Эмиссия ионная

Вторичная эмиссия. Ион, приближающийся к металлу, нейтрализуется. Нейтрализация положительного иона осуществляется присоединением к нему одного из электронов металла, а отрицательного — передачей металлу лишнего электрона. [c.67]

Датчик течеискателя представляет собой диод с платиновыми электродами. Анод разогревают до 800—900 °С. Накаленная платина эмитирует положительные ионы, которые регистрируются соответствующим прибором. Присутствие в пространстве между электродами воздуха, содержащего галоиды, приводит к резкому увеличению эмиссии ионов. Ионный ток регистрируется показывающим прибором и с помощью телефона. Повышение частоты сигналов в телефоне свидетельствует о наличии течи в испытуемом объекте. [c.568]

Термоионные свойства изучали по эмиссии ионов цезия с замещенных алюмосиликатов. В качестве исходного продукта использовали цеолит типа КаА. Частицы цеолита измельчали, таблетировали и сушили при 200° С в течение нескольких часов для удаления молекул воды, которые могут располагаться в кристаллических полостях и каналах цеолитов [2]. [c.89]

Исследование эмиссии ионов производили на [c.90]

Действие галогенных течеискателей основано на явлении резкого увеличения эмиссии ионов с платинового анода, нагретого до 800-900 °С, в присутствии галогенов (например, фреона). [c.256]

Принцип работы. Накаленная платина эмитирует положительные ионы, которые могут регистрироваться при атмосферном давлении. Эмиссия ионов резко возрастает в присутствии газов, содержащих га- [c.171]

Для генерации ионных пучков анод диода делают из диэлектрика соответствующего хим. состава. Эмиссия ионов происходит из плазмы под действием внеш. поля и поля пространств, заряда электронов (см. Ионная эмиссия). Плазма образуется в результате электрич. пробоя анода вдоль его поверхности. Чтобы увеличить долю энергии, передаваемую в ионный пучок, ток электронов через диод должен быть уменьшен при условии сохранения большого отрицат. пространств. заряда. Для этого используется либо магн. поле (т. н. диоды с магн. изоляцией, рис. 3, о), либо [c.681]

Увеличивая температуру анода, можно уменьшить степень его покрытия щелочными атомами и увеличить работу выхода, в результате чего время пребывания адсорбированных атомов на поверхности уменьшится настолько, что вновь станет возможна устойчивая эмиссия ионов. [c.282]

Известны следующие виды эмиссии электронов твердыми телами термоэлектронная автоэлектронная (или электростатическая) фотоэлектронная (или внешний фотоэффект) вторичная, возникающая при бомбардировке твердого тела тяжелыми частицами (атомами, ионами) или потоком первичных электронов. [c.61]

Н, eui>2Ф, поэтому для них выравнивание вероятно. Коэффициент выхода электронов эмиссии на один ион трудно определить. Он зависит от ряда факторов, в том числе от энергии ионов, и меняется в широких пределах. [c.67]

Эмиссия диэлектрических слоев. Обнаружено, что относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (оат= 100... 1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. [c.68]

Ионная эмиссия и поверхностная ионизация. С анода, изготовленного из очень чистого и слабо испаряющегося металла, происходит небольшая эмиссия положительных ионов. Она значительно усиливается, если анод содержит легко испаряющиеся примеси, особенно примеси щелочных металлов. Возможна также эмиссия отрицательных ионов с металлов, покрытых электропроводными слоями металлов или полупроводниками типа оксидов. [c.69]

Газосветные лампы. Газосветная лампа состоит из стеклянного баллона, заполненного люминесцирующим газом. Внутри баллона (на его концах) расположены электроды. Под действием приложенного электростатического поля ионы и электроны, образующиеся тем или иным путем (например, за счет термоэлектронной эмиссии), приводятся внутри трубки в быстрое движение и, соударяясь с атомами газа, вызывают их возбуждение. Возбужденные атомы газа, переходя в основное состояние, высвечиваются. [c.377]

Механизм разряда в полом катоде изучен еще недостаточно. В эмиссии электронов с поверхности полого катода наряду с ионной бомбардировкой большое значение имеет фотоэффект под действием квантов УФ-излучения, испускаемого возбужденными атомами и ионами. [c.73]

Токи автоэлектронной эмиссии, которые у магнитного электроразрядного вакуумметра попадали на коллектор ионов и в измерительную цепь, в инверсно-магнетронном вакуумметре отводятся с экрана катодов и не вносят помех при измерении ионного тока. [c.168]

ЭЛЕКТРОННАЯ И ИОННАЯ ЭМИССИЯ [c.567]

Тело, испускающее электроны или ионы, называется эмиттером. Для наблюдения и использования электронной или ионной эмиссии необходимо создать у поверхности эмиттера электрическое поле, отсасывающее эмитированные частицы. Обычно для достижения эмиссионным током насыщения достаточно приложить небольшое поле (десятки или сотни вольт на сантиметр). В случае полевой эмиссии внешнее электрическое поле превращает потенциальный порог, существующий на границе тела и препятствующий выходу электронов, в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту, вследствие чего становится возможным квантовомеханическое туннелирование электронов сквозь барьер. При этом энергия электрического поля затрачивается только на ускорение эмитированных электронов. Для возникновения полевой эмиссии необходимо приложить к телу сильное электрическое поле (I 10 В/см), при этом плотность тока может достигнуть 10 А/см . При еще больших импульсных полях локальные участки эмиттера (выступы, заострения) сильно разогреваются (чаще всего током полевой эмиссии) и взрываются. Часть вещества эмиттера переходит из конденсированной фазы в плотную плазму. Этот процесс сопровождается испусканием интенсивного электронного потока — возникает взрывная электронная эмиссия. Монографии и обзоры по эмиссионной электронике и различным видам эмиттеров приведены в [1—4, [c.567]

ПЭ используется в некоторых вакуумных электронных приборах, в полевой электронной и ионной микроскопии, взрывная электронная эмиссия — в сильноточных ускорителях электронов и в импульсных источниках рентгеновского излучения высокой интенсивности [30]. [c.588]

ИОННАЯ И ИОННО-ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ [c.590]

Изотопный анализ. Из.меряются отношения ионных токов, соответствующих ионам с одинаковым зарядом и хим. составом, но с разл. изотопным составом. Эта задача наиб, проста в случае одноатомных газов. Поэтому при анализе изотопного состава ряда элементов используются их газообразные соединения (Н — в виде Н , О — в виде 0 , С — в виде СО , и — в виде и т. д.). При этом приходится учитывать влияние т. н. изотопных эффектов (различия в скоростях испарения изотопных молекул, если вещество испаряют в ионном источнике различия в вероятностях эмиссии ионов, если применяют методы поверхностной ионизации, искрового разряда, вторичной ионной эмиссии, эвдссии под действием лазерного излучения и т. д.) на вероятности диссоциации молекул при ионизации. В случае молекул, содержащих разнородные атомы, необходимо учитывать вклад в интенсивность соответствующих пиков (масс-спектральных линий), обусловленных изотопами других элементов. Масс-спектрометры с высоким разрешением позволяют идентифицировать, например, компоненты таких мульгиплетов, как — ВН" " — Т+. Повышают точность метода относит, измерения, когда исследование образца с неизвестным изотопным составам чередуется с измерениями в тех же самых условиях стандартного образца близкого изотопного состава. [c.57]

В случае неоднородных по <р твёрдых тел (напр., по-ликристаллических) на эмиссию ионов оказывают влияние т, н. контактные поля пятен (см. Работа выхода). При их компенсации внешним электрич. полем ионный ток равен сумме токов с отдельных пятен. При этом в интервале Т порядка неск. сотен градусов ф-лы (4,5) сохраняются при введении в них усреднённых значений ф. А, р. Из-за сильной зависимости а от ф, положит. ионы трудноионизируемых веществ образуются преимущественно на участках с Фмако отрицательные ионы — с фмин что при сравнимых площадях пятен [c.646]

Аналогичные явления имеют место ка аноде Т. р. Электроны, выходящие из плазмы ПС, ускоряются на скачке потенциала АС и также, как и вблизи катода, производят ионизацию газа. Однако здесь ионизация не столь сильна, но она необходима, т. к. эмиссия ионов с холодного анода отсутствует,- В стационарном Т. р. закон нормальной плотности тока проявляется в покоящс.мся газе, при отсутствии потока газа. Гидродинамич, модель плоского анодного слоя, учитывающая кинетич. эффекты, объясняет законы подобия зависят только от рода газа. Неустойчивость плоского АС имеет теоретич, объяснение в рамках тидродинамич. ур-ний, в этом приближении структура стационарного анодного пятна определяется диффузией электронов. [c.117]

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМЙССИЯ —испускание электронов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть электронов тела приобретает в результате внеш. воздействия энергию, достаточную для преодоления потенц. барьера на его границе, или если внеш. электрич. поле делает его прозрачным для части электронов. Э. э. наблюдается при нагревании тел (тер.иоэлектронная эмиссия), при бомбардировке электронами вторичная электронная эмиссия), ионами (ионно-электронная эмиссия) или эл.-магн. излучением (фотоэлектронная эмиссия). [c.555]

При энергии бомбардирующих электронов более 26 кэВ и плотности тока электронов более 20 А/см наблюдается испускание ионов материала поверхности нек-рых металлов, т. н. высоковольтная Э.-и. э. В основе этого эффекта лежит радиац. смещение атомов металла на нек-рой глубине под поверхностью в зоне макс. поглощения энергии бомбардирующих электронов. При энергии электронов 26,1 кэВ и выше практически независимо от сорта металла зона распространяется на поверхность, что сопровождается эфф. образованием и эмиссией ионов материала поверхности со степенью ионизации, достигающей более 85— 90% экстрагируемого вещества поверхности металла. Высоковольтная Э.-и. э. используется для масс-спектромет-рич. определения хим. состава сплавов и для изучения [c.559]

Галогенный метод контроля основан на изменении эмиссии ионов нагретой металлической поверхностью при попадании на нее пробного вещес ва, содержащего галогены. Метод отличается высокой чувствительностью и применяется для контроля герметичности ответственных паяных изделий. Технические характеристики отечественных течеискателей приведены в табл. 10. [c.368]

Важною фуппу составляют электрические поверхностные явления поверхностная проводимость, поверхностный электрический потенциал, электронная эмиссия и др. Все они связаны с образованием на межфазной фанице двойного электрического слоя в результате эмиссии электронов или спегщфической эмиссии ионов, а также ориентации диполей в поле поверхностных сил, [c.60]

Как и при анализе электронов, в этом случае можно измерять число, энергетическое и пространственное распределение эмитируемых ионов. Однако в случае эмиссии ионов появляется и новая аналитическая возможность — анализ вторичных ионов по массам. Этот метод и называют МСВИ. Масс-спектр вторичных ионов характеризует химический состав поверхностного слоя. Большое число вторичных ионов значительно усложняет спектр, однако делает его и более информативным. Кроме того, метод МСВИ обладает очень высокой чувствительностью (правда, меняющейся в широких пределах) и позволяет определять все элементы, включая водород, гелий, а также различные изотопы элементов и молекулярные осколки [7]. На рис. 7.10 показан МСВИ- [c.154]

Как и при анализе электронов, в этом случае можно измерять число, энергетическое и пространственное распределение эмитируемых ионов. Однако в случае эмиссии ионов появляется и новая аналитическая возможность — масс-анализ вторичных ионов. Этот метод и называют МСВИ. Масс-спектр вторичных ионов характеризует химический состав поверхностного слоя. Большое число вторичных ионов значительно усложняет спектр, однако делает его и более информативным. Кроме того, метод МСВИ обладает очень высокой чувствительностью (правда, ме- [c.123]

Ионио-электронная эмиссия. Ион, падающий на поверхность электрода, выбивает из нее электроны, имеющие энергию не более 10—30 эв (рис. 23.1 и 23.2). [c.427]

В конструктивном отношении ионные Э. д, различаются прежде всего принципом устройства ионизатора, Конкурирующие методы метод поверхностной ионизации (]8 на накаленном пористом W (рис. 2) и методы объемной ионизации электронным у-даром в разряде низкого давления (см. Ионные источники). Достоинство метода поверхностной ионизации — ого сравнительная простота и надежность, а недостаток — малая величина плотности тока эмиссии ионов (. < 10 ма1см ). Поэтому в таких Э, д, величина тяги с 1 ограничивается не объемным зарядом, а величиной тока эмиссии и не превосходит 0,1 г/см-. В системах с объемной ионизацией величина тяги больше и ограничена объемным зарядом. Поэтому для полу- [c.513]

Принцип действия галоидных те-чеискателей основан на свойстве платины в раскаленном состоянии испускать ионы. Эмиссия ионов возрастает, когда в среде, в которой находится разогретая платина, присутствует галоидосодержащий газ (фреон, четыреххлористый углерод и др.). [c.199]

Механизм, который предложили Кабрера и Мотт (J949 г.), исходит и из существования на металле образовавшейся в процессе хемосорбции кислорода пленки, в которой ионы и электроны движутся независимо друг от друга. При низких температурах диффузия ионов через пленку затруднена, в то время как электроны могут проходить через тонкий еще слой окисла либо благодаря термоионной эмиссии, либо, что более вероятно, вследствие туннельного эффекта (квантово-механического процесса, при котором для электронов с максимальной энергией, меньшей, чем это требуется для преодоления барьера, все же характерна конечная вероятность того, что они преодолеют этот барьер, т. е. пленку), обусловливающего высокую проводимость окисной пленки при низких температурах. При этом на поверхности раздела металл— окисел образуются катионы, и на поверхности раздела окисел— газ—анионы кислорода (или другого окислителя). Таким образом, внутри окисной пленки создается сильное электрическое поле, благодаря которому главным образом ионы и проникают через пленку, скорость роста которой определяется более медленным, т. е. более заторможенным, процессом. [c.48]

При начальной концентрации ионов riei = 10 м и температуре 3000° К в присутствии частиц диэлектрика, заряженных первоначально, как в примере на стр. 449, 2000 дырок каждая, Пд, согласно уравнению (10.92), уменьшается до м . Если частицы первоначально нейтральны, то вследствие термоэлектронной эмиссии концентрация свободных электронов стремится увеличиться. Частицы, первоначально имеющие отрицательный заряд, способствуют повышению концентрации свободных электронов (фиг. 10.10). Время достижения нового уровня концентрации в этом примере зависит от распределения твердых частиц. Для электростатической дисперсии на длине от 1 ai до 1 л требуется 10 сек [728]. [c.463]

Электронная и ионная эмиссия — испускание электронов или ионов телами под влиянием внешних воздействий нагревания, потока фотонов, электронов, ионов или сильного электрического поля. В зависимости от характера внешнего воздействия различают соответственно термоэлектронную, термоионную, фотоэлектронную, вторичную электронную и вторичную ионную, электронноионную, ионно-электронную и полевую (иначе — туннельную или автоэлектронную) эмиссии. Во всех видах эмиссии. кроме полевой, роль внешних воздействий состоит в увеличении энергии части электронов или ионов тела до значения, позволяющего преодолеть действие сил. которые связывают их с телом, и выйти в вакуум или в другую среду. При ионной эмиссии эмитироваться могут как положительные, так и отрицательные ионы. [c.567]

Боридный термокатод — катод на основе металлоподобных соединений типа МеВе, где iMe — щелочноземельный, редкоземельный металлы или торий. В качестве термокатода наиболее широко применяется гекса-борид лантана, реже — гексабориды иттрия и гадолиния и диборид хрома. Покрытие оксидного слоя тонкой пленкой осмия понижает работу выхода катода и увеличивает его эмиссионную способность. Термоэмиссионные катоды из гексаборида лантана работают при температуре 1650 К и обеспечивают получение плотности тока ТЭ до 50 А/см . Высокая механическая прочность и устойчивость таких катодов к ионной бомбардировке позволяет использовать их в режиме термополевой эмиссии (при напряженности внешнего электрического поля 10° В/см значительная часть эмиссионного тока обусловлена туннелированием электронов сквозь барьер). В этом режиме катод из гексаборида лантана при температуре 1400—1500 К может эмитировать ток с плотностью до 1000 A/ м . Катоды из гексаборида лантана не отравляются на воздухе и устойчиво работают в относительно плохом вакууме. Срок их службы не зависит от давления остаточных газов в приборе до давлений порядка 10 Па. Эти катоды используются в ускорителях и различных вакуумных устройствах. [c.571]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...