Полупроводниковые пленки на стекле

Полупроводниковые пленки на стекле обладают обычно высокой механич. прочностью, очень хорошей адгезией к стеклу и необходимой химич. стойкостью с поверхности стекла удаляются только шли- [c.260]

Изготовление элементов кристаллических полупроводниковых приборов (кристаллические выпрямители, диоды, кристаллические усилители — триоды и транзисторы), применяемых при изготовлении сложных устройств автоматики, телемеханики, счетно-решающих устройств. Изготовление термисторов, применяемых в автоматической и сигнальной аппаратуре. Изготовление фотодиодов и фотосопротивлений. Изготовление пленочных сопротивлений (тонкие пленки Ое на стекле или керамике) с от 1000 Ом до нескольких МОм. [c.346]

При повторной тренировке некоторая доля плохих ламп вылечивается (не считая ламп, имеющих трещины в стекле и натекания). В производстве этим обстоятельством часто пользуются для того, чтобы покрыть некоторые недостатки технологического процесса, например загрязнение и окисление деталей ножки, плохую работу автомата откачки, нарушения вакуумной гигиены и т. д. За счет форсированных режимов зажигания или горения в процессе тренировки иногда удается выпарить попавшие в катод вредные примеси, связать излишки активных газов, попавших в лампу. Однако форсированные многократные тренировки истощают катод, сокращая продолжительность горения лампы. Образующийся при тренировке в оксидном слое металлический барий интенсивно испаряется при высоких температурах и, конденсируясь на стенках и деталях лампы, поглощает активные газы. Образующиеся при этом на внутренней поверхности лампы полупроводниковые пленки могут привести к изменению условий газового разряда. [c.463]

В виде тонких покрытий на стекле, керамике, кварце золото широко используют в электронных устройствах, полупроводниковых элементах, микросхемах для передачи электрического тока. Такие пленки-отличаются высокой электропроводностью и коррозионной стойкостью. [c.26]

Электропроводность поверхности стекла можно повысить, не изменяя его основного свойства — прозрачности, путем нанесения на него тонких прозрачных полупроводниковых пленок. [c.210]

Полупроводниковое стекло 3—257 Полупроводниковые пленки на стекле 3—260 Полупроводящая стеклолакоткань 3—2В5 Полугомнак 3—37 2—81 [c.516]

Восстановителями служат различные органические соединения — спирты, ацетон, фенилгидразин и др. О.тювянные полупроводниковые пленки на стекле состоят в основном из двуокиси олова биОа, [c.211]

С. с э. п., кроме того, служат для элект-ролитич. осаждения на их поверхности цинка, кадмия, меди, никеля, хрома. Поверхностный полупроводниковый слой на стекле используется как катод, для выравнивания градиента напряжения на поверхности стеклянных баллонов высоковольтных электровакуумных приборов (высокоомные пленки на стекле), д.11я снятия зарядов с поверхностей деталей элект-ротехнич. приборов, для изготовления высокоомных теплостойких стабильных сопротивлений (постоянных или переменных), а также в качестве прозрачных электродов в произ-ве фотоэлементов для различных люмипесцирующих устройств. [c.261]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

Высокоомные электропроводящие ленки на стекле толщиной от 4000 до 6800 А могут быть получены методом испарения чистого кристаллич. Sn lj или с добавлением DiO l. Уд. поверхностное электрич. сопротивление ООП в этом случае колеблется в пределах 10 —10 ож, а оловянно-висмутовых (с 10% BijOs) 10 —10 ом. Такие полупроводниковые пленки устойчивы при 15-часовом прогреве при 380° они не теряют своих св-в после охлаждения до —60° и длит, хранения в комнатных условиях. [c.259]

В последнее время начаты поиски новых методов изготовления полупроводниковых материалов. Эти исследования ведутся в основном применительно к созданию солнечных элементов, но полученные результаты могут быть использованы в будуш,ем и для изготовления термоэлектрических материалов. Один из таких методов, основанный на бомбардировке ионами кадмия тонких пленок теллура, описан в работе А. Е. Городецкого и др. [31]. На стекло напылялась пленка теллура толихиной 0,1 мкм, которая затем облучалась ионами кадмия с энергией 5—50 кэв. Изготовленные таким образом пленки имели дырочную проводимость с подвижностью 3 — 5 см 1 в сек). Аналогичную характеристику имеет теллур кадмия с избытком теллура (р-типа), изготовленный по обычной технологии. [c.69]

Электропроводящие (полупроводниковые) стекла халькоге-нидные и оксидные ванадиевые находят широкое применение в качестве термисторов, фотосопротивлений. Стекло с электропроводящей поверхностью, образуемой нанесением на гюверхность стекла очень тонкой пленки окислов олова, кадмия, титана или восстановлением введенных в состав поверхностного слоя стекла некоторых окислов металлов, применяется в электронновакуумной технике, для отопительных панелей, незапотевающих стекол и т. д. [c.495]

Пленки для интегральных микросхем наносят либо на пассивную подложку из фотоситалла или стекла, либо на активную подложку из полупроводникового материала. Это наиболее сложные случаи применения пленок, так как пленки используются в сложном сочетании между собой при обязательном требовании — обеспечить заданные физические свойства каждой пленки в довольно узких пределах допустимых отклонений. Пленки должны хорошо формироваться не только на поверхности подложки, но и друг на друге. Важно иметь возможность наносить пленки заданного рисунка с высокой точностью, при которой отклонения размеров часто не превышают нескольких десятков микрон. [c.38]

Проект солнечной электростанции, предложенный в России, предполагает вывод на геостационарную орбиту системы гелиостатов, отражающих солнечное излучение на наземйую приемную станцию, содержащую концентраторы излучения на основе параболойдных отражателей или линз Френеля и полупроводниковые охлаждаемые СЭ. Гелиостаты, выполненные из стекла или тонкой металлизированной пленки, имеют оптические фильтры, отражающие на Землю излучение в диапазоне 0,4- [c.131]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...