускания многоатомных соединений в жидкой фазе. Благодаря взаимодействию со средой, а также миграции колебательной энергии внутри системы процессы поглощения и испускания сложных молекул подчиняются определенным статистическим закономерностям. Это позволяет получить ряд, спектральных соотношений универсального характера и предложить достаточно общие методы определения молекулярных спектроскопических и термодинамических параметров. Они могут быть использованы при исследовании процессов перераспределения колебательной энергии и условий нарушения термодинамического равновесия в растворах, изучении конфигурации частиц среды и релаксации электронных состояний, для разделения полос поглощения и испускания, структура и форма которых искажаются за счет перекрывания спектров нескольких электронных переходов, различных типов центров, наличия примеси, что необходимо для последовательного и глубокого анализа влияния среды на спектры. [c.30]

Поглощение и испускание света в такой схеме происходят преимущественно из минимумов кривых (наиболее устойчивая конфигурация) и с соблюдением принципа Франка — Кондона (вертикальные переходы). Это значит, что за время электронно-колебательного перехода ориентация частиц растворителя не изменяется. Конечные уровни в актах поглощения и испускания являются неустойчивыми, так как им соответствуют неравновесные конфигурации молекул растворителя. При комнатной температуре и для не слишком вязких растворов за время возбужденного состояния осуществляется полная или частичная релаксация электронных уровней (приближение к равновесной конфигурации частиц среды). [c.49]

Если Б жидкости осуществляется релаксация электронных состояний, а перераспределение колебательной [c.51]

Разумно допустить, что в процессе релаксации электронного уровня 2 форма потенциальной поверхности растворенных молекул не изменяется, т. е. б ( 2, 1) = [c.52]

Релаксация электронных уровней может осуществляться и в свободных молекулах вследствие перестройки их ядерных конфигураций [14]. [c.97]

Возбуждение высших оптических гармоник лазерного излучения — многофотонное рэлеевское рассеяние света атомом — реализуется в результате двух различных процессов в зависимости от интенсивности лазерного излучения. В области субатомной интенсивности возникает многофотонное поглощение электрона за счет связанно-связанных, связанно-свободных и свободно-свободных переходов с последующей релаксацией электрона в исходное основное состояние атома, впервые обнаруженное в работе [1.20]. При этом возникает релаксационное излучение с частотой Кш, где номер возбуждаемой гармоники К может достигать величины в несколько десятков единиц (эта граница не носит принципиального характера она определяется рядом практических причин). Отметим, что этот процесс является конкурирующим к процессу многофотонной ионизации атома. [c.23]

Время релаксации электронной тепловой поляризации составляет [c.262]

По соотношению (1) можно оценить характерные времена установления равновесия в П. за счет столкновений, а также величину кинетич. коэффициентов вязкости, теплопроводности и электропроводности. Напр., характерное время обмена энергией и импульсом между ионами со средней энергией Т определяется ионным временем столкновений Т = = Ц v , где щ 2Т/М — средняя тепловая скорость ионов, а 4 — иоп-ионная длина пробега характер-ное время релаксации электронов определяется величиной Т(. =/е/гг , где 2Г/т время обмена энергией между электронами и ионами по порядку величины равно Те (М/т) Хе VМ т Таким образом, время установления максвелловского распределения у электронов и у ионов по отдельности значительно меньше времени обмена энергией между этими компонентами. Именно это обстоятельство и позволяет говорить о разных темп-рах электронов и ионов в не-изотермич. П. [c.17]

Если речь идет, например, о квантовых телеграфах типа, изображенного на рис. 27, то утверждение 3 должно физически осуществляться за счет того, что атомы подвижного телеграфа должны перестать чувствовать модуляцию темпа релаксации электронов на расстоянии и > (Р-хо/у. Фактически такой запрет может быть наложен только на [c.286]

Коллапсы волновых функций не являются произвольными они подчиняются универсальной наложенной извне связи — вероятности коллапсов должны быть пропорциональны ф для соответствующего состояния. Этот универсальный закон не позволяет создать сверхсветовую коммуникацию на произвольно больших расстояниях. Но коллапсы индивидуальных волновых функций в газе, в том числе в газе свободных электронов, допускают малое отклонение от универсального закона ф , если взаимодействие сложной системы большого количества электронов описывать на языке индивидуальных волновых пакетов. Обычно такое малое отклонение от закона р ф не играет большой роли, но оно является ключевым для объяснения эффекта Соколова. Соответственно, на базе эффекта Соколова можно представить себе передачу информации посредством квантовых корреляций на сравнительно небольших расстояниях. Существенную роль при этом играют необратимые процессы релаксации электронов проводимости в металле. [c.382]

Подвижность протонов в кристалле льда ) при —10 °С составляет 0,1—0,5 см /В-сек, что в 10 — 10 раз меньше подвижности электронов (см. табл. 11.2). Однако масса протона в 1840 раз превышает массу свободного электрона отсюда можно прийти к заключению, что с учетом подвижности времена релаксации электронов и протонов сравнимы по величине свободный протон в кристалле льда достаточно долговечен . [c.415]

Импульсное лазерное возбуждение и релаксация электронной подсистемы полупроводникового кристалла. При действии на полупроводник лазерного излучения с энергией кванта йсо, значительно превышающей ширину запрещенной зоны Eg По)> Eg (рис. 2.27) поглощение света происходит в тонком приповерхностном слое толщиной ос 10"см, где а. — коэффициент оптического поглощения. (Последнее значение ха- [c.142]

Как мы видели, в случае слабого поля электрон за одно столкновение забирает от молекулы или отдает ей энергию порядка V т МТ. Изменение энергии электрона на величину порядка самой энергии Т происходит в соответствии с результатами 1.5 за М/т столкновений. Таким образом, время релаксации электрона по энергии (или модулю его импульса) имеет порядок величины (1.43), т. е. [c.32]

Эта величина определяет время релаксации электронной компоненты плазмы к состоянию равновесия. [c.66]

Эти результаты Пайерлс использовал при исследовании электропроводности при низких температурах. Электрическое поле стремится увеличить J с постоянной скоростью, и поскольку электрон-фононные взаимодействия сохраняют J, равновесие может быть достигнуто только за счет взаимодействия фононов между собой, при котором не сохраняется q, т. е. за счет того же взаимодействия, которое обусловливает тепловое сопротивление (п. 7). Таким образом, в стационарном состоянии Ь /= О, а " gp (время релаксации электронов, обусловленное взаимодействием с фононами), согласно (21.4), возрастает, превышая значение, вычисленное по теории Блоха. Если ад — проводимость, рассчитанная по теории Блоха в предположенип = 0, то, согласно (21.4), а равно [c.285]

X с)(с1х1йЁ)Ер, где k — постоянная Больцмана яг -( >i < < ная масса электрона с — скорость света - - эчегмп —время релаксации электрона Е — энергия электрона. [c.83]

С электронной поляризацией, обусловленной тепловым движением, связан довольно широкий круг процессов, происходящих в твердых диэлектриках фотодиэлектрический эффект в кристаллах люминесцирующих широкозонных полупроводников диэлектрическая релаксация, обусловленная наличием центров окрашивания в ионных кристаллах, диэлектрическая релаксация электронов, захваченны.х донорны.ми центрами в оксидных полупроводниках наконец, существенное повышение на низких частотах диэлектрической проницаемости в поликристаллических веществах типа рутила, перовскита или стронций-висмут титаната (СВТ). Последний из перечисленных диэлектриков находит важное техническое применение. [c.72]

Теймор измерил также дрейфовую скорость экситонов в поле градиента напряжений, освещая входную поверхность импульсом излучения и определяя временную задержку, с которой экситоны достигают данной области кристалла. Он получил предсказанную теоретически линейную зависимость скорости дрейфа от внешней силы и таким образом определил время рассеяния в температу рном интервале от 1,5 до 20 К. Результаты его измерений приведены на рис. З, е. Время рассеяния в этом температурном интервале ме няется почти на два порядка. Найденная экспериментально температурная зависимость вида согласуется с теоретическим предсказанием для рассеяния носителей на фононах. Этот фундаментальный процесс оказалось возможным наблюдать благодаря чрезвычайно высокой чистоте кристалла. В силу малой массы носителей и относительно большого времени релаксации при низких температурах (для сравнения укажем, что время релаксации электронов в меди при Г, == 300, К равно с) экситоны в сверхчистом [c.136]

Укажем еще на работу [32], в которой исследовались процессы релаксации электронных уровней растворов родаминов Б и 6Ж путем измерения частот электронных переходов в поглощении и исиускании с применением соотношений (2.38) и (2.39). В разнообразном наборе растворителей с точностью до 50 см- получено совпадение частот [c.65]

Затухание электромагнитного поля в полубесконечном кристалле. Полученные в предыдущем разделе общие формулы (56v30) и (56.31) для напряженностей электрического и магнитного полей волны в кристалле конечной толщины, возникающей под влиянием внещнего поля с частотой со, очень громоздки. Для более простого выяснения роли пространственной дисперсии й процессов релаксации электронных возбуждений рассмотрим полубесконечный кристалл (ё = оо). В этом случае отсутствуют волны, отраженные от второй граничной плоскости 2 = 00 кристалла, и все выражения имеют простой вид. [c.464]

Рнс. 27. Схема квантового телеграфа, основанного на использовании эффекта Соколова, Электроны проводимости образца М из чистого металла или полупроводника после взаимодействия с возбужденным атомом А пролетают от поверхности в глубь образца. Там их волновые функции коллапсируют, и одновременно у атома А на расстоянии С -Уот от образца появляется 2Р-амплитуда, Квант Нсо, излучаемый при 2Р —> 18-переходе, измеряется детектором О, "Фантомы" М , М". .. соответствуют запаздывающим по времени копиям образца М и описывают процесс релаксации электронов в металле. [c.275]

Поглощеш1е сильно сконцентрированного в пространстве, времени и по спектру лазерного излучения приводит к возникновению целого каскада процессов преобразования энергии, включающих в себя последовательное возбуждение и релаксацию электронной подсистемы, электрон-фонон-ную релаксацию, фонон-фононную релаксацию и, наконец, разнообразные тепловые процессы (нагрев, плавление, испарение). [c.141]

Высокое быстродействие. Как мы уже неоднократно подчеркивали, в последние годы в арсенале исследователей появились лазерные источники, генерирующие световые импульсы пико- и фемтосекундного диапазона длительности. Поскольку когерентный нелинейно-оптический отклик формируется в течение действия зондирующего лазерного импульса (или импульсов), временное разрешение при использовании для диагностики нелинейно-оптических методов в принципе ограничивается длительностью только самих лазерных импульсов. Таким образом, нелинейно-оптические методы на сегодняшний день при использовании сверхкоротких свете зых импульсов впервые позволяют в реальном времени исследовать динамику фотовозбуждения и релаксации электронных и фононных подсистем с временным разрешением до 10" с. Заметим, что других методов, позволяющих изучать столь быстро протекающие процессы, на сегодняшний день нет. [c.227]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...