Полупроводниковые оксиды

К другим полупроводниковым оксидам относится оксид цинка (ZnO) с избытком цинка по сравнению со стехиометрическим составом, являющийся примесным полупроводником только 7г-типа. При прокаливании на воздухе (в атмосфере, содержащей кислород) проводимость ZnO уменьшается. К полупроводникам относится и частично восстановленный диоксид титана TiO., (см. табл. 8-5). Полупроводниковые оксиды используются в основном для изготовления терморезисторов с большим отрицательным температурным коэффициентом удельного сопротивления [—(3-Ь4) %/К]. [c.265]

Литература, относящаяся к этой важной группе печей, весьма малочисленна. Единственная обобщающая работа [1] издана в 1975 г. Отдельные вопросы затронуты в работах [2, 3, 25], посвященных плавке к обработке полупроводниковых материалов и оксидов. Поскольку за последние годы объем знаний в этой области существенно увеличился, назрела необходимость в их обобщении. Данная книга является попыткой восполнить этот пробел. [c.3]

Методами Э. были определены мн. атомные структуры, уточнены и дополнены рентгеноструктурные данные для большого числа веществ, в т. ч. мн. цепных и циклич. углеводородов, в к-рых впервые были локализованы атомы водорода, нитридов переходных металлов (Fe. Сг, Ni. W), обширного класса оксидов Nb. V, Та с локализацией атомов N и О, а также 2- и 3-компонентных полупроводниковых соединений, глинистых минералов и слоистых структур. При помощи Э. исследуют и структуру дефектных кристаллов. В комплексе с электронной микроскопией Э. позволяет изучать фазовый состав и степень совершенства структуры тонких кристаллич. плёнок, используемых в разл. областях совр. техники. Для процессов эпитаксии существенным является контроль степени совершенства поверхности подложки до нанесения плёнок. [c.585]

Значения X огнеупорных и теплоизоляционных материалов см. в книге 1, 8.7, металлов, сплавов и полупроводниковых материалов — в [97, 105, 114], полимеров — в [101], оксидов - в [47, 105], карбидов — в [48], газов и жидкостей — в [13, 87, 94, 104], смесей и композиционных материалов — в [23], различных веществ при низких температурах — в [10, 43]. [c.181]

Фазы с ионным типом связи. К ним относятся оксиды металлов. Простой оксид железа FeO имеет ГЦК решетку (см. рис. 1.13). Все кислородные узлы решетки заполнены, тогда как часть металлических узлов свободна. Таким образом, оксид FeO имеет структуру с большим дефицитом металлических ионов, что определяет появление полупроводниковых свойств. [c.28]

Заготовки и изделия из неметаллических материалов стекло, кварц, керамика, фарфор) хрупкие полупроводниковые материалы (германий, кремний) твердые металлокерамические сплавы оксиды, нитриды, карбиды, керметы [c.55]

Сплавы составляют большую группу двойных и многокомпонентных систем, при этом компонентами могут быть отдельные элементы и их химические соединения (металлы, неметаллы, полупроводниковые соединения, оксиды, соли). Однофазная система может быть однородным твердым раствором либо химическим соединением. Сплавы, состоящие из двух и более фаз, имеют микронеоднородную структуру и представляют собою механическую смесь исходных компонентов, их твердых растворов или химических соединений. [c.73]

Практическое применение получили смеси оксидов, на основе которых изготовляют полупроводниковые терморезисторы (термисторы) с отрицательным ТКр, а также варисторы, сопротивление которых сильно зависит от приложенного напряжения. [c.103]

К полупроводниковым материалам относится большинство минералов, неметаллические элементы IV, V и VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов, органические красители. Широко применяемыми полупроводниковыми материалами являются элементы IV группы периодической системы Менделеева — германий и кремний. Это вещества, кристаллизующиеся в решетке типа алмаза. Такая решетка представляет собой тетраэдр, по вершинам которого расположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре тетраэдра. Здесь каждый атом связан с четырьмя ближайшими соседями силами [c.147]

Особенности теплового движения молекул в жидкостях проявляются в их оптических свойствах, и особенно спектрах светорассеяния, которые простираются в более длинноволновую область, чем у кристаллов, и имеют дополнительно несмещенную компоненту. По типу электропроводности жидкие среды принадлежат к проводникам П рода, значительно реже — П1 рода. Полупроводниковые электрические свойства наиболее изучены у расплавов оксидов, сульфидов, селенидов и теллуридов, у некоторых биологических структур. [c.9]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы 382, 383 Оксиды металлов 376 Омметры 501 Органическое стекло 441 Органосиликатные покрытия 402 Ориентированные пленки 105 Осаждение пленок 379 [c.605]

Оксид бериллия применяют в виде керамики или тонких пленок. Керамику получают из очищенного порошка ВеО, а тонкие пленки - методом термического испарения в вакууме с помощью электронного пучка. Благодаря высоким значениям теплопроводности и электросопротивления оксид бериллия используется для создания подложек полупроводниковых приборов и микросхем. [c.658]

Повышенным и высоким значениями диэлектрической проницаемости (от 15 до 8500) характеризуются керамические материалы на основе соединений оксидов титана, циркония и олова с оксидами металлов II и III групп периодической системы (см. табл. 1.1), а также твердых растворов этих соединений. Изготовляемые из таких материалов высоко- и- низкочастотные конденсаторы имеют значительно меньшие размеры и массу. В зависимости от назначения и параметров они используются в том числе в производстве подложек для печатных схем, пьезопреобразователей, полупроводниковых материалов с линейной и нелинейной вольт-амперной характеристиками, нелинейных элементов и др. [c.691]

В связи с проблемами мониторинга окружающей среды особый интерес представляют газовые сенсоры на основе полупроводниковых оксидов (8п02, МоОз, УОз, Т102, ГпзОз и др.). Ранее на рис. 3.37 демонстрировалась температурная зависимость чувствительности ЗпОз различной зернистости к примесям водорода. [c.161]

Для изготовления пленочных резисторов с малым ТКр применяют пасты на основе композиций металлов (ТКр>0) и их полупроводниковых оксидов (ТКрсО). Применяются композиции на основе палладия, оксидов индия, кадмия, рутения, таллия, сурьмы, а также бескислородные соединения тугоплавких металлов — карбид вольфрама, бориды вольфрама и молибдена, нитрид тантала и др. [c.46]

К полупроводниковым материалам относятся большинство минералов, неметаллические элементы IV, V и VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов. Наибольшее применение получили элементы IV группы — Ое и 51, обладающие тетрагональной кристаллической решеткой типа алмаза. В вершинах тетраэдра раеположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими атомами силами ковалентной связи, поскольку все они обладают четырьмя внешними валентными электронами. [c.387]

Титан имеет довольно высокую (1668 °С) температуру плавления и плотность 4,5 г/см . Благодаря высокой удельной прочности и превосходным противокоррозионным свойствам его широко применяют в авиационной технике. В настоящее время его используют также для изготовления оборудования химических производств. В ряду напряжений титан является активным металлом расчетный стандартный потенциал для реакции + + 2ё Ti составляет —1,63 В . В активном состоянии он может окисляться с переходом в раствор в виде ионов [1]. Металл легко пассивируется в аэрированных водных растворах, включая разбавленные кислоты и щелочи. В пассивном состоянии титан покрыт нестехиометрической оксидной пленкой усредненный состав пленки соответствует TiOj. Полупроводниковые свойства пассивирующей пленки обусловлены в основном наличием кислородных анионных вакансий и междоузельных ионов Ti , которые выполняют функцию доноров электронов и обеспечивают оксиду проводимость /г-типа. Потенциал титана в морской воде близок к потенциалу нержавеющих сталей. Фладе-потенциал имеет довольно отрицательное значение Ер = —0,05В) [2, 3], что указывает на устойчивую пассивность металла. Нарушение пассивности происходит только под действием крепких кислот и щелочей и сопровождается значительной коррозией. [c.372]

Для сварщиков важно иметь в виду, что прочные связи ковалентного типа устанавливаются не только в атомных кристаллах, но и при соединении металлов с металлоидами, оксидами металлов, а также полупроводниками или интерметалли-дами, обладающими полупроводниковыми свойствами. Интерме-таллиды — соединения типичных металлов с металлами, имеющими слабые металлические свойства. [c.9]

Г. используется как полупроводниковый материал (в виде монокристаллов, аморфных плёнок) в электронике, полупроводниковых детекторах и приборах, измеряющих напряжённость пост, и перем. магн. полей, для изготовления плёночных сопротивлений, покрытий с высокой отражат. способностью, высокочувствит, термометров для измерения темп-р, близких к абс. нулю, Оксид Г. GeOj применяют при получении стёкол с высокими показателями преломления. Сплавы Г. с ниобием, ванадием, оловом обладают сравнительно высокими темп-рами перехода в сверхпроводящее состояние. [c.442]

Осн, область применения М,— чёрная металлургия, М. входит в состав всех чугунов и сталей. Его вводят также в состав разл, бронз, манганина и др. нежелеа-рых сплавов. Соединения М. и кремния MngSi п MnSi — высокотемпературные полупроводниковые материалы, последний используется в термоэлементах. Мн. сплавы М. ферромагнитны. Оксид марганца (4-)-) МпО (пиролюзит) используют в произ-ве стекла и в качестве [c.46]

Полупроводниковые Т.к. К этому классу Т.к. относятся в осн. оксидные. Это эффективные Т. к, косвенного накала. Активным веществом в них являются оксиды металлов в результате их прогревания (активирования), проводимого с целью повышения в объёме н на поверхности катода образуется избыток металла, обеспечивающий необходимую электропроводность Т. к. и снижение Ф. Существуют два типа оксидных катодов — низко- и высокотемпературные. В низкотемпературных оксидных Т.к., работающих при Грав а900—1300 К, используются смеси оксидов щелочно-земельных металлов Ва, Sr и Са. Из-за неустойчивости этих оксидов на воздухе их получают из исходных веществ—двойных или тройных карбонатов (ВаЗг)СОз, (Ва5гСа)СОз. Последние наносятся на металлический керн, смонтированный вместе с подогревателем, и активируются прогреванием непосредственно в изготовляемом приборе при его откачке. При этом образуются оксиды металлов и одновременно нек-рое количество свободных атомов металлов. В высокотемпературных оксидных катодах активным веществом служат оксиды Y, Th и др. Рабочие темп-ры таких Т. к. в зависимости от материала подложки (Та, W, Re) лежат в диапазоне 1400—2000 К. Долговечность оксидных Т.к. ограничивается постоянным испарением оксидного покрытия, а также образованием промежуточного слоя между металлической подложкой, на к-рую наносится активный слой, и покрытием. [c.102]

В хим. соединениях проявляет степень окисления +2. На воздухе покрывается тонкой прочной плёнкой оксида. Ц. используют для цинкования железа и его сплавов для предохранения от коррозии. Ц. входит в состав разл. сплавов латуней (с медью), бронз (с медью и оловом), мельхиора (с никелем) и др. Ц. используют в аккумуляторах, электрич. батарейках. Сульфид ZnS — наиб, распространённый люминофор. Оксид ZnO — белый пигмент — цинковые белила. Разл. соединения Ц. применяют в фармакологии. Соединение Ц. и сурьмы—антимонид Ц.— полупроводниковый материал. В качестве радиоакт. индикатора используют радионуклид Zn (электронный ja-хват и р -распад, 7 , з = 243,9 сут). С. С. Бердоносов. [c.440]

Коллоидные растворы полупроводниковых оксидных и сульфидных наночастиц непосредственно (без осаждения) применяются в фотокаталитических процессах синтеза и деструкции органических соединений, разложения воды. Для получения высокодисперсных порошков осадки коллоидных растворов, состоя-ш,ие из агломерированных наночастиц, прокаливают при 1200— 1500 К. Например, высокодисперсны г порошок карбида кремния d 40 нм) получают гидролизом органических солей кремния с последуюш им прокаливанием в аргоне при 1800 К [94]. Для получения высокодисперсных порошков оксидов титана и циркония довольно часто используется осаждение с помош ью окса-латов. [c.33]

К антиферромагнетикам относятся ряд элементов (твердый кислород, Сг, а-марганец и др.) и порядка тысячи известньк химических соединений металлов (NiFj, FeO и др.). Значительная часть ферримагнетиков — это диэлектрические или полупроводниковые ионные кристаллы, содержащие магнитные ионы различных элементов или одного элемента, но находящиеся в разных кристаллографических позициях (в неэквивалентных узлах кристаллической решетки). К ферримагнетикам относятся также ряд упорядоченных металлических сплавов, интерметаллиды и главным образом различные оксиды, в том числе ферриты. [c.98]

Электропроводность. При низких температурах р технических стекол находится в пределах 10 —10 Ом-м, но у некоторых стекол 10 Ом-м. Электропроводность стекол осуща-ствляется главным образом ионами щелочных (Li+, Na+, К+), а в некоторых случаях щелочно-земельных (Mg++) металлов, а также анионов (F , ОН-), При наличии в стекле ионов переменной валентности (РЬ, V, Fe) может иметь место и электронная проводимость в этом случае стекла могут быть полупроводниками. Полупроводниковыми являются и халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации оксидов щелс -ных металлов приводит к уменьшению о, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большего радиуса. [c.191]

Полупроводниковыми свойствами обладают ряд оксидов металлов. Наибольшее практическое применение получила закись меди ujO, используемая для изготовления кунроксных выпрямителей. Ширина запрещенной зоны закиси меди около 1,9 эВ. Избыток кислорода в ujO создает дырочную электропроводность. [c.103]

Повышение токов активного анодного растворения в данных электролитах связано с понижением перенапряжения анодного процесса и с тем, что оксидные пленки становятся менее устойчивыми и разрушаются при повышенных температурах вследствие увеличения их растворимости. Известно, что в большинстве случаев оксидные анодные пленки имеют полупроводниковый характер, очевидно, что в данном случае пленки оксидов N 0, СгОг, Т>Ог, обнаруженные рентгеноструктурным анализом, имеют нестехиометрический состав. [c.58]

Из полупроводниковых химических соединений следует указать еще на оксиды, сульфиды, селениды, теллуриды, дальтониды. [c.252]

Роль полупроводниковых материалов, а таковыми Могут быть и многие соли (например, 1п5Ь, ОаАз, АГЗЬ, АдЗ), и оксиды (например, 2пО, СыгО), в современной радиоэлектронике исключительно Ьелика. Их применяют в качестве транзисторов, выпрямителей, усилителей, катализаторов (например, газовых реакций). [c.41]

Разработаны способы химического восстановления металлов из их соединений для получения проводящих покрытий из серебра, меди, золота, платины, никеля, кобальта, сурьмы и т. д. Химическим путем готовят также пленки из оксидов металлов и халь-когенидные пленки сульфидов и селенидов металлов. Не все эти пленки используются в гальванопластике в равной степени. Наиболее широко применяются пленки серебра и меди. Остальные пленки используют в тех случаях, когда проводящий слой должен обладать дополнительными свойствами, например магнитными, эмиссионными, полупроводниковыми и др. [c.565]

Хлорный метод получения различных материалов в последнее время широко развивается. Окислением хлоридов металлов получают оксиды титана, кремния, урана, молибдена, ванадия, циркония, ниобия, тантала и смеси оксидов [101 ]. В некоторых странах промышленно реализован процесс получения мелкодисперсного (пигментного) диоксида титана с размером частиц менее 1 мкм [69]. Процесс организуется по замкнутому циклу с возвратом выделяющегося в процессе ракции концентрированного хлора, используемого для обработки исходного титаносодержащего сырья. Технологический процесс проводят в кислородной плазме ВЧИ-раз-ряда с добавкой хлорида алюминия. При мощности плазмы 160 кВт производителыюсть установки составляет 3 тыс. т пигмента в год [69]. Аналогичным образо.м К. Г. Марин с соавторами [59] разработал процесс получения ультрадисперсных абразивных порошков диоксида циркония с размером частиц менее 0,1 мкм для финишной полировки полупроводниковых пластин. [c.18]

Процесс образования оксидной пленки при электрохимическом оксидировании в электролитах, не растворяющих металл и оксид, часто называют формовкой. У многих металлов оксидная пленка, образованная при формовке, обладает в электролите отчетливо выраженной односторонней проводимостью, т. е. вентильными свойствами при анодном включении оксидированного металла сопротивление пленки в тысячи и десятки тысяч раз больше, чем при катодном. Такой же эффект наблюдается, если электролит заменить полупроводниковым слоем, например двуокисью марганца МпОа. Если же на поверхность оксида напылить металлический электрод, вентильный эффект проявляется гораздо слабее. Металлы, способные при ( рмовке образовывать оксидные пленки, обладающие вентильными свойствами, называют вентильными металлами. К ним относятся А1, Та, КЬ, 2г, Т1, В1, 8Ь, Mg, 2п, Сд, 5п, Ре, Ag, Н , Ве, Ое, 31, и. Пленка, образующаяся при < юрмовке, плотная и тонкая, ее толщина пропорциональна формовочному напряжению, причем коэффициент пропорциональности равен для алюминия (12 — 15)-для тантала (15—16)-10" , для ниобия (20—30)-10- , для циркония (27—30) 10 , для гафния 19-10" м/В. [c.378]

Халькогены - химические элементы VIb подгруппы периодической системы Д.И. Менделеева (см. табл. 1.1). К ним относятся кислород, сера, селен, теллур и полоний. Халькогенидами называются соединения халькогенов с другими химическими элементами. Многие из халькогенидов обладают полупроводниковыми свойствами. Отметим, что оксиды выделяются в отдельную группу в соответствии с их распространенностью, а следовательно, и особым значением. [c.387]

Электросопротивление р технических стекол при невысоких температурах находится в пределах 10 -г-10 Ом-м, но у некоторых стекол р -10 Ом-м. Электропроводность стекол осущес гвляется главным образом ионами щелочных (Ь1 , Ка , К ), в некоторых случаях щелочноземельных металлов, а также анионами (Р", ОН ).,При наличии в стекле ионов переменной валентности (V, РЬ, Ре) может иметь место и электронная проводимость, тогда стекла становятся полупроводниками. Полупроводниковыми являются халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации оксидов щелочных металлов приводит к уменьшению р, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большого радиуса. Влияние отдельных оксидов на электропроводность стекол показано в табл. 16.1. [c.682]

Глиноземистая керамика в зависимости от содержания оксида алюминия называется глиноземистым фарфором, ультрафарфором, корундомуллитовой керамикой, алюминоксилом, микролитом и др. Она отличается наибольшей механической прочностью, твердостью, химической стойкостью, повышенной теплопроводностью и стойкостью к термоударам, хорошими электроизоляционными свойствами в низко- и высокочастотных электрических полях. Глиноземистая керамика широко применяется в электротехнической и радиоэлектронной промышленности для изготовления корпусов полупроводниковых приборов, высоковольтных вакуум-плотных конструкций и вводов для атомных электростанций, а также высоковольтных высокочастотных изоляторов различного назначения и плат интегральных схем. [c.690]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...