Тензометр полупроводниковы

Кремний применяют для изготовления различных диодов и транзисторов, тиристоров, стабилитронов, фотодиодов, датчиков Холла, тензометров и других полупроводниковых приборов, а также интегральных схем. [c.80]

Трубчатый образец Т закреплялся в опоре R так, что его поворот предотвращался при обеспечении вертикальности его оси. Растягивающая нагрузка Р и нагрузка W, создающая крутящий момент, определялись такой подачей в резервуары воды, чтобы обеспечить желаемые постоянные скорости нагружения сг и 5. Установка подшипника В позволила, закручивая образец, не поворачивать устройство для создания растягивающей нагрузки. Элемент 5, содержащий протарированный прижимной тензометр-скобу С для точного определения условной деформации при помощи полупроводникового датчика, прикрепленного к нему, также позволял образцу свободно поворачиваться так, что общий угол крутильного поворота торца образца мог быть найден оптическим [c.301]

На принципе изменения сопротивления металлов и полупроводников под действием нагрузок основана работа проволочных, фольговых и полупроводниковых тензометров, которые называют тензорезисторами (рис. 142,6). Тензорезистор состоит из основы 4, изготовляемой из бумаги, лаковой пленки, ткани и служащей изоляционным материалом, петлеобразной проволоки или фольги 3 пластинок из полупроводниковых материалов, монтажных выводов /, которые крепятся к проволоке или фольге припоем. В качестве скрепляющего вещества применяют различные клеи. Размеры основы — ширину а и длину Ъ выбирают в зависимости от длины базы V [c.148]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых приборов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов транзисторов, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих температур этих приборов от —60 до +80° С. [c.94]

В последние годы стал применяться еще один способ изготовления решеток тензопреобразователей, заключающийся в вакуумной возгонке тензочувствительного материала и последующей его конденсации на подложку такие тензометры получили название пленочных. Для изготовления фольговых и пленочных тензопреобразователей, кроме указанных выше, применяются и другие материалы, например титано-алюминиевый сплав 48Т-2, а также ряд полупроводниковых материалов [44], например соединения германия, кремния, висмута и др. [c.257]

Полупроводниковые тензорезисторы имеют чувствительность примерно в 50 раз более высокую, чем проволочные тензодатчики, однако обладают меньшим диапазоном измерения деформаций. Перспективным является использование полупроводниковых датчиков в виде балочки или мембраны из монокристаллического сапфира или другого полупроводника с встроенной мостовой схемой. На рис. 274 дан пример использования полупроводниковых тензометров для измерения крутящего момента при сверлении. Допустимая величина относительной деформации принята 0,001, максимальное значение тока 30.10 А и сопротивление датчика 100 Ом. [c.319]

Полупроводниковые тензорезисторы не находят пока широкого применения в качестве основных преобразователей в прецизионной тензометрии, несмотря на то, что коэффициент тензочувствительности у них в 20-50 раз превышает коэффициент тензочувствительности проволочных тензорезисторов. Для получения большой величины выходного сигнала используют тензорезисторы из сплава вольфрам-рений. Проволочные тензорезисторы из этого сплава [20] позволяют получить хорошие метрологические параметры при величине коэффициента передачи К = = 4,5 5. В настояшее время в ТДС находят применение тензорезисторы КФ5. Тензорезисторы КФ4 применяют для измерения деформации при статических и динамических нагрузках. Параметры тензорезисторов КФ4 и КФ5 приведены в табл. 14. [c.130]

Тензометр полупроводниковый — тензоэлектрический полупроводниковый прибор, предназначенный для измерения деформаций и связанных с ними величин, преобразующий деформации в изменение сопротивления. [c.155]

Для регистрации нагрузок и деформаций при ударном нагрун е-нии необходимо применять безынерционные датчики и осцилло-графические регистрирующие устройства. Наиболее простые и совершенные для этой цели датчики — проволочные тензометры сопротивления, однако они обеспечивают небольшие уровни электрических сигналов и поэтому требуют применения электронных усилителей с большим коэффициентом усиления. Такие датчики пригодны для серийного эксперимента, не требующего повышенной чувствительности измерительной оснастки. Для более прецизионных экспериментов целесообразно применять высокочувствительные полупроводниковые датчики. [c.164]

Соединения SnSe, B 2Se3 и PbSe применяют для изготовления полупроводниковых тензометров. Селениды и теллуриды свинца и кадмия применяют в качестве детекторов инфракрасного излучения и транзисторов [150]. Селениды (а также теллуриды) кадмия, свинца и ртути представляют сабой высокоомные полупроводники, которые называют фотопроводниками. [c.276]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...