Физические свойства кристаллов

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ [3,51 [c.41]

Матричное описание физических свойств кристаллов [c.43]

Для выявления энергетических характеристик и анализа многих физических свойств кристаллов целесообразно иметь информацию о распределении энергетических состояний не в к-прост-ранстве, а в шкале энергий. Так, например, электронная теплоемкость и электропроводность обусловливаются в определенной мере количеством фермиевских электронов и т. д. В связи с этим большой интерес представляет функция, характеризующая число электронных состояний, приходящихся на заданный интервал энергии. [c.85]

Эти соображения привели к необходимости рассмотреть колебания атомов в кристаллической решетке и оценить их роль в формировании физических свойств кристаллов. [c.208]

Можно указать на несколько факторов, вызывающих появление подобных дефектов. К ним относятся в первую очередь кинетические факторы, связанные с тем, что кристалл не успевает стать идеальным в процессе кристаллизации и последующей обработки. Далее следует указать, что при не слишком низких температурах из-за конкуренции энергетического и энтропийного факторов присутствие в кристалле некоторого количества дефектных мест будет отвечать термодинамическому равновесию. Наконец, уже созданные идеальные кристаллы могут оказаться испорченными под влиянием факторов (механической обработки, действия радиации), нарушающих строгую периодичность расположения атомов. По этим причинам реальные кристаллы имеют дефекты, и физические свойства кристалла формируются под совместным действием строгой периодичности и отступлений от нее. Можно привести немало примеров, свидетельствующих о важности учета вклада дефектов в формирование свойств материалов. Так, без учета этого вклада оказалось невозможным построение теории прочности и пластичности материалов, поскольку эти характеристики определяются степенью сопротивления тела действию сил, смещающих разные части тела относительно друг друга. Под действием радиации (мощные световые потоки, пучки электронов, нейтронов, заряженных ядер и т. д.). отдельные атомы или группы атомов оказываются выбитыми из своих правильных положений, и поэтому структура и свойства облученных материалов необъяснимы без оценки роли дефектов и т. д. В связи с этим важной составной частью физики твердого [c.228]

Появление дефекта упаковки приводит к нарушению периодичности поля кристаллической решетки, и поэтому дефекты упаковки вызывают дополнительное рассеяние электронов и фононов. Результатом этих процессов является изменение физических свойств кристаллов, связанных с переносом электронов или фононов. [c.236]

Действие ядерных излучений на вещество в общих чертах состоит из следующих процессов. Во-первых, налетающие частицы, сталкиваясь с электронами, выбивают их, производя в веществе ионизацию (иногда возбуждение) атомов. Во-вторых, налетающие частицы достаточно высоких энергий при неупругом ядерном столкновении с ядрами могут частично разрушать ядра, например, выбивая из них протоны и нейтроны, ведет к появлению в веществе новых изотопов, в том числе новых элементов. Эти новые изотопы часто оказываются радиоактивными. В результате в веществе возникает наведенная активность. В-третьих, при выбивании электронов во многих веществах, особенно органических, могут разрушаться или, наоборот, возникать различные химические связи, что приводит к изменению химической структуры вещества. В-четвертых, при упругих столкновениях налетающих частиц с ядрами атомы вещества выбиваются из своих положений в кристаллической решетке в другие узлы или в междоузлия. В результате в решетке образуются разного рода дефекты, влияющие на различные физические свойства кристаллов. [c.456]

Рассмотрим несколько примеров, иллюстрирующих способы определения параметров порядка для описания различных физических свойств кристалла. [c.87]

Универсальность связи между критической точкой и физическими свойствами кристаллов обусловлена возникновением сингулярности в свободной энергии, сопровождающейся скачкообразным изменением параметра порядка. В случае стеклования параметром порядка является вязкость жидкости Г]. Изменение параметра порядка при переходе через [c.290]

Свойства симметрии кристаллов приводят к появлению эквивалентных направлений, неразличимых в отношении тех или иных физических свойств. Связь между симметрией кристалла и симметрией его физических свойств устанавливает фундаментальный принцип Неймана элементы симметрии любого физического свойства кристалла должны включить элементы симметрии точечной группы симметрии кристалла. [c.29]

Реальные кристаллы. Реальные кристаллы значительно сложнее рассмотренных выше моделей. Кристаллическая решетка реальных веществ имеет многочисленные дефекты. Одним из источников искажения решетки являются тепловые колебания атомов (ионов), определяющие тепловую энергию кристалла. Другой причиной искажения решетки является наличие посторонних атомов либо в виде загрязнений, либо в виде легирующих элементов. Если размеры атомов основы и примесей отличаются друг от друга, то они будут вызывать местные искажения решетки, которые повлекут изменения физических свойств кристаллов. [c.13]

Первая подгруппа — твердые органические соединения. Их насыщенные водные растворы могут проявлять весьма высокую агрессивность по отношению к бетону, которая определяется такими факторами, как способность вещества к повышению растворимости в воде с увеличением температуры, проникающая способность растворов и физические свойства кристаллов, заполняющих поровое пространство цементного камня в условиях капиллярного подсоса или - при циклическом насыщении и высушивании. [c.126]

Пусть кристалл имеет вид параллелепипеда со сторонами Ьь Ьг, Ьз и объемом Р = П1Ь2Ьз. Предположим, что все пространство заполнено подобными кристаллами. В таком случае трансляционное 1свой ст1во поля кристалла сохраняется. Так как все точки, отличающиеся на целое число Ть Тг, Тз,. эквивалентны, то граничные условия (в обычном смысле) заменяются условием эквивалентности физических свойств кристалла в точках х, х-(-Т и аналогичных точках. Поэтому циклические граничные условия вводятся в виде [c.75]

СИММЕТРИЙНОЕ И ТЕНЗОРНОЕ ОПИСАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ [c.34]

Вустер У. Применение тензоров и теории групп для описания физических свойств кристаллов. М. Мир, 1977. [c.45]

Расчет энергии связи в кристаллах — безусловно, квантово-механическая задача. Тем не менее установлено, что для некоторых типов твердых тел в достаточно хорошем приближении энергия связи может быть определена и на основе классического рассмотрения. К таким относятся кристаллы, распределение зарядов в которых может быть представлено в виде совокупности периодически расположенных точечных зарядов (ионов) или диполей. Возникающие в этих случаях типы связи называют соответственно ионной или ван-дер-ваальсовой (иногда — дипольной). В то же время сведение квантовомеханической задачи к классической оказалось невозможным в случае, когда плотность электронов в межионном пространстве достаточно велика, и электроны нельзя рассматривать как включенные в точечные (или почти точечные) ионы. Методы определения характеристик связи и физических свойств кристаллов с таким распределением электронов основываются непосредственно на квантовой теории (включая квантовую статистику). Анализ показал, что основными типами связи в этих случаях являются металлическая, характеризующаяся в первую очередь отсутствием направленности, и ковалентная, важным признаком которой является направленность. Помимо этого в последние годы выделяют в особый YHn водородную связь, имеющую важное значение при рассмотрении биологических соет динений. [c.20]

Дислокации и физические свойства кристаллов. Д, влияют в первую очередь на механич. свойства твёрдых тел (упругость, пластичность и прочность), для к рых их присутствие часто является определяютцим. Упругие поля Д. изменяют оптич. свойства кристаллок, на чём основан метод наблюдения изолированных Д. в прозрачных материалах (рис.. 3). Т. к. упругие нанри-жения сравнительно легко вовлекают Д. в движение, то в случае интенсивных тепловых колебаний кристалла (см. Колебания кристаллической решётки) Д. периодически смещаются из своих равновесных положений и часть энергии колебаний идёт на их перемещение. Но т. к. движение Д. сопровождается опредол. торможением, то Д. рассеивают колебат. энергию, давая ощутимый вклад во внутреннее трение в твердых телах. [c.638]

Иных возможностей фазовых превращений металла в диэлектрик из одио-электронной теории не следует. Поэтому приведенные на рис. 4.11 экспериментальные характеристики по резкому изменению проводимости различных веществ выходят за пределы предсказаний этой широко распространенной теории. Дело в том, что приближение блоховоких волновых функций, принятое одноэлектрои-ной теорией, основано на особенностях строения волновых функций s- и р-элек-тронов, орбитали которых имеют большую пространственную протяженность и значительное взаимное перекрытие. На рис, 4,11,а,г—е приводились, однако, примеры других соединений (с f- и d-электронами), волновые функции которых локализованы вблизи соответствующих ядер. Прежде чем перечислить различные теоретические интерпретации ФП типа диэлектрик — металл, целесообразно привести более полно, чем иа рис. 4.11, данные об изменении совокупности физических свойств кристаллов в окрестности такого перехода. [c.115]

Смотреть страницы где упоминается термин Физические свойства кристаллов : [c.684] [c.247] [c.500] [c.258] [c.486] [c.10] [c.33] [c.101] [c.76] [c.284] [c.278] [c.427] [c.376] [c.45] [c.254] [c.211] [c.290] [c.243] [c.189] [c.386] [c.467] [c.26] [c.254] [c.591] [c.189] [c.277]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...