Полупроводниковая интегральная микросхема

Полупроводниковая интегральная микросхема [c.539]

Полупроводниковая интегральная микросхема 541 [c.541]

Полупроводниковая интегральная микросхема 559 [c.559]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ [c.92]

Полупроводниковая интегральная микросхема представляет собой монолитное функциональное устройство, элементы которого изготовлены в одном объеме и (или) на поверхности полупроводникового материала. При создании микросхемы отдельным микроучасткам полупроводникового материала путем специальной обработки придают свойства, соответствующие функциям активных (диоды, транзисторы) и пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементов. Размеры элементов измеряются единицами и десятками микрометров. Все элементы, созданные в кристалле полупроводникового материала, электрически изолированы друг от друга. Их соединение осуществляют частично в объеме кристалла, частично на поверхности защитного слоя. [c.316]

Рис. 72. Диффузионный резистивный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы

Рис. 73. р—л-переход в качестве емкостного компонента полупроводниковой интегральной микросхемы [c.186]

Рис. 74. триодная структура полупроводниковой интегральной микросхемы, образованная двойной диффузией [c.187]

Рис. 75. Полевой транзистор в полупроводниковой интегральной микросхеме

Рис. 8.51. Чертеж совмещенной топологии полупроводниковой интегральной микросхемы (первый лист)

Полупроводниковая интегральная микросхема — интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. [c.265]

Полупроводниковая пластина — заготовка нз полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы. [c.265]

Кристалл интегральной микросхемы — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. [c.265]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показана последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают [c.302]

Наряду с одиночными П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные микросхемы— монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготавливаются в едином технологич. процессе. [c.568]

По конструктивно-технологическому исполнению интегральные микросхемы подразделяются на гибридные и полупроводниковые. [c.538]

Микроэлектронное устройство, у которого все или часть элементов нераздельно связаны и электрически соединены между собой таким образом, что представляют собой единое конструктивное целое, называют интегральной микросхемой. Ее элементы не имеют внешних выводов и не могут рассматриваться как отдельные изделия. В зависимости от технологии изготовления интегральные микросхемы подразделяют на полупроводниковые и гибридные. [c.316]

Такой функциональный узел выполнен на одном полупроводниковом кристалле и оформлен в виде самостоятельного изделия в пластмассовом или керамическом корпусе. Специализированная интегральная микросхема еще не может заменить полностью электронный коммутатор [c.235]

Для УГО элемента схемы не имеет значения физическая реализация изображаемой им функции. Например, функция 2И - НЕ независимо от того, реализована пи она как часть полупроводникового кристалла, как законченная интегральная микросхема (ИМС), как совокупность дискретных элементов, или в любом другом виде - всегда ва схеме будет изображаться согласно черт. 96. [c.291]

Интегральные микросхемы могут изготавливаться с помощью пленочной или полупроводниковой технологии. Возможны интегральные микросхемы, при изготовлении которых используются как те, так и другие технологические процессы. [c.669]

Задачи, возникающие при конструировании полупроводниковых интегральных схем, оказываются более сложными, чем в пленочных микросхемах. [c.171]

Кроме того, лазеры эффективно используются при резке полупроводниковых пластин с интегральными микросхемами. [c.528]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

Полупроводниковая интегральная микросхема Понятие о конструкции ПИМС [c.538]

ЭВМ третьего поколения были созданы на полупроводниковых интегральных- микросхемах малой степени интеграции. Значительно увеличи-пась производительность ЭВМ. [c.279]

Оперативная память в современных ЭВМ создается на полупроводниковых интегральных микросхемах и состоит из запоминающих элементов, каждый из которых хранит один разряд двоичного слова - один бит информации. Для запоминания многоразрядных двоичных чисел необходима матрица ЗУ определенной разрядности (ширина матрицы) и с заданным количеством строк (длина матрицы). Адрес хранимого слова определяется номером строки. Количество строк соответствует максимальному адресу, выраженному в двоичной системе счисления, поэтому емкость памяти также выражается в двоичном коде и равна числу строк (хранимых слов). Для сокращения записи величины емкости памяти используются коэффициенты К (кило) - 1024, М (мега) - 1024 , Г (гига) - 1024 , Т (тера) -1024 . [c.67]

Нелинейным элементом в С. с. могут служить тун-.нельные диоды, четырёхслойные полупроводниковые диоды Е др. устройства, имеющие падающий участок вольт-амперной характеристики. С. с, применяются в устройствах автоматики, измерит, и вычислит, техники для запоминания и хранения информации. В совр. аппаратуре преим. используют триггеры на транзисторах и интегральные микросхемы триггеров (см. Логические схемы). С. с. также называют устройства, имеюпще больше двух устойчивых состояний (вапр., параметров) или одно устойчивое и одно ме-тастабильное состояние (см. Одновибратор). [c.654]

Для прожигаемой интегральной микросхемы полупроводниковой постоянной тамяти (ППЗУ) может быть выпущен документ ТБХ Таблица прожига . Для ти-ювого элемента замены ТЭЗ - документ ДХ Карты проверки , содержащий ин- юрмацию для проверки фукционирования для описания соединений между ТЭЗ-ми 3 панели - ТЭ4 Таблица соединений и др. [c.325]

Для тонкопленочных микросхем применяют базовые пластины из ситалла или стекла размером 60 х 48 х 0,5 мм, для микрополосковых схем — из поликора размером 30 Х 24 X 0,5 мм. У полупроводниковых интегральных схем базовые пластины имеют форму круга с диаметром 30—40 мм. После изготовления элементов базовую пластину разламывают (скрайбируют) на отдельные подложки индивидуальных микросхем. Длина и ширина подложки у индивидуальной тонкопленочной и микрополосковой схем определяются кратным делением размеров базовой пластины, а у полупроводниковых микросхем они примерно равны 1,5 X 1,5 мм. У толстопленочных микросхем базовых пластин нет каждая подложка отдельной микросхемы, выполненная из керамики 22 ХС, имеет габариты 11 Х 11 Х 1,5ммили16 Х 10 Х 1,5 мм. [c.221]

Датчик 13 — бесконтактный микроэлектронный, использующий эффект Холла. Датчик состоит из постоянного магнита, полупроводниковой пластиньи и интегральной микросхемы. [c.75]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...