Полупроводниковые элементы

Сварочные выпрямители. Это источники постоянного сварочного тока, состоящие из сварочного трансформатора с регулирующим устройством и блока полупроводниковых выпрямителей (рис. 31). Иногда в комплект сварочного выпрямителя входит еще дроссель, включаемый в цепь постоянного тока. Дроссель служит для получения падающей внешней характеристики. Действие сварочных выпрямителей основано на том, что полупроводниковые элементы проводят ток только в одном направлении. Наибольшее применение в сварочных выпрямителях получили селеновые и кремниевые полупроводники. Сварочные выпрямители выполняют в подавляющем большинстве случаев по трехфазной схеме, преимущества которой заключаются в большом числе пульсаций напряжения и более равномерной загрузке трехфазной сети. [c.61]

Солнечная энергия может быть преобразована непосредственно в электрическую при помощи полупроводниковых элементов. Сейчас подобные системы — необходимая часть энергоснабжения всех космических кораблей. Создание земных установок для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую связано с определенными трудностями и экономически выгодно лишь в районах с благоприятным климатом. Рациональным является размещение станций на спутнике, обращающемся вокруг Земли (рис. 0-4) [228] в космосе, где наиболее эффективен процесс преобразования солнечной энергии, доступной почти 24 ч в сутки при удвоенной интенсивности излучения. Солнечные космические энергосистемы могли бы полностью обеспечить энергетические потребности в будущем, удовлетворитель- [c.8]

В работе [199] описан плоский термоэлектрический генератор, состоящий из полупроводниковых элементов на основе теллурида висмута. На наружную (теневую) сторону токонесущих пластин нанесено покрытие, обеспечивающее высокий коэффициент излучения 0,9. [c.223]

Полупроводниковый элемент имеет следующее устройство. В плоском кристалле кремния или другого полупроводника с дырочной проводимостью создается тонкий слой полупроводника с электронной проводимостью. На границе раздела этих слоев возникает р—л-переход. При освещении полупроводникового кристалла в результате поглощения света происходит изменение распределения электронов и дырок по энергиям. Этот процесс называет- [c.304]

Подробнее о полупроводниковых термоэлементах см. А. Ф, Иоффе. Полупроводниковые элементы. АН СССР, 1960. [c.602]

Германий, используемый для изготовления полупроводниковых элементов, не должен содержать случайных примесей больше 51(Т %. Наиболее распространенным способом очистки германия является метод зонной плавки. Электронный и дырочный тип электропроводности в германии создают путем легирования его соответствующей примесью. Концентрация легирующей примеси обычно составляет один атом на - 10 атомов полупроводника. Поэтому примесь в германий вводят в виде лигатуры, которая является сплавом германия с примесью. В лигатуре примесь содержится уже в значительных количествах (составляет проценты). [c.78]

Допустимое содержание посторонних примесей в кремнии, используемом в производстве полупроводниковых элементов, не должно превышать 10 %. Высокая стоимость кремния связана главным образом со сложностью его очистки. Основные физические свойства кремния приведены в табл. 3.1. Марки- [c.80]

При изготовлении большинства полупроводниковых элементов применяют монокристалличе-ские материалы. Это объясняется тем, что подвижность и время жизни свободных носителей заряда в монокристаллах выше, чем в поликристаллическом материале, который к тому же обладает и значительной неоднородностью свойств. [c.81]

Увеличение проводимости полупроводников происходит при воздействии на них лучистой энергии. Объясняется это тем, что энергия кванта света—фотона превосходит ширину запретной зоны большинства даже чистых полупроводниковых элементов. Зависимость проводимости полупроводников от освеш,енности может быть выражена формулой [c.274]

Надежность тиристорных преобразователей, определяемая надежностью полупроводниковых приборов выпрямителя, преобразователя, системы защиты (достаточно сложной) снижается по мере увеличения числа полупроводниковых элементов. Поэтому на каком-то пороге мощности тиристорный преобразователь должен неизбежно уступить в надежности машинному. Маломощные тиристорные преобразователи невыгодны из-за необходимости иметь сложную схему защиты. Машинные преобразователи, изготовляемые по традиционной технологии серийного электромашиностроения из недефицитных распространенных материалов, должны быть самыми дешевыми. [c.28]

Для дальнейшего развития электрификации и автоматизации промышленности потребовались многие виды электротехнических материалов и в первую очередь новейшие гибкие высокомолекулярные диэлектрики с нагревостойкостью до 600— 650 °С, надежные в эксплуатации полупроводниковые элементы, ферромагнетики с высокими магнитными характеристиками и т. д. [c.6]

Дальнейшее развитие электроники твердого тела позволило перейти от дискретных полупроводниковых приборов к созданию и серийному производству узлов электронной аппаратуры и схем, устройств и приборов в целом. Это прогрессивное направление техники получило название микроэлектроники. Научной задачей, решаемой с помощью микроэлектроники, является создание сложнейших кибернетических систем для использования в народном хозяйстве, для освоения космоса, для исследований в области биологии и медицины. Техническая задача микроэлектроники сводится к дальнейшему сокращению размеров и массы электронной аппаратуры, увеличению плотности монтажа при одновременном повышении ее долговечности и надежности. Осуществить это возможно только на основе резкого сокращения затрат мош,ности в электронных схемах на полупроводниковых элементах. Экономическая задача микроэлектроники заключается в существенном сокращении потребности в материалах, трудоемкости и капитальных вложений в производство электронной аппаратуры н приборов, в перевозку деталей и аппаратуры, а также в снижении энергетических затрат при ее производстве и эксплуатации. [c.231]

Для сокращения габаритных размеров прибора и снижения расход энергии от батарей вся схема выполнена на полупроводниковы элементах. [c.46]

При разработке конструкций таких самолетов целесообразно, сохраняя полетный вес, уменьшать собственный вес конструкции, соответственно увеличивая коммерческую (полезную, или платную ) нагрузку. При снижении веса пустого самолета на 1 % можно увеличить коммерческую нагрузку примерно на 4,5% и на столько же снизить себестоимость перевозок. В связи с этим в гражданском самолетостроении нашли применение новые высокопрочные сплавы, сотовые конструкции, полупроводниковые элементы в радиоэлектронном оборудовании, склейка металлов и многие другие конструкционные и технологические новшества, способствующие снижению собственного веса конструкции самолета и повышению его эксплуатационной эффективности. [c.379]

Ограничение утечки тяговых токов с локальных участков электрифицированного пути (туннели, депо, станционные парки) может быть осуществлено вентильным секционированием, т. е. подключением таких участков к остальной рельсовой сети посредством полупроводниковых элементов. При необходимости пропуска тягового тока в обход выделенного участка устанавливается шунтирующая перемычка, изолированная от земли, сечением, эквивалентным по проводимости одной рельсовой нити. При двухниточных рельсовых цепях в перемычку и в цепь одного из вентильных блоков последовательно включаются защитные дроссели с сопротивлением сигнальному току 50 гц не менее 5 ом. Перемычка в этом случае подключается к средним точкам путевых дросселей. [c.36]

В новой книге М. Васильев рассказывает о мире машин, вырабатывающих энергию о паровых и газовых турбинах, о двигателях тепловозов и космических ракет, об атомных и геотермических электростанциях. Интересно п живо ведется рассказ о поисках новых путей превращения энергии, тепловых и полупроводниковых элементах, гелиоэлектростанциях, магнитогидродинамических установках и т. д. Книга хорошо иллюстрирована. Рассчитана на широкий круг читателей. [c.2]

Устройство нашего термоэлектрогенератора не сложно. В этом колпаке находятся полупроводниковые элементы, соединенные последовательно друг с другом. Спаи, обращенные к стеклу лампы, нагреваются ее пламенем, обращенные наружу, охлаждаются воздухом. Чтобы увеличить охлаждение, и сделаны выступающие пластины... [c.87]

В качестве оперативной памяти АР в настоящее время наиболее предпочтительно применять ЗУ на магнитных и полупроводниковых элементах (ППЗУ). Последний тип более перспективен благодаря большим возможностям совершенствования технологии [c.23]

Релейный блок представляет собой приемно-усилительное устройство, состоящее из усилителя-калибратора, собранного на полупроводниковых элементах, релейного интегратора и низковольтного выпрямителя со стабилизатором. [c.127]

Тиристорный регулятор напряжения предназначен для стабилизации напряжения машинных генераторов повышенной частоты на заданном уровне при изменении характера и величины нагрузки. Схема регулятора собрана на полупроводниковых элементах. Описываемая схема является результатом совершенствования системы регулирования н стабилизации напряжения машинных генераторов повышенной частоты, работающих параллельно в системе централизованного питания установок для нагрева стальных изделий под термообработку, штамповку и др. (рис. 8.8). [c.218]

Значение е может быть достаточно высоким при использовании металлических проводников в сочетании с полупроводниковыми элементами. [c.79]

Используем вариационную формулировку задачи теплопроводности в неоднородном теле (см. 2.4) для анализа характеристик термоэлектрической теплоизоляции [12]. Рассмотрим плоский слой термоизоляции площадью Fq и толщиной h (рис. 3.7,а) с теплопроводностью теплоизолятора К, заключенный между двумя тонкими металлическими пластинами 1 и 2. Между пластинами расположен также полупроводниковый элемент 3 с площадью поперечного сечения /3, теплопроводностью А. 3 и электропроводностью Р3. Высота элемента может быть меньше h. В этом случае его коммутация с пластинами осуществляется проводниками из одинакового с пластинами материала. В первом приближении температуры и Т2 каждой пластины можно считать постоянными по их поверхности и равными температурам соответствующих контактов с полупроводниковым элементом. Выделение (или поглощение) тепло- [c.79]

Исследования в области микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры начались в конце 1950 г. С тех пор были разработаны различные методы микромодульного конструирования, тонкопленочные устройства, полупроводниковые интегральные схемы. Эти методы быстро развивались, заимствовались лучшие технологические решения тех или иных проблем. Многие специалисты считают, что дальнейшее развитие интегральной микроэлектроники пойдет по пути комбинирования различных подходов к микроминиатюризации. Уже сейчас для получения резисторов с лучшими характеристиками используются методы осаждения тонких пленок непосредственно на полупроводниковые схемы. Изготовители тонкопленочных микросхем разрабатывают методы присоединения полупроводниковых элементов к тонкопленочной пассивной схеме. [c.23]

Большое значение придается высокой надежности изделий. Например, надежность изделий, в частности диэлектрических деталей, во многом зависит от воздействия на них влаги. Поэтому необходимо тщательное изучение механизма диффузий влаги и старения за счет локализации протона в решетке диэлектрика с образованием красящих центров. По мнению ведущих специалистов стоимость и размеры интегральных схем радиоэлектроники в значительной степени определяются эффективностью герметизации. Известно также, что габариты навесного транзистора с чехлом во много раз больше, чем полупроводникового элемента. [c.33]

Небольшой участок высокочастотного тракта заменяется полупроводниковым элементом, нагрев которого при. поглощении мощности создает термо-электродвижущую силу, зависящую от уровня мощности в линии. [c.206]

В качестве регулирующих двигателей в нагружателях используют шаговые двигатели типа ШД-4 с гидроусилителями. Управление осуществляется от программирующего блока, построенного на базе логических и функциональных полупроводниковых элементов серии Спектр . На рис. 2 представлена блок-схема программирующего устройства. [c.157]

Широкое внедрение термоэлектрического охлаждения будет зависеть от дальнейшего прогресса в создании совершенных полупроводниковых материалов, а также от серийного производства эффективных в экономическом отношении термобатарей. Не останавливаясь подробно на последнем обстоятельстве, укажем только, что рационализация конструкции термобатарей и, в частности, применение рассредоточенных полупроводниковых элементов в них, как показали опытные исследования В. А. Семенюка и М. Н. Томашевич, делает возможным сократить в несколько раз расход полупроводникового материала и, следовательно, существенно удешевить их производство [Л. 59]. [c.174]

Деление описаний объектов иа аспекты и иерархические уровни иепосредствеиио касается математических моделей. Выделение аспектов описания приводит к выделению моделей электрических, механических, гидравлических, оптических, химических н т. и., причем модели процессов функционирования изделии и модели процессов их изготовления различные, например модели полупроводниковых элементов интегральных схем, описывающих процессы диффузии и дрейфа подвижных носителей заряда в полупроводниковых областях при функционировании прибора и процеееы диффузии примесей в полупроводник при изготовлении прибора. [c.37]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых элементов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов тиристоров, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих те,мпсратур этих приборов от - 60 до +80" С. [c.77]

Для изготовления полупроводниковых элементов - вьшрямите-лей переменного тока и фотоэлементов - используют серый кристаллический селен. Ширина его запрещенной зоны 1,79 эВ. Температурный интервал работы селеновых выпрямителей от -60 до +75° [c.80]

Процент выхода годных полупроводниковых элементов, их характеристики зависят от степени очистки, однородности исходного материала, степени его легирования к др. Наиболее жесткие требования к полупроводниковым мятепиялям предъявЛ-Яют при производстве транзисторов и интегральных схем. В таких приборах, как фото- и тер.морезисторы, допускается использование поли-кристаллических аморфных веществ. [c.81]

Согласно зонной теории электропроводности полупроводники отличаются малой шириной запрещенной зоны. В табл. 5-1 показана ширина запреш,енной зоны беспри-меснцх полупроводниковых элементов. [c.270]

Карбид кремния. Он является единственным бинарным соединением, образованным полупроводниковыми элементами IV группы таблицы Менделеева. Это нолупроводииковый материал с большой шириной запрещенной зоны 2,8—3,1 эВ (в зависимости от модификаций). Карбид кремния применяют для изготовления полупровод- иковых приборов, работающих дри высоких температурах вплоть до 700 °С. [c.290]

Собственный полупроводник — полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность. Общие представления зонной теории твердого тела, приведенные во введении, указывают, что для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме (см. рис. В-8). Ширина запрещенной зоны полупроводниковых элементов приведена в табл. 8-2. Для наиболее широко используемых полупроводпикоп она составляет (0,8—4,0)-10" Дж (0,5—2,5 эВ). На рис. 8-1, а приведена энергетическая диаграмма собственного полупроводника, т. е. [c.231]

На станках данного типа производится обработка координатнорасположенных отверстий без применения дорогостоящих кондукторов. Точность расположения отверстий при этом зависит от точности останова исполнительного органа станка в заданном положении. Запаздывание с переключениями, инерционные перебеги, люфты, упругие деформации деталей — все это отрицательно сказывается на точности. Основными путями уменьшения влияния указанных факторов на точность позицирования являются следующие подача сигнала на отключение или переключение станка заблаговременно, с учетом фактора запаздывания сокращение времейи прохождения сигнала на отключение или переключение за счет выполнения канала передачи сигнала на быстродействующих полупроводниковых элементах введение торможения рабочего органа станка с выполнением его возможно ближе к исполнительному органу с тем, чтобы уменьшить массу подтормаживаемых узлов. [c.209]

Работы в области полупроводниковых логических элементов привели к созданию методики расчета оптимальных схем элементов, учитывающей как наихудшие, так и вероятностные сочетания значений параметров, к разработке способов повышения надежности элементов за счет построения избыточных структур и созданию различных полупроводниковых элементов и систем. Разработанные элементы нашли широкое применение для построения различных систем автоматического управления, в том числе телеавтоматической системы управления поточно-транспортными линиями. Была разработана единая серия полупроводниковых логических элементов общепромышленного назначения, в которую вошли логические и функциональные элементы, элементы времени, усилителр и блоки питания (рис. 47). Единая серия разрабатывалась совместно Институтом автоматики и телемеханики АН СССР, Всесоюзным научно-исследовательским институтом электропривода, Центральным научно-исследовательским институтом МПС, Конструкторским бюро Цветметавтоматика и рядом других организаций. Разработанная серия полупроводниковых логических элементов работает при колебаниях напряжения питания 20%, изменениях температуры окружающей среды от —45 до +60° С при частоте до 20 кгц. [c.266]

Различные конструктивные элементы по-разному реагируют на акустический шум. Под действием акустического шума, например, в электронных лампах возникаетмикрофонный эффект, начинают вибрировать контакты реле и малогабаритные элементы аппаратуры, а также микросхемы и полупроводниковые элементы. Некоторые электровакуумные приборы имеют наибольшие выходные значения напряжения микрофонного эффекта при воздействии звукового давления с уровнем 140—150 дБ. Звуковое давление возбуждает колебания в корпусах радиоэлементов благодаря распределенному усилию, величина которого зависит от площади каждой детали и уровня дав- [c.443]

С 1950 г. было разработано более 22 новых моделей счетных машин, которые по технической характеристике стоят на уровне современных машин иностранных фирм. В новых конструкциях используются полупроводниковые элементы и ферриты, позволяющие повысить быстродействие и сократить габариты машин. Важнейшие из этих машин — электронный булятор, перфоратор и др. [c.13]

Значительно повышена стабильность электронноламповых усилителей, работающих от О гц (или от малых долей 1 гц) [37]. Специально для виброизмерений созданы низкочастотные усилители на полупроводниковых элементах [38], [39 ]. Эта аппаратура питается низковольтными батареями, совершенно не создает микрофонного эффекта и весьма портативна. Вошли в практику осциллографы с непосредственной записью чернилами или оптическим путем на фотобумаге, не требующей лабораторной обработки [40]. Продолжается разработка автоматических анализаторов спектра, выдающих вместо виброграммы готовую спектрограмму [41 ]. Появились публикации о телеметрической аппаратуре, предназначенной для регистрации на земле вибрации, воспринимаемой датчиками, установленными на летящей ракете [42]. [c.406]

Фотодатчик (рис. 9) состоит из тубуса, в котором укреплено на ламповой панели фотосопротивление ФСА-Г2. Последнее защищено оправой с кварцевым стеклом. Вывод проводов из тубуса осуществляется через штепсельный разъем. Основное звено ЗЗУ — четырехкаскадный усилитель фотодатчика, выполненный на полупроводниковых элементах. [c.18]

Полупроводниковый элемент, изготовленный из сплавов сурьма-цинк (8Ь2п) и сурьма-кадмий (8ЬСс1), представляет собой цилиндр, одна торцевая плоскость которого устанавливается на уровне с внутренней поверхности линии, образуя часть поверхности волноводного тракта, и поэтому нагревается за счет проходящей по тракту высокочастотной мощности. [c.206]

Если обозначить через Si и S2 попе(речное сечение ветвей тер.моэлементов I — высоту полупроводникового элемента р1 и р2 — эле1КтрИ чеокие сопротивления, то [c.160]

Полупроводниковые элементы /V и Р припаиваются к металлическим коммутационным пластинам, образуя в верхней части холодные, а в нижней — горячие спаи. В последнее время сделаны успешные попытки заменять пайку полупроводниковых элементов к коммутационным пластинам механическими прижимами, обеспечивающими хорошие электрические и тепловые контакты. Такая технология обеопечивает более дешевую копстпук-цию термобатарей (называемых модулями ), особенно в серийном их производстве. [c.164]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...