Рассеяние комптоновское

В гл. 4 указывалось, что эффективные сечения для всех процессов рассеяния (комптоновского, комбинационного, рэлеевского) ненамного превосходят величину сечения для томсоновского рассеяния [c.398]

КОМПТОНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА [c.347]

Остановимся на трех важнейших процессах, возникающих при прохождении 7-фотонов через вещество, а именно на фотоэффекте на комптоновском рассеянии у-фотонов и на рождении пары легких частиц (электрон—позитрон) в поле атомного ядра. Помимо этих процессов, 7-фотоны высокой энергии могут вызывать и ряд других явлений ядерный фотоэффект, деление ядер, рассеяние и резонансное рассеяние на ядрах, образование пар в поле электронов и в поле излучения и др. [c.31]

Комптоновское рассеяние 7-фотонов. При прохождении через вещество у-фотон (фотон рентгеновского излучения) может вступить [c.33]

Комптоновское рассеяние не может быть объяснено в рамках классических волновых представлений об излучении, и оно явилось одним из важнейших подтверждений положения о квантовой природе излучения. Пусть падающий фотон с энергией hvg и импульсом —> [c.34]

В, курсах атомной физики и квантовой механики излагается теория комптоновского рассеяния, которую мы не будем здесь воспроизводить, а ограничимся лишь основными соотношениями и их истолкованием. Закон сохранения энергии и закон сохранения импульса для упругого соударения фотона с электроном запишутся [c.34]

Наблюдаемое изменение длины волны при комптоновском рассеянии [c.35]

Итак, прохождение у-фотонов через вещество сопровождается появлением вторичных заряженных частиц — электронов, выбиваемых при фотоэффекте и комптоновском рассеянии тяжелых заряженных частиц — протонов, вырываемых при ядерном фотоэффекте, и электронно-позитронных пар. [c.37]

Для малых энергий сечение комптоновского рассеяния линейно убывает с ростом энергии. [c.249]

Здесь V.— постоянная, получившая впоследствии название комптоновской длины волны, она равна 2,4-10-12 м. Из (3.3.1) следует смещение не зависит ни от длины волны падающего излучения, ни от свойств материала, на котором происходит рассеяние. [c.74]

В заключение этого пункта отметим, что комптоновское рассеяние на ядрах пренебрежимо мало из-за того, что у ядер очень мал их классический электромагнитный радиус . [c.451]

Таким образом, поглощение излучения в материале, как видно из выражения (5-9), зависит от природы материала и качества самого излучения. Рассеяние энергии излучения происходит в основном из-за ионизации (внутренний фотоэффект), возбуждения атомов, комптоновского эффекта, а при очень больших энергиях — из-за ядерных преобразований. Часть энергии расходуется на выбивание атомов или ионов в междоузлия, причем в решетке появляются вакансии и дефектные центры (см. рис. В-6). [c.86]

Гамма-лучи (и рентгеновские лучи) передают свою энергию через фотоэффект, комптон-эффект и процесс образования пар. При взаимодействии Y-квантов с энергией 0,1—10 Мэе с материалами, состоящими из элементов с низкими атомными номерами (углерод, водород), преобладает комптон-эффект. При комптоновском рассеянии у-квант, взаимодействуя с электронами, передает им часть своей энергии. Образовавшийся свободный электрон обладает значительной кинетической энергией, которую он расходует на последующую ионизацию вещества. [c.11]

Различают пять типов взаимодействия фотонного излучения с веществом рассеяние фотонов на ядрах (упругое и неупругое), фотоэлектрический эффект, комптоновское рассеяние, образование пар и атомное или молекулярное возбуждение. [c.337]

Комптоновское рассеяние (эффект -Комптона) характеризуется сохранением энергии и момента количества движения при столкновении фотона с электроном атомной оболочки. Энергия и момент количества движения фотона выражаются через длину волны фотонного излучения следующим образом [c.337]

Взаимодействие фотонного излучения с веществом, протекающее по типу фотоэлектрического эффекта, комптоновского рассеяния или образования пар, зависит от энергии фотонов, Характер этой зависимости для трех указанных процессов взаимодействия фотонов с мягкой тканью иллюстрируется на рис. 14.8. Для других веществ коэффициент ослабления обычно имеет более высокие значения в обла- [c.338]

На рис. 2 показан добычной комбайн в лаве. В задачу автоматического регулирования комбайна входит обеспечение выемки угля таким образом, чтобы режущий орган непрерывно следовал за гипсометрией пласта в пределах мощности пласта. Для этой цели также может быть использован эффект обратного комптоновского рассеяния 7-лучей. Если режущий орган комбайна отклонится от границы раздела между углем и породой, то ослабление интенсивности рассеянных 7-лучей вызовет срабатывание 7-реле и воздействие его на механизм управления, возвращающий комбайн в заданное положение. [c.151]

Радиоактивность 77 Размагничивание 186 Разрешающая способность преобразователей 121, 137 Рассеяние комптоновское 81 Рейнольдса число 229 Рентген (единица измерения) 80 Рентгеновидикон 123 [c.331]

Рассеяние Р. и. в области больших Ъ Х происходит в осн. без изменения Я (когерентное рассеяние), а в области малых Ъ и Я, как правило, % возрастает — происходит некогерентное рассеяние (комптоновское или комбинационное). При комптоновском рассеянии, носящем хар-р неупругого корпускулярного рассеяния, за счёт частично потерянной фотоном энергии из оболочки атома вылетает эл-н отдачи (см. Комптона эффект). При этом уменьшается энергия фотона и изменяется его направление изменение % зависит от угла рассеяния. При комбинац. рассеянии рентг. фотона высокой энергии на лёгком атоме небольшая часть его энергии затрачивается на ионизацию атома и меняется направление движения фотона. Изменение % таких фотонов не зависит от угла рассеяния. [c.645]

Выражения для компонент /нат.ал, /а.).маг И /уг ,, рассчитэн-ные при сделанных выще ограничениях, записаны в табл. 12.3. Здесь Z — порядковый номер материала защиты Пц — число атомов в единице объема (б )—дифференциальное сечение комптоновского рассеяния энергии на один электрон у — коэффициент истинного поглощения энергии для квантов источника в материале защиты. [c.160]

Кокрофта—Уолтона реакция 263 Комплексный потенциал 198 Комптоновская длина волны 35, 367 Комптононское рассеяние 33—35 Конверсия внутренняя 258 Космические лучи 73 Коэффициент упаковки 93 [c.393]

Комптоновское излучение — электронное излучение, возникающее при комптоновском (некогерент-ном) рассеянии фотонного излучения. [c.242]

Величина Л называется комптоновской длиной волны электрона. Как мы увидим, этой величиной определяются размеры области, в которой протекают многие (но не все) квантовоэлектродинамические процессы. Из (7.84) ясно видно, что при комнтоновском рассеянии увеличивается длина волны, т. е. уменьшается частота v-кванта. Это уменьшение частоты, очевидное с точки зрения корпускулярной картины (уменьшение энергии фотона за счет передачи части энергии электрону), не поддается объяснению в классической электродинамике, где частота света при рассеянии не меняется. Соотношение (7.84) в свое время было подвергнуто тш,ательной экспериментальной проверке, которую оно с честью выдержало. [c.335]

Реакцию рассеяния фотона на электроне при услэвии h Жо называют комптоновским рассеянием. [c.146]

Если энергия фотона много больше энергии связи злек-трона в атоме, то теория комптоновского рассеяния может быть применима и для расчета эффективного сечения реакций рассеяния фотонов на атомах. [c.146]

Рассеяние энергии излучения происходит в основном за счет ионизации и возбуждения атомов, комптоновского эффекта и при очень больших энергиях — за счет ядерных преобразований. Часть энергии расходуется на выбивание атомов или ионов в междуузлия решетки. При облучении быстрыми нейтронами имеет место значительное нару-июние структуры. [c.45]

Метод двух (трех) энергий непосредственно базируется на современной теории и аналитическом описании взаимодействия рентгеновского излучения с веществом в диапазоне энергий. При контроле в области до 1,022 МэВ (метод двух энергий) отдельно учитывается вклад фотоэлектрического поглощения и комптоновского рассеяния. В области более высоких энергий (метод трех энергий) дополнительно учитывается эффект образования пар электрон-позитрон. Для того чтобы дополнительной вычислительной обработкой выделить вклад каждого вида взаимодействия и в конечном счете сформировать независимые наборы проекций для отдельной реконструкции томограмм распределения электронной плотности и распределения эффективного атомного номера, необходимо каждую оценку проекции Рн ( > Ф Е) проводить при двух (трех) неперекрывающихся спектрах энергий фотонов. [c.424]

Изучив различные процессы, одновременно протекающие при облучении селеновых и меднозакисных кристаллов, можно выявить некоторые механизмы нарушений. К таким процессам относятся ядерные превращения, искажения кристаллической решетки и отжиг. Ядерные превращения вызываются захватом тепловых нейтронов, а последующий радиоактивный распад приводит к образованию химических примесей в кристаллической решетке. Разупо-рядочение кристаллической решетки является результатом упругого рассеяния нейтронов, обладающих высокой энергией. При температурах выше 130° К существенную роль начинает играть процесс отжига. Кроме того, комптоновское рассеяние у-квантов приводит к образованию электронов с высокой энергией, которые в свою очередь могут вызвать разунорядочение кристаллической решетки при упругом рассеянии. В одном или более барьерах могут наблюдаться фотоэлектрические эффекты, причем фотонапряжения оказывают во многих случаях влияние на работу электронных схем, даже если после облучения необратимые изменения отсутствуют. [c.358]

Дозовый фактор накопления В характеризует степень рассеяния тормозного и Y-излучений в контролируемом изделии,, при этом вторичные электроны и кванты, образованные в процессе фотоэлектрического взаимодействия (фотоэффекта) и комптоновского рассеяния, в значительной степени отклоняются от направления первичного пучка излучения, что существенно ухудшает вы-являемость дефектов. [c.9]

При этом рассеянное излучение и импульсы шумов ФЭУ на каскады дальнейшей обработки сигнала не поступают, так как вносят вклад только в комптоновскую часть спектра. При этом не регистрируются у-кванты прямого пучка, потерявшие в сцинтилляционном кристалле часть своей энергии. Для частичной компенсации этих уквантов приходится увеличивать активность источника излучения, что нежелательно. [c.146]

Комптоновская длина волны. При рассеянии рентгеновских лучей на евободньк электронах происходит изменение длины волны, обусловленное обменом энергией и импульсом между фотоном и электроном. Эю изменение определяется формулой [c.348]

Физика дифракции (1979) -- [ c.84 , c.85 , c.97 , c.117 , c.269 , c.270 , c.281 , c.378 ]

Физическая теория газовой динамики (1968) -- [ c.138 , c.164 , c.368 ]

Неразрушающие методы контроля сварных соединений (1976) -- [ c.81 ]

Статистическая механика Курс лекций (1975) -- [ c.222 , c.224 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...