Комбинационный дефект

Ранее уже говорилось (гл. I, разд. 3,а), что при значениях К, отличных от нуля, появляется удвоение -тина. В полосах П — 2 это удвоение приводит к комбинационному дефекту между Р- и 7 -ветвями, с одной стороны, и ( -ветвью — с другой, совершенно так же, как удвоение Л-типа проявляется в молекулярных спектрах двухатомных молекул или удвоение /-типа в инфракрасных спектрах многоатомных молекул (см. [22], фиг. 119 фиг. 112 в русском переводе и относящийся к ней текст). В результате значения В ж В т, ъ уравнениях (II, 48) и (11,49) несколько различаются. В полосах П — 41 и — П удвоение Т -типа вызывает действительное удвоение всех линий. Величина удвоения (или комбинационный дефект для переходов П — 2) больше, чем для двухатомных молекул, если квантовое число I колебательного момента количества движения отлично от нуля (гл. I, разд. 3, а). [c.185]

Этот комбинационный дефект обычно достаточно велик и может быть легко измерен во всех случаях, когда разрешена структура полосы. Наблюдение [c.195]

Фиг. 80. Комбинационный дефект в полосах 030-000 системы А — X H N и D N.

Известно несколько примеров подробно изученных изогнуто-линейных переходов. Главные полосы поглощения системы H N (А — X), расположенные в области от 2000 до 1600 А, имеют описанную выше простую структуру с Р-, Q- и Л-ветвями. В качестве иллюстрации на фиг. 82 приводится фотография полосы 030—ООО. Значительный комбинационный дефект (фиг. 80) говорит о том, что молекула изогнута в верхнем состоянии. Знак этого дефекта позволяет сделать вывод, что верхнее состояние относится к типу А ", т. е. что момент перехода перпендикулярен по отношению к плоскости молекулы. Этот вывод подтверждается отсутствием каких-либо парал- [c.199]

До сих пор мы не учитывали удвоение -типа (или -типа) (гл. I, разд. 3,6), т. е. различие в энергии вращательных уровней А1 а А2 с одинаковыми значениями I и К. Как уже говорилось в гл. I, расщепление этого типа в общем случае имеет как электронную, так и колебательную составляющую. При сильном электронно-колебательном взаимодействии отделить их друг от друга невозможно. При слабом взаимодействии, если не возбуждаются вырожденные колебания, расщепление обусловлено в основном электронным движением. Независимо от того, является ли оно по своей природе электронным или колебательным, такое расщепление может быть значительным только для уровней (- -]) [или (+/)] с = 1 в вырожденном электронном состоянии. Как видно из фиг. 36, это расщепление проявляется только в г-подполосе е К = 0. Из-за правил отбора (11,69) и (11,70) расщепление уровней не приводит к расщеплению спектральных линий, а вызывает лишь появление комбинационного дефекта между Р-, В- и ( -ветвями этой подполосы. При атом верхними уровнями для ()-линий являются одни компоненты дублетов, [c.231]

Существенное влияние на классификацию сочетаний дефектов оказывает принятый способ группирования, который должен обеспечить получение однородных подмножеств деталей, близких по техническим и технологическим параметрам. Можно выделить два принципиально отличных друг от друга способа классификации вероятностных объектов метод многомерной группировки и метод комбинационной группировки. [c.225]

При классификации деталей ремонтного фонда, характеризуемых набором признаков, в основном качественного типа, более целесообразен второй способ — способ комбинационной груп-п и р о в к и. формирование маршрутов восстановления в этом случае осуществляется многошаговым процессом последовательных объединений совокупности сочетаний дефектов по отдельным признакам сначала по одному, затем по другому и т. д. [c.226]

Определение амплитуды преобладающего дефекта. Наличие преобладающего дефекта, особенно в условиях неполного контактирования, вызывает появление переменной составляющей передаточной функции. В результате в спектре вибрации, кроме частот возмущающих сил со,-, имеются составляющие с частотами (со 0). Величина 0 и набор частот сО , зависящие от того, на каком элементе имеется преобладающий де( №кт, определены в п. 7.3.1. Поэтому для каждой частоты со,- можно найти комбинационную частоту [c.149]

Если составляющие спектра с комбинационными частотами отсутствуют, то это указывает нэ отсутствие преобладающих дефектов. [c.149]

Теория комбинационного рассеяния света изолированным точечным дефектом в неидеальном кристалле может быть развита, как и для идеальных кристаллов, с использованием различных подходов, включая методы теории многих тел (функции отклика), обычную теорию возмущений и т.д. Мы ограничимся, однако, лишь несколькими замечаниями относительно тех аспектов комбинационного рассеяния, которые связаны со свойствами симметрии. [c.245]

Напомним, что, согласно теории поляризуемости (обобщенной теории Плачека), изложенной в 3, мы можем определить оператор поляризуемости системы, взаимодействующей с электромагнитным полем. В частности, весь вывод выражения (3.45) можно проделать так же, как для чистого кристалла, за исключением тех результатов, которые определяются трансляционной симметрией и приводят к зависимости оператора поляризуемости P(R) от волнового вектора. Однако использованное при выводе (3.45) адиабатическое приближение и связанные с ним предположения разумно перенести на случай возмущенной системы. Это означает, что основная структура теории, изложенной в 3, сохраняется и для кристалла с дефектами, так что комбинационное рассеяние света на фононах мы можем описывать в рамках теории, в которой оператор P R) разлагается в ряд Тейлора по нормальным координатам и подставляется в (3.45), причем последовательные члены ряда описывают 1-, 2-. .. фононные процессы. [c.245]

До сих пор полностью проанализированы только два случая синглетных линейно-линейных переходов группа полос около 4050 А молекулы Сз (Госсе, Герцберг, Лагерквист и Розен [411 ]) и система полос С2Н2 около 1240 А (Герцберг [524]). Оба случая относятся к электронным переходам Ш — 2. На рис. 72 приведена спектрограмма полосы 0 — 0 молекулы С3. Ясно видны три ветви (Р, Q ж В). Из того факта, что Р-ветвь явно не является продолжением 7 -ветви, можно заключить, что в спектре отсутствуют чередующиеся линии ). Между Р-, В- и ( -ветвями имеется комбинационный дефект, что говорит о небольшом удвоении А-типа в состоянии П ( = = 0,0004 см ). Примеры электронно-колебательных переходов А — Ш так- [c.185]

Комбинационный дефект, определяемый уравнениями (11,53) и (11,54), считается положительным, если верхние уровни -линий являются пижншми компонентами дублетов Г-типа, а верхние уровни Р- и ii-линий — верхними компонентами. Знак комбинационного дефекта дает важную информацию [c.196]

А). На фиг. 83 приводится тонкая структура одной из главных полос с ясно выраженным чередованием интенсивности. И в этом случае большой комбинационный дефект указывает на то, что молекула изогнута в возбужденном состоянии, а знак этого дефекта совершенно определенно говорит, что момент перехода перпендикулярен плоскости молекулы, т. е. что верхнее состояние относится к типу 4 точечной группы С2н или к типу точечной группы Сги- Хотя из структуры этой полосы (фиг. 83) и нельзя заключить, какой из этих двух вариантов верен, изучение чередования интенсивности в горячих полосах с К = О позволяет решить этот вопрос. Было установлено, что в случае К = О линии с нечетными значениями / интенсивны, как и ( -линии при К = 1. Следовательно, верхнее состояние должно быть тина Аи точечной группы С211, а не точечной группы Г гв- Иными словами, молекула СаН в возбужденном состоянии обладает зигзагообразной (транс) конфигурацией. [c.200]

Из комбинационных разностей AfF J,K) легко установить знак комбинационного дефекта, т. е. определить, связаны ли ( -линии подполос 1—0 и О—1 с переходами на нижние или верхние компоненты системы вращательных уровней с К = I ж аналогично равно ли расщепление ( -линий ноднолос [c.257]

НСО. В спектре радикала НСО наблюдались две системы полос расположенные в близком ультрафиолете полосы углеводородного пламени, найденные впервые Вай-диа [1233], и красные полосы, впервые наблюдавшиеся Рамсеем [1040]. Несмотря на значительные усилия, предпринятые многими авторами, полосы углеводородного пламени до сих пор полностью не проанализированы (см., например, работу Хорнбека и Германа [567] и одну из последних работ Вайдиа [1235]), в то время как для красных полос выполнен детальный анализ (Герцберг и Рамсей [538], Джонс, Приддл и Рамсей [638]). Как видно из фиг. 92, каждая из полос красной системы состоит из простых Р-, Q- и Д-ветвей. Заметный комбинационный дефект, который значительно больше в D O, чем в НСО (см. стр. 213), показывает, что НСО имеет сильно изогнутую форму в нижнем состоянии и линейную в верхнем состоянии рассматриваемого перехода. Предполагая, что расстояние С — Н равно 1,08 + 0,01 А, можно найти для геометрических параметров НСО в основном электронном состоянии следующие значения угол Н — С — О равен 119,5° и расстояние С — О равно 1,20А. [c.506]

Средства контроля и диагностирования цепей управления, алектрические цепи управления представляют собой комбинационные дискретные устройства. В теории дискретных устройств разработаны методы проверки их исправности, работоспособности и поиска дефектов. Релейно-контактные структуры приводятся к логическим сетям, на которых с использованием аппарата булевых функций, алгоритмов и методов построения проверяющих и диагностических тестов решаются задачи анализа, контроля и диагностики. [c.242]

Как правило, при комбинационной группиров-к е выявленных сочетаний дефектов по эталонным маршрутам использование всего набора классификационных признаков не требуется. В каждом конкретном случае в зависимости от сложности и размеров детали, класса, к которому она относится, а также условий ее функционирования в механизме одни и те же признаки имеют различную информационную ценность. [c.226]

Второй том посвящен теории колебаний кристаллической решетки и ее оптическим свойствам — инфракрасному поглощению и комбинационному рассеянию. С позиций теории симметрии проанализирован вопрос о критических точках функции распределения частот, определяющих особенности оптических спектров. Специальное внимание уделено анализу симметрии по отношению к обращению времени. Обсуждаются свойства симметрии ангармонических силовых постоянных, дипольных моментов и поляризуемостей высших порядков. Центральное место в этом разделе занимает обсуждение поляризационных эффектов в рассеянии света. Во втором томе рассматривается также применение всех результатов к кристаллам со структурой каменной соли и алмаза, представляющим собой важные примеры симморфной и несимморфной пространственных групп. Завершается книга кратким анализом роли эффектов, обусловленных нарушением симметрии, дефектами или внешними полями. [c.6]

В 30—35 мы рассмотрим простейший случай изолированного точечного дефекта замещения, расположенного в узле идеальной решетки. При этом предполагается, что единственной характеристикой дефекта является его масса, отличаюихаяся от массы замещенного атома. В 30 определяется группа симметрии системы с дефектом — она представляет собой точечную группу узла, введенную в т. 1, 60. В 31, 32 устанавливается корреляция между фононами идеального кристалла и зонными колебаниями кристалла с дефектом вводятся также локальные колебания. В 33 кратко излагается динамическая теория решетки, содержащей изотопический дефект, и указывается, каким образом симметрия позволяет упростить (факторизовать) динамическую матрицу, подобно случаю идеального кристалла. В 34, 35 рассмотрены элементы теории инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния, причем основное внимание опять обращено на связь правил отбора с симметрией. Наконец, в 36 обсуждается вопрос о нарушении симметрии внешними агентами, например обобщенными напряжениями. Наибольший интерес, пожалуй, представляет та возможность, которую нарушение симметрии (дефекты и внешние напряжения) открывает для наблюдения процессов, обычно запрещенных в идеальном кристалле таким образом, нарушенная симметрия может быть мощным средством получения информации об идеальном кристалле. [c.224]

Количественная теория комбинационного рассеяния на изолированном изотопическом дефекте в кристаллах типа алмаза развита Нгуен Ксуан Ксыном ). В случае щелочногалоидных кристаллов (со структурой Na l) приближение изотопической примеси может оказаться нереалистическим, поскольку весьма распространенным типом дефектов в этих структурах являются молекулярные примеси (например, КС1—ОН, КС1—NO2 и т. д.) и их анализ требует изучения молекулы в кристалле. Тем, кто заинтересован в дальнейшем изучении этих вопросов, мы рекомендуем сборники трудов [126—130]. Микроскопическая теория комбинационного рассеяния в примесном кристалле, являющаяся обобщением экситонной теории, изложенной в 6, д. [c.246]

Весьма важной проблемой является вопрос о прочности веществ, подвергающихся действию предельно больших световых полей. Имеется много указаний на то, что это не столько оптическая проблема, сколько проблема, связанная с тепловыделением. При достаточно высокой интенсивности возникают некоторые нелинейные диссипативные процессы. Таковыми могут являться комбинационное рассеяние или рассеяние Мандельштама— Бриллюэна, вызывающее выделеине колебательной энергии, или же это может быть многофотонное поглощение. В кристалле выделение тепла может легко начаться в области дефекта решетки или примеси. Эта энергия выделяется в объеме причудливой формы, обусловленной распределением интенсивности в фокусе, за очень короткий промежуток времени. В результате все сводится к проблеме гидродинамической ударной волны. [c.261]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...