Транзистор биполярный

Обычно П. в. строится на одиночных биполярных и полевых транзисторах или на операционных усилителях (см. Полевой транзистор. Транзистор биполярный). [c.655]

Обычно С. с. строится на биполярных иля полевых транзисторах (см. Триггер, Полевой транзистор, Транзистор биполярный). С. с. также может быть построена с помощью нелинейного элемента (рис. 1), вольт ампер- [c.653]

Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также малые размеры и относит. простота конструкции позволяют щироко использовать Ф. в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости и элементов гальванич. развязки. (См. также Транзистор биполярный, Полупроводниковые материалы ) [c.363]

Мощные высокочастотные транзисторы. Достоинства транзисторов — малые габаритные размеры, мгновенная готовность к работе,. большой срок службы, устойчивость к ударам и вибрациям, невысокое напряжение питания — определяют нх широкое применение в-аппаратуре связи. Следует отметить, что транзисторам свойственны н определенные недостатки большой разброс параметров и зависимость их от температуры большая, чем у ламп, чувствительность к электрическим перегрузкам ограничения по частоте и мощности. Однако недостатки эти успешно преодолеваются, и в последние годы транзисторы широко применяют не только в предварительных каскадах передатчиков,но и в усилителях мощности. Это стало возможно благодаря широкому выпуску мощных ВЧ транзисторов. (биполярных и полевых). [c.124]

Статически индуцированный биполярный транзистор Биполярный п—р—п-транзистор Биполярный р—л—р-транзистор Боковой биполярный р—п—р-транзистор Полевой транзистор с каналом п-типа Полевой транзистор с каналом р-типа МОП-транзистор с каналом п-типа МОП-транзистор с каналом р-типа Линия передачи [c.124]

Рис. 4.7. Эквивалентные схемы биполярного (а) н МДП (б) транзисторов

На рис. 4.7, й представлена эквивалентная схема биполярного транзистора, используемая во многих программах анализа электронных [c.171]

Модель биполярного транзистора. Эквивалентная схема транзистора изображена на рис. 2.17,6. Запишем компонентные уравнения каждой ветви [c.120]

Рассмотрим ММ биполярного транзистора при использовании для интегрирования неявного метода Эйлера. Вектор неизвестных [c.125]

Биполярные транзисторы а - и/) -транзистор б -,оир-транзистор [c.364]

Рнс. 2. Структура биполярного транзистора р—и—р-тв-па 1—эмиттерный р— -переход 2- коллекторный р— л-переход. [c.155]

В ИС нелинейные твердотельные приборы, детали структуры к-рых имеют микронные размеры (микроприборы), и линии связи между ними формируются в едином технол. процессе на общей пластине — подложке (интегральная технология). Важнейшие приборы, входящие в состав ИС транзисторы (биполярные, полевые), их комплементарные пары п-р-п — — р-п-р", п-канальные и р-канальные) энергозави-си.чые транзисторы (напр., с плавающим затвором) диоды твердотельные (на р — и-переходах, диоды Шоттки) приборы с зарядовой связью (передача заряда в цепях из тысяч МДП-элементов, см. МДЙ-структура), на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), на доменных стенках и линиях. Разрабатываются новые [c.152]

МУЛЬТИВИБРАТОР (от лат. multum — много и vibro — колеблю) — электронное устройство с двумя ме-тастабильными состояниями, к-рым соответствуют два различных значения напряжения (или тока) и к-рые периодически скачкообразно сменяют друг друга за счёт положительной обратной связи. М. генерирует периодический сигнал прямоугольной формы, в спектре к-рого содержится много гармоник (см. Фурье анализ). Если интервалы времени, соответствующие различным состояниям, одинаковы, М. называется симметричным, иначе — несимметричным. Названные интервалы времени определяются временем зарядки и (или) разрядки конденсаторов (одного или двух), входящих в схему. М, может быть построен на операционных усилителях, транзисторах биполярных и полевых транзисторах, компараторах и др. электронных приборах. [c.216]

ЭП СЗУПВ строятся на базе триггеров. При этом могут использоваться как полевые транзисторы (рис. 3, д), так и транзисторы биполярные (рис. 3, е). По быстродействию биполярные СЗУПВ превосходят все остальные типы полупроводниковых П. у. Типичное время переключения биполярных СЗУПВ ёмкостью [c.525]

С. Ерохин, Л. М. Земпый. ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх р—п-пере.ходов, взаимодействие между к-рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний выключенном—с высоким сопротивлением и включённом — с низким. Полупроводниковая структура Т. состоит из четырёх слоев чередующегося типа проводимости ( г рпр рис. 1), образующих три расположенных друг над другом р—и-псрехода. Внутренний базовый / -слой обычно выполняется сильнолегированным (концентрация примеси / =10 —10 см" )и тонким, чтобы обеспечить достаточно высокий (0,7—0,9) коэф. переноса (3 п рп-транзистора (см. Транзистор биполярный). Базовый л-слой выполняется относительно толстым и слаболегированным (Л = 10 —10 см ). При приложении внеш. напряжения указанной на рис. I полярности (прямое смешение) крайние переходы 3i и Эг (эмиттеры) смещены в проводящем, а центральный К, (коллектор)—в запорном направлениях его область пространственного заряда (ОПЗ) расположена почти полностью в п-базе. Эмиттер Э обычно имеет распределённые по всей площади шунтирующие каналы, выполненные в виде выходов р-слоя сквозь п" -слой к ме-таллич. контакту. Процессы, определяющие возможность переключения, протекают след, образом. Электронно-дырочные пары, генерируемые, напр., теплом в ОПЗ, разделяются полем дырки и электроны выбрасываются в /г- и л- [c.114]

Ныне Т. называют 2 класса приборов, различных по физ. принципам, лежащим в основе их работы, но объединённых общим свойством усиливать электрич. сигналы. За изобретением Бардина, Браттейна и Шокли утвердилось название транзистор биполярный. Второй класс транзисторов составляют полевые транзисторы. Т. обоих классов являются осн. активными элементами совр. полупроводниковой электроники и элементной базой интегральных схем. [c.155]

УЗЧ относятся к классу апериодических У. э. к., а резонансные цепи используются в них обычно лишь для коррекции АЧХ. Каскады предварит, усиления предназначены для увеличения напряжения источника колебаний до уровня, необходимого для нормального возбуждения мощного оконечного каскада, работают в линейном режиме (режим А , а осн. предъявляемое к ним требование—ббеспечение макс. усиления. Выполняются на полевых транзисторах, транзисторах биполярных и ИС, реже на электронных лампах и тиристорах. При дискретной реализации применяются резисторные каскады с разделит, конденсаторами, биполярные транзисюры включаются по схеме с общим эмиттером, полевые—с общим истоком, лампы—с общим катодом (рис. 3), При работе с высокоомными источ- [c.241]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

Сложные математические модели электрической подсистемы. Наиболее распространенными сложными элементами электрической подсистемы в радиоэлектронных устройствах являются диод, биполярный и МДП-транзи-сторы. Создано и используется несколько разновидностей ММ диодов и биполярных транзисторов, различающихся точностью, областями адекватности, показателями экономичности. Рассмотрим характерные модели диода и биполярного транзистора, называемые моделями ПАЭС и используемые в ряде программ анализа электронных схем. [c.89]

Эквивалентная схема биполярного транзисто-р а представлена на рис. 2.17,6. Так как транзистор состоит из двух р-и-переходов эмиттер-база и коллектор-база, то элементы /э. Со, Ryo, С , / ук — элементы соответствующих р-п-переходов, h — Blg—BJk — источник тока, отражающий пролет неосновных носителей через базу и определяющий усилительные свойства транзистора В и — нормальный и инверсный коэффициенты усиления тока), Гэ, и гв — объемные сопротивления областей соответственно эмиттера, коллектора и базы. [c.91]

Пьеэотранзистор — биполярный транзистор, в котором модуляция тока производится механическим усилием, приложенным к базе используется для исследования механических величин. [c.152]

Биполярный транзистор. Транзистором называется монокристалл полупроводника, в котором соответствующим легированием создан узкий слой с /j-проводимостью, разделяющий области с и-проводимостями (рис. 133, а), или узкий слой с -проводимостью, разделяющий области с -проводимостями (рис. 133,6). Иначе говоря, транзистор является совокупностью двух достаточно близко расположенных /)-и-переходов. В случае а транзистор называется ири-тран-зистором, а в случае б-рир-транзис-тором. [c.364]

Полевые траизисторы. В изученных выше транзисторах ток осуществляется обоими типами носителей. Такие транзисторы являются биполярными устройствами. В отличие от этого [c.366]

В библиотеках программы PSpi e имеется несколько тысяч математических моделей элементов (диодов, биполярных и полевых транзисторов, операционных усилителей, стабилизаторов, тиристоров, компараторов, магнитных устройств с учетом насьпцения и гистерезиса, оптронов, кварцевых резонаторов, длинных линий с учетом задержек, отражений, потерь и перекрестных помех и др.) Библиотека открыта для включения моделей пользователя, имеются соответствующие инструментальные средства пополнения библиотеки. Предусмотрено взаимодействие аналоговой и цифровой частей схемы. [c.145]

Д. и. 3. в п. может осложняться процессами захвата носителей на т. н. уровни прилипания. Биполярная Д. и. 3. в п. является причиной Дембера эффекта, Фо-томазнитоэлектрическоео эффекта И др. Она определяет работу ряда полупроводниковых приборов — полупроводникового диода, транзистора и др. [c.690]

И. с. интегрирует в одном кристалле не только множество идентичных приборов, но и приборы, действие к-рых основано на разл. принципах. Налр., И. с. для цифровой обработки данных могут содержать нолевые и биполярные транзисторы, И. с.. для управления различными объектами или анализа сигналов могут объединить электронные, оптоэлектронные, электромеханические, магнитные и др. микроприборы. [c.154]

Однако в МИС интеграция распространилась в основном на цифровые логич. схемы. Практически все МИС выполнялись на основе биполярных транзисторов (см. Транзистор). С переходом к БИС (60—70-е гг.) доминирующее место заняли полевые транзисторы с МДП-структурой. Они потребляют мен1.ше энергии на каждый бит перерабатываемой информацпи и обладают более простой структурой, что позволило создать интегральные запоминающие устройства. [c.155]

Контакты с обеднённым слоем (рис. 1) в равновесном случае обогащены неосновными носителями (поле, к-рое вытесняет осн. носители, втягивает неосновные). При прохождении тока в обратном наиравлении происходит экстракция (извлечение, вытягивание) в контакт неосновных носителей из приконтактной части образца, протяжённость к-рой определяется длиной диффузии неосновных носителей. Экстракция — слаботоковое явление на обратной ветви ВАХ, тогда как эксклюзия — сильнотоковый эффект. Эти эффекты смыкаются лишь в собственном полупроводнике. Экстракция неосновных носителей обратно смещённым обеднённым слоем используется в коллекторах биполярных транзисторов. [c.447]

В последнем случае (рис., а) выход соединяется с инвер- Щ тирующим входом, а входной сигнал подаётся на неинвертирующий вход (следящий усилитель). В П. н., выполненных на одиночных транзисторах, выходное напряжение снимается с сопротивления К, включен- ного в цепь эмиттера биполярного или в цепь истока Э полевого транзистора. Соответствующие схемы наз. О эмиттерным и истоковым повторителями (рис., бив). Напряжения база — эмиттер и затвор — исток, управляющие выходным током транзистора, равны разности входного и выходного напряжений. Эииттер-ный повторитель обладает более низким выходным сопротивлением, чем истоковый, и его коэф. подачи ближе к единице, однако входное сопротивление исто-кового повторителя значительно выше. [c.655]

Рис. 3. Зависимость шумовых параметров МШУ и диодных смесителей от частоты [41 1 — лампа бегущей волны 2 — усилитель на туннельном диоде 3 — усилитель на биполярном транзисторе 4 УПТШ Л — полупроводниковый ПУ 6 — УПТШ, охлаждаемый до 20 К 7 — полупроводниковый ПУ, охлаждаемый до 20 К а — квантовый парамагнитный усилитель, охлаждаемый до 4 К.

Рнс. 1. Структура биполярного зраюистора а—транзистор р—л—р-типа 6—транзистор II—р— -тииа. [c.155]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...