Полупроводниковые p-i-я-фотодиодиые детекторы

Важнейшими характеристиками при этом являются коэффициент преобразования, динамический диапазон, инерционность, геометрические размеры. При использовании одиночных детекторов первого поколения можно было использовать сцинтилляционные кристаллы с ФЭУ, которые обладают высокой чувствительностью, удовлетворительным динамическим диапазоном (10 ) и малой инерционностью. Применение ФЭУ из-за их значительных габаритов затруднительно при использовании линейки, состоящей из большого числа детекторов. Для этих случаев применяют ионизационные газовые детекторы, полупроводниковые детекторы и сцинтилляционные кристаллы с полупроводниковыми фотодиодами. [c.190]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых приборов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов транзисторов, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих температур этих приборов от —60 до +80° С. [c.94]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

При облучении р—п-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника светом возникает эдс па этом основано действие фотоэлементов. Большую известность приобрели солнечные батареи — кремниевые фотоэлементы (применяющиеся па спутниках), преобразующие энергию солнечного излучения в электрическую с кпд 10%. Приборы с р—п-переходами применяются также для обнаружения и регистрации потоков излучения (см. Фотодиоды, Фототриоды), в том числе радиоактивных излучений (см. Полупроводниковый детектор ядерных излучений). [c.116]

Для ослабления этих источников шума в ЮР используется трансимпеданс-ный усилитель, встроенный в такой же полупроводниковый кристалл, что и фотодетектор. Трансимпедансный усилитель выполняет функции как усилителя, так и преобразователя тока в напряжение. ШР является интегрированным контуром, совмещающим в себе фотодиод и трансимпедансный усилитель. (Усилитель может представлять собой некоторую приставку к детектору, выполненную в виде отдельного кристалла.) На рис. 9.7 представлен схематический вид интегрированного ШР. [c.129]

Имеется два типа полупроводниковых детекторов я-( -л-фотодноды и лавинные фотодиоды. И те. и другие преобразуют падающее па них излуче-)1ие в электрический ток при условии, что длина волны излучения короче некоторой пороговой величины. Выходной ток пропорционален принимаемой мощности. Для работы фотодиодов необходимо электрическое смещение, а лавинные диоды требуют более высоких напряжений ( С0. .. 300 В) для того, чтобы происходило внутреннее умножение первичного тока. Это процесс сильно зависит от температуры, Лавииные диоды более сложны в изготовлении и использовании, но более чувствительны, что важно при регистрации очень слабых оптических сигналов. [c.191]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...