Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Л полупроводниковый

Коэффициент умножения в Л полупроводниковых гетероструктурах в настоящее вре.мя ограничивается токами утечки и возникновением микроплазмы.  [c.346]

Температурная зависимость удельного сопротивления полупроводника, в который добавлено небольшое количество примеси, показана на рис. 5.7 [12]. На практике в полупроводнике всегда присутствуют как донорные, так и акцепторные примеси, и разработчик полупроводниковых термометров сопротивления может лишь выбирать соотношение между теми и другими. Для описания процессов проводимости рассмотрим германий, содержащий донорные атомы мышьяка в концентрации N(1 и какие-либо акцепторные атомы в концентрации Л а-На рис. 5.7 можно выделить четыре температурных диапазона, в каждом из которых преобладает какой-либо один механизм проводимости". В высокотемпературном диапазоне [I] проводимость обусловлена главным образом электронами, термически возбужденными из валентной зоны в зону проводимости согласно уравнению (5.8), поскольку все примесные атомы давно уже ионизованы. Это область собственной проводимости для германия она начинается чуть выше 400 К. Этот диапазон не представляет особого интереса для германиевых термометров сопротивления.  [c.198]


Параметрон — двоичный элемент, состояние которого определяется фазой выходного напряжения, которое может иметь одну из двух жестко фиксированных фаз, отличающихся одна от другой на 180° широко распространены параметроны на ферритовых сердечниках, разрабатываются на магнитных пленках и на полупроводниковых диодах с управляемой емкостью р—л перехода применяются в качестве логического элемента [6].  [c.150]

Полупроводниковый элемент имеет следующее устройство. В плоском кристалле кремния или другого полупроводника с дырочной проводимостью создается тонкий слой полупроводника с электронной проводимостью. На границе раздела этих слоев возникает р—л-переход. При освещении полупроводникового кристалла в результате поглощения света происходит изменение распределения электронов и дырок по энергиям. Этот процесс называет-  [c.304]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ 22.3.1. Соединения типа Л Б —  [c.469]

Таблица 22.6. Полупроводниковые соединения Л[293] Таблица 22.6. Полупроводниковые соединения Л[293]
Полупроводниковые соединения 111 и VI групп обладают стехиометрическим составом двух типов Л ЧД и и имеют много кристаллических модификаций.  [c.500]

Таблица 22.25. Полупроводниковые соединения Л Таблица 22.25. Полупроводниковые соединения Л
Правила безопасности при производстве полупроводниковых материалов (германия и кремния). — М. Металлургия, 1989 (I кв.). — 3 л. — 15 к. 2601000000  [c.7]

Соединения Л" и В и другие полупроводниковые материалы.  [c.263]

С появлением оксидных пленок на поверхности металлов степень черноты резко увеличивается и может принимать значения 0,5 и выше [Л. 134, 139]. Сплавы металлов имеют более высокую степень черноты. Степень черноты полупроводниковых материалов при 100°С более 0,8. Тугоплавкие соединения (карбиды, бориды, силициды) имеют степень черноты порядка 0,5 и выше. Коэффициенты излучения диэлектриков выше, чем чистых металлов, и обычно уменьшаются с увеличением температуры.  [c.385]


Пр — предохранитель П1, Пг — пакетные переключатели Из — переключатель напряжения переменного тока Я4 — выключатель постоянного тока Тр — трансформатор Л — сигнальная лампа 1,2 — клеммы для подключения переносного амперметра В — полупроводниковый выпрямитель.  [c.120]

Метод вытягивания (тянутые р—л-переходы). Сущность метода состоит в том, что при вытягивании монокристалла из расплава (при изготовлении полупроводникового монокристалла) в него вводят сначала примесь, сообщающую ему п-, а затем р-проводимость. Между двумя такими частями монокристалла образуется р— -переход.  [c.218]

Для исследования возможностей метода оптической ИК интроскопии и для испытания прибора, реализующего этот метод, была проведена серия исследований на различных тест-объектах, а также на образцах полупроводниковых материалов германия п- и р-типа электропроводности, электронного и дырочного кремния, фосфида галлия, как нелегированного так и легированного Те, S, Mg, Be, и арсенида галлия, легированного Те до Л д = 5--ь  [c.184]

При построении зависимости у от А/Лю удобнее задаваться значениями Ыз и у, а затем, вычисляя P h)U, y), находить А,До. Одна из кривых, полученная по формуле (2.3.44) при Ыз=1, приведена на рис. 2.17, откуда видно, в частности, что десятикратному уменьшению л эквивалентно введение резерва времени порядка З в. Столь значительное снижение интенсивности отказов требует серьезных технических мероприятий и может быть связано с существенной перестройкой технологии изготовления элементов системы и даже с созданием совершенно новой технологической базы, как это имело место, например, в вычислительной технике при переходе от ламповых элементов к полупроводниковым.  [c.48]

Результаты экспериментов, проведенных В. А. Нае-ром, подтверждают практическую возможность использования полупроводниковой стенки в качестве вариатора тепловых потоков [Л. 56].  [c.174]

Широкое внедрение термоэлектрического охлаждения будет зависеть от дальнейшего прогресса в создании совершенных полупроводниковых материалов, а также от серийного производства эффективных в экономическом отношении термобатарей. Не останавливаясь подробно на последнем обстоятельстве, укажем только, что рационализация конструкции термобатарей и, в частности, применение рассредоточенных полупроводниковых элементов в них, как показали опытные исследования В. А. Семенюка и М. Н. Томашевич, делает возможным сократить в несколько раз расход полупроводникового материала и, следовательно, существенно удешевить их производство [Л. 59].  [c.174]

К), работающие без охлаждения, при собственном Тг = 5—50 Ом и.меют чувствительность .5—10 В/Вт, пороговый поток —10 -10 Вт/Гц и постоянную времени 2-10 с. Полупроводниковые Б. применяют как без охлаждения (P 4,2 % на 1 К), так и при глубоком охлаждении до 1,5-—4 К их типичные параметры собственное Л=1 —10 МОм, чувствительность 50— 5000 В/Вт, пороговый поток порядка 10 Ч — 10 Вт/Гц , постоянная времени 0,1—5 мс. Поро-  [c.222]

Рис. 3. Зависимость шумовых параметров МШУ и диодных смесителей от частоты [41 1 — лампа бегущей волны 2 — усилитель на туннельном диоде 3 — усилитель на биполярном транзисторе 4 УПТШ Л — полупроводниковый ПУ 6 — УПТШ, охлаждаемый до 20 К 7 — полупроводниковый ПУ, охлаждаемый до 20 К а — квантовый парамагнитный усилитель, охлаждаемый до 4 К. Рис. 3. Зависимость шумовых параметров МШУ и <a href="/info/371790">диодных смесителей</a> от частоты [41 1 — лампа бегущей волны 2 — усилитель на <a href="/info/3828">туннельном диоде</a> 3 — усилитель на <a href="/info/371811">биполярном транзисторе</a> 4 УПТШ Л — полупроводниковый ПУ 6 — УПТШ, охлаждаемый до 20 К 7 — полупроводниковый ПУ, охлаждаемый до 20 К а — квантовый парамагнитный усилитель, охлаждаемый до 4 К.
Развитие полупроводниковых лазеров сделало Tiep neK-тивным использование их для накачки Т. л. Полупроводниковые лазеры (ПЛ) на основе монокристаллов арсенида галлия путём изменения состава позволяют получать генерацию в области 0,75 -н 1 мкм, что даёт возможность эффективно возбуждать генерацию на ионах Nd , TnT , Но , и Yb [5]. Накачка излучением ПЛ является близкой к резонансной, что в значит, степени снимает проблему наведённых термич. искажений в АЭ и позволяет относительно легко достигать предельно высокой направт jrenHo TH лазерного пучка. Получена непрерывная генерация на ионах Но (> г 2,) мкм), Тт (Х, 2,3 мкм), Ег (Я, 2.9 мкм), а также на разл. переходах ионов Порог генера1ши по мощности накачки в нек-рых случаях составляет единицы милливатт. Так, напр., порог генерации на ионах Но " в кристалле ИАГ—Тш —Но равен 4 МВт, а порог генерации на осн. переходе ионов N d в стекле не превышает 2 мВт. На целом ряде кристаллов с неодимом получена генерация второй гармоники. На осн. переходе неодима реализованы режимы модуляции добротности и синхронизации мод. Общий кпд неодимового непрерывного лазера с накачкой излучением ПЛ на длине волны генерации 1,06 мкм достигает 20%,  [c.50]


Физика твердого тела представляет собой один из важнейших разделов современной науки. Благодаря успехам физики твердого тела стали возможны огромные достижения квантовой электрони ки, полупроводниковой техники, достижения в области создания материалов с уникальными физическими свойствами, определяющие в значительной степени важнейшие направления научно-технического прогресса. Неудивительно поэтому, что примерно половина всех физиков мира — исследователей и инженеров — занимаются теми или иными вопросами физики твердого тела. Большой вклад в развитие физики твердого тела внесли советские ученые Я. И. Френкель, Л. Д. Ландау, Б. Л. Гинзбург, А. В. Шубников, Н. В. Белов, Н. Н. Боголюбов и многие другие.  [c.8]

Принципиальная электрическая схема прибора приведена на рис. 59. Прибор состоит из следующих узлов блока питания, состоящего из трансформатора Гр выпрямителя, собранного на лампе Лз (5Ц4С) дросселя Др выпрямителя В, собранного на полупроводниковых диодах ДГ-Ц1 стабилизатора анодного напряжения с использованием стабилитронов Л и Л (СГ-ЗС) генератора  [c.70]

Принципиальная электрическая схема прибора приведена на рис. 75. Прибор состоит из блока питания с электронной стабилизацией, генераторного блока, измерительного блока с датчиком, блока усиления я индикаторного блока. Блок питания включает в себя трансформатор Тр, полупроводниковый мостовой выпрямитель ВС с электронной стабилизацией на лампах Л , а Jig и барретор Л, для питания ламп генератора и усилителя. Стабилизированное анодное напряжение равно 250 в, напряжение накала 6,3 в.  [c.84]

Использование когерентного излучателя в осветителе интро-скопа позволило осуществить контроль равнотолщинности плоскопараллельных пластин из оптических материалов, непрозрачных в видимой и ближней ИК области спектра. К такого рода материалам относится обширный класс полупроводниковых соединений с небольшой шириной запрещенной зоны, в частности германий, широко применяемый для изготовления оптических элементов мощных ИК лазеров. Так как плоскостность оптических поверхностей выполняется и контролируется с высокой точностью, то предлагаемый способ может быть использован для контроля клиновидности плоскопаралл л )НЬ1Х пластин. Измерение клино-  [c.187]

Рис. 2.23. Устройство экспериментальной з. э. л. т. 1 — острийный автокатод со стороны записи 2 — сетчатая подложка мишени с сигнальной пластиной 3 — накопительный и полупроводниковый слои мишени 4 — коллектор вторичных электронов 5 — считывающий электронный прожектор с термокатодом 6 — устройство фокусировки и отклонения электронного пучка Рис. 2.23. Устройство экспериментальной з. э. л. т. 1 — острийный автокатод со стороны записи 2 — сетчатая подложка мишени с сигнальной пластиной 3 — накопительный и полупроводниковый слои мишени 4 — коллектор <a href="/info/135285">вторичных электронов</a> 5 — считывающий электронный прожектор с термокатодом 6 — устройство фокусировки и отклонения электронного пучка
Определение величины дисбаланса производится стрелочным прибором постоянного тока со шкалой до 100 мка, включенным в диагональ выпрямительного двухполупериодного моста по схеме Греца. В качестве выпрямителей применены полупроводниковые диоды типа Д2Г. Для устранения бросков стрелки прибора от случайных импульсных помех последовательно с прибором включено большое сопротивление и вся диагональ, т. е. прибор с сопротивлением, зашунтирована значительной емкостью Сд, так что постоянная времени цепи, зависящая от и Сд, получается достаточной величины. Выпрямительная ячейка оказывает обратное влияние на входной сигнал, в частности, в данном случае, в виде искажения его синусоидной формы. Для устранения искажения сигнала в точке разветвления цепи, а также для исключения возможности попадания искаженного сигнала в канал определения угловой координаты, выпрямляющая ячейка отделена от точки разветвления (после емкости g в аноде правой части Л ) дополнительным каскадом с левой частью лампы Л (6Н1П).  [c.359]

До недавнего времени при каскадировании термоэлектрических батарей рассматривалась обычно энергетическая -сторона проблемы, а, ка-к это было показано Юсти [Л. 80], увеличение числа каскадов -более трех не приводит к улучшению эксергетических характеристик полупроводниковых генераторов холода. Однако с точки зрения расширения температурного диапазона и, следовательно, получения низких температур увеличение числа каскадов более трех весьма перспективно.  [c.175]


Смотреть страницы где упоминается термин Л полупроводниковый : [c.283]    [c.541]    [c.206]    [c.135]    [c.291]    [c.252]    [c.30]    [c.119]    [c.498]    [c.180]    [c.377]    [c.259]    [c.62]    [c.414]    [c.541]    [c.297]    [c.326]    [c.234]    [c.196]    [c.958]    [c.57]    [c.212]   
Принципы лазеров (1990) -- [ c.401 ]



ПОИСК



24, (определение) полупроводниковые

Аккумуляторы, выпрямители и полупроводниковые преобразователи

Анализ температурной зависимости микротвердости некоторых полупроводниковых материалов

Аналоги моделей российских полупроводниковых приборов в PSpee-бнб-ттшжк

Анодная пассивация полупроводниковые свойства

Аппараты для заливки электрические контактные полупроводниковые — Условия применени

Бесконтактные аппараты Полупроводниковые аппараты управления

Бесконтактные блоки и полупроводниковые устройства

Блок полупроводниковый

Блок полупроводниковый выпрямительный 140 Болометр

Блок полупроводниковый прямительный

Блок полупроводниковый расточной 3.297—299 — Конструкции резцов 3.304 Размеры

Блок полупроводниковый, выпрямительный

Блокииг-генераторы на полупроводниковых триодах

Болометр полупроводниковый

Быстродействующее полупроводниковое реле МЭ

В и и о к у р о в, Г. П. С а л д а е в, Ж. С. Равва. Полупроводниковый прибор для бесконтактного измерения вибраций и малых перемещений (ПГЧМ

Вентили полупроводниковые

Включение кулачковых полупроводниковых выпрямителей— Схема

Включение полупроводниковых выпрямителей — Схема

Влияние поверхности на параметры полупроводниковых приборов

Влияние радиации на полупроводниковые диоды

Вольт-амперные характеристики тиристора. . ЮЗ Полупроводниковые приборы на основе пятислойных кремниевых структур типа

Выбор основных параметров полупроводниковых преобразователей

Выбор полупроводниковых выпрямителей

Выбор типа полупроводникового прибора

Выпрямители двухполупериодные полупроводниковые

Выпрямители полупроводниковые

Выпрямительные полупроводниковые установки электровозов и электропоездов переменного тока

Высокотемпературные термопары. Полупроводниковые терi моэлектроды

Генераторы импульсов на электронных и полупроводниковых усилительных и переключающих приборах

Генераторы импульсов полупроводниковых триодах

Генераторы полупроводниковые

Герметизация полупроводниковых микроприборов и микросхем

Глава двенадцатая. Надежность силовых полупроводниковых приборов

Глава пятнадцатая. Полупроводниковые органические соединения

Глава четырнадцатая. Перспективы развития силовой полупроводниковой техники

Глава четырнадцатая. Полупроводниковые неорганические соединения

Градиент потенциала полупроводникового

Граничные параметры силовых полупроводниковых приборов

Датчик локационный с полупроводниковыми тензорезисторами

Датчик полупроводниковый

Датчики с полупроводниковыми тензорезисторами — Характеристики

Детекторы полупроводниковые

Дефекты в полупроводниковых материалах

Диод полупроводниковый

Диоды германиевые полупроводниковые

Дифференциальный КПД лазер полупроводниковый

Днод полупроводниковый

Другие полупроводниковые фотоприемники

Запоминающие монолитные полупроводниковые

Импульсное лазерное возбуждение и релаксация электронной подсистемы полупроводникового кристалла

Инверсия заселенности в полупроводниковом лазере

Инверторы полупроводниковые

Источники излучения полупроводниковый

Источники электропитания газовых н полупроводниковых излучателей

Катодная защита резервуаров и емкостей с применением запирающих полупроводниковых устройств

Ковалентные кристаллы с полупроводниковыми свойствами

Колебания синусоидальные — Генерирование — Применение полупроводниковых диодов

Коммутатор полупроводниковый тиристорны

Комплекс аппаратуры прогнозирования надежности полупроводниковых приборов (КШРОН

Компоненты полупроводниковых микросхем

Кондейс агоры оксидно-полупроводниковы

Конечно-разностная дискретизация полупроводниковых уравнений

Конструкционные сплавы, сплавы с особыми тепловыми, упругими свойствами и полупроводниковые материалы

Конструкция и технология производства силовых полупроводниковых приборов

Конструкция и характеристики полупроводниковых вентилей

Конструкция охладителей силовых полупроводниковых приборов

Конструкция силовых полупроводниковых приборов

Косолапов. Номинальные параметры полупроводниковых биполярных коммутаторов

Коэффициент аэродинамический добротности полупроводниковых

Коэффициент разделения примесей в полупроводниковых соединениях

Крепление и монтаж полупроводниковых приборов

Лавеса полупроводниковые

Лагранжа-Гельмгольца теорема полупроводниковый

Лазер полупроводниковый

Лазерное охлаждение полупроводникового ЯМР-квантового компьютера

Лазерные скоростные уравнения полупроводниковые лазеры

Лайнер, Л. М. Островская. Исследование полупроводникового сплава висмут-теллур-селен

Лайнер, Л. М. Островская. Легирование полупроводникового соединения

Легирование полупроводниковых материалов

Магнитно-полупроводниковые аппараты Принципы построения магнитно-полупроводниковых аппаратов

Магнитно-полупроводниковые аппараты управления

Магнитно-полупроводниковые регуляторы

Материалы для лазерной техники полупроводниковые

Материалы полупроводниковые

Материалы радиотехнические полупроводниковые

Машины и полуавтоматы для герметизации корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Металлы высокой степени чистоты и полупроводниковые материалы

Метод создания силовых высокочастотных полупроводниковых вентилей

Модуляторы диодные частотные на полупроводниковых триодах

Мощные полупроводниковые приборы Транзисторы СправочникПод ред, А. В. Голомедова. М, Радио и связь

Мультивибраторы 590 — Диаграмма на полупроводниковых триодах

Надежность полупроводниковых приборов

Напряжение—Составляющие выпрямленное полупроводниковых

Напряжение—Составляющие допустимое полупроводниковых

Напряжения контактные в подшипниках полупроводниковых выпрямителе

Напряжения полупроводниковых выпрямителе

Некоторые полупроводниковые материалы

Некоторые полупроводниковые материалы и их параметры

Некоторые полупроводниковые элементы и физические эффекты, определяющие их применение

Нелинейные полупроводниковые сопротивления (НПС или варисторы)

Обозначения условные графические полупроводниковых приборов

Общая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем

Общие рекомендации по применению полупроводниковых приемников излучения

Однопостовой сварочный прсобразоват ель с полупроводниковым выпрямителем для дуговой сварки в углекислом газе тип ВС

Однопостовые сварочные преобразователи с полупроводниковыми выпрямителями для дуговой сварки тип ВСС

Окислы полупроводниковые

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы

Оптическая иакачка полупроводниковым лазером или светодиодом

Оптическое пропускание и отражение полупроводниковых гетероструктур

Основные группы полупроводниковых материалов

Основные параметр ч характеристики одноэлементных и малоэлемептных полупроводниковых Фотоэлектрических приемников излучения фотоприемных устройств и тепловых приборов

Основные параметры и характеристики силовых полупроводниковых приборов

Основы расчета бесконтактного полупроводникового реле

Особенности эксплуатации магинтно-полупроводниковых аппаратов

Особенности эксплуатации полупроводниковых аппаратов

Очистка полупроводниковых материалов

П реобразователи фоторезистивные полупроводниковые

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНВЕРТОРЫ И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Назначение. Термины и определения. Классификация

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Глава тринадцатая. Элементарные полупроводники

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Элементы зонной теории твердого тела

Параллельное и последовательное включение силовых полупроводниковых вентилей

Параметры моделей полупроводниковых и ключевых элементов

Параметры полупроводниковой подложки

Параметры полупроводниковых выпрямителей

Параметры силовых полупроводниковых приборов

Пассивирующие слои полупроводниковые свойств

Пластина полупроводниковая датчика

Полиэфирэпоксиды полупроводниковые материалы

Полупроводниковая интегральная микросхема

Полупроводниковая приставка тип ГШ

Полупроводниковое реле мод. МЭ

Полупроводниковое стекло

Полупроводниковые p-i-я-фотодиодиые детекторы

Полупроводниковые Простые полупроводники

Полупроводниковые Сложные полупроводники

Полупроводниковые аппараты Основные характеристики полупроводниковых приборов и их использование в тепловозных аппаратах

Полупроводниковые аппараты управления

Полупроводниковые выпрямител

Полупроводниковые выпрямители и усилители

Полупроводниковые и магнитные элементы

Полупроводниковые и электронные приборы

Полупроводниковые компоненты

Полупроводниковые лазеры выходная мощность

Полупроводниковые лазеры двойном гетеропереходе

Полупроводниковые лазеры для оптической связи

Полупроводниковые лазеры и их характеристики

Полупроводниковые лазеры и светодиоды

Полупроводниковые лазеры излучательные н безызлучательные

Полупроводниковые лазеры на гомопереходе

Полупроводниковые лазеры накачка

Полупроводниковые лазеры переходы

Полупроводниковые лазеры применение

Полупроводниковые лазеры распределенной обратной связью

Полупроводниковые лазеры с полосковой геометрией

Полупроводниковые лазеры спектр излучения

Полупроводниковые материалы (И. В. Кириллов)

Полупроводниковые материалы Коэффициент теплопроводности (X, Вт м- К-) германия с различной концентрацией носителей тока

Полупроводниковые материалы ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Полупроводниковые материалы и изделия

Полупроводниковые материалы и их основные свойства

Полупроводниковые материалы и их параметры

Полупроводниковые материалы и их применение

Полупроводниковые материалы и приборы

Полупроводниковые материалы и технология их получения

Полупроводниковые материалы используемые для изготовления приемников излучения

Полупроводниковые носители информации

Полупроводниковые оксиды

Полупроводниковые пленки на стекле

Полупроводниковые преобразователи

Полупроводниковые преобразователи и регуляторы

Полупроводниковые приборы Диоды, тиристоры, оптоэлектронные при боры СправочникПод общ Горюнова. М. Энергоатомиздат

Полупроводниковые приборы Транзисторы СправочникПод общ. ред. Н. Н. Горюнова. М Энергоатомиздат

Полупроводниковые приборы и приемно-усилительные лампы

Полупроводниковые промежуточные фазы

Полупроводниковые регуляторы

Полупроводниковые соединения

Полупроводниковые соединения AnIBv

Полупроводниковые соединения бинарных соединений

Полупроводниковые соединения других групп

Полупроводниковые соединения закономерности образования

Полупроводниковые соединения изоэлектронные ряды

Полупроводниковые соединения правило Музера-Пирсона

Полупроводниковые соединения правило нормальных валентностей

Полупроводниковые соединения равновесная ионность полупроводникового соединения

Полупроводниковые соединения соединения с дефектной

Полупроводниковые соединения соединения с резонансными связями

Полупроводниковые соединения степень ионности полупроводникового соединения

Полупроводниковые соединения структурой

Полупроводниковые соединения химическая связь в ANB

Полупроводниковые соединения химические связи в полупроводниках AIVBVI

Полупроводниковые соединения химические связи в полупроводниках AjBg

Полупроводниковые соединения химические связи в полупроводниках, производных от ANB

Полупроводниковые соединения эффективные заряды

Полупроводниковые сопротивления

Полупроводниковые сплавы

Полупроводниковые термометры сопротивления

Полупроводниковые триоды (транзисторы)

Полупроводниковые триоды —

Полупроводниковые управляемые вентили-тиристоры

Полупроводниковые усилители

Полупроводниковые усилители на триодах

Полупроводниковые устройства

Полупроводниковые фотоэлементы

Полупроводниковые химические соединения и материалы на их основе

Полупроводниковые холодильники Пельтье

Полупроводниковые элементы

Полупроводниковые элементы IVе группы

Полупроводниковый переход

Получение полупроводниковых пленок с помощью газотранспортных реакций

Получение чистых полупроводниковых материалов

Понятие о конструкции полупроводниковых интегральных микросхем

Предпосылки и принципы миниатюризации в силовой полупроводниковой технике

Преобразование тока и Схемы выпрямления Конструкция и основные параметры полупроводниковых вентилей

Приборы газонаполненные Маркировка полупроводниковый

Приборы полупроводниковые

Приборы полупроводниковые (ГОСТ

Приборы с использованием полупроводниковых лазеров

Приложение. Особенности сварки корпусов мощных полупроводниковых вентилей на конденсаторных машинах

Применение ДОЭ для коллимации излучения полупроводникового лазера

Применение спектрографа для изучения структуры мод твердотельных и полупроводниковых лазеров

Примеси в полупроводниковых соединениях

Принципы получения полупроводниковых монокристаллов для подложек интегральных микросхем

Проверка генераторов переменного тока, выпрямителей, регуляторов напряжения и полупроводниковых диодов

Проверка полупроводниковых приборов на нагрев

Проектирования РЭА с применением полупроводниковых приборов

Пьезорезистивные полупроводниковые приемники звука и вибраций

Работа PSpi-модслей полупроводниковых приборов в аварийных режимах

Работа полупроводникового лазера

Радиаторы для полупроводниковых приборов

Расчет полупроводникового реле

Резистор полупроводниковый

Реле времени полупроводниковые

Роль поверхности полупроводниковой подложки

Рэлеевские волны в произвольном полупроводниковом пьезоэлектрическом кристалле (теория)

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ Фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения

Светодиод полупроводниковы

Силовые полупроводниковые вентили

Система обозначения и порядок записи полупроводниковых приборов в конструкторской документации

Системы охлаждения полупроводниковых вентилей

Системы полупроводниковые

Сопротивления полупроводниковые пусковые

Сопротивления полупроводниковые пусковые двигателей постоянного

Сопротивления полупроводниковые регулировочные

Сопротивления полупроводниковые термические

Сопротивления полупроводниковые тока параллельного возбуждения Расчет

Сопротивления полупроводниковые тормозные

Способы создания электронно-дырочных переходов силовых полупроводниковых приборов

Справочник по полупроводниковым диодамПод ред. И. Ф. Николаевско го. М. Связь

Стабилитрон ионный полупроводниковый

Стабилитрон полупроводниковый

Стекло алюмосиликатное полупроводниковое

Столб полупроводниковый выпрямленный

Строение и свойства полупроводниковых материалов

Схема полупроводниковая

Т ранзистор полупроводниковый

Тензометр полупроводниковы

Тензорезисторы полупроводниковые

Тензорезисторы полупроводниковые — Конструкция 412 — Характеристики

Теоретическое исследование распространения рэлеевских волн в полупроводниковых пьезоэлектрических кристаллах структуры вюрцита (группа А ВГ)

Теоретическое исследование распространения рэлеевских волн в полупроводниковых пьезоэлектрических кристаллах структуры сфалерита (группа

Термометр биметаллический полупроводниковый

Термометр полупроводниковый

Термопреобразователь сопротивления полупроводниковый

Термосопротивления, полупроводниковые нагреватели и поджигатели

Техника полупроводниковая

Технология изготовления полупроводниковой микросхемы

Типовые элементы вторичных приборов. Полупроводниковые усилители типа У1, У2, УЗ

Тиратрон дугового полупроводниковый

Тиратрон дугового разряда полупроводниковый

Токи вихревые полупроводниковых выпрямителе

Токи полупроводниковых выпрямителе

Топологические чертежи полупроводниковых интегральных микросхем. Сборочный чертеж микросхемы в корпусе

Топология полупроводниковых микросхем

Транзистор fe- — полупроводниковый

Триоды двойные полупроводниковые

Тройные полупроводниковые соединения

Тройные полупроводниковые соединения закономерности образования

Тройные полупроводниковые соединения соединений с алмазоподобной структурой

Усилители гидравлические полупроводниковые

Усилители двухтактные на полупроводниковых триодах Расчетные соотношения

Усилитель мощности на полупроводниковых триодах, расчет

Устойчивость полупроводниковых приборов к внешним воздействиям

Фазовые равновесия в полупроводниковых системах

Физика поглощения и релаксации энергии короткого лазерного импульса в полупроводниковом кристалле

Фликкер-шум полупроводниковых нитя

Фотолюминесценция полупроводниковых наноструктур

Фотофизические свойства полупроводниковых лазеров

Фотоэлемент ионный полупроводниковый

Фотоэлемент с внутренним фотоэффектомсм. Фотоэлемент полупроводниковый

Фотоэлемент, электронный полупроводниковый

Фундаментальные полупроводниковые уравнения

Функциальные схемы и основные характеристики промышленных полупроводниковых управляемых систем возбуждения синхронных двигателей

Характеристика полупроводниковых вентилей

Цветные металлы и их сплавы. Полупроводниковые материалы

Чертежи полупроводниковых интегральных микросхем

Чертежи полупроводниковых микросхем

Чистые металлы и полупроводниковые материалы

Электронные и полупроводниковые реле

Электронные и полупроводниковые устройства

Электронные системы зажигания с бесконтактным полупроводниковым управлением

Электрооборудование переменного тока с селеновым выпрямителем и полупроводниковым реле-регулятором

Электроугольные изделия. Полупроводниковые материалы Люминофоры Электроугольные изделия

Элементы. Неорганические соединения. Органические соединения. Полупроводниковые и оптические материалы. Высокотемпературные материалы. Стали и промышленные сплавы Двухкомпонентные сплавы. Легкоплавкие сплавы. Стекла. Полимерные материалы. Топливо, масло, гидравлические жидкости. Хладоны и теплоносители



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте