Техника полупроводниковая

Совершенно очевидно, что специалисты, заканчивающие университеты по специальности Физика , Полупроводники и диэлектрики и некоторым другим, а также технические вузы по специальности Технология материалов электронной техники , Полупроводниковые и микроэлектронные приборы и т. п., должны обладать глубокими знаниями в области физики твердого тела. [c.6]

Настоящая книга состоит из четырех глав, в которых рассматриваются некоторые перспективные для производства изделий электронной техники полупроводниковые, магнитные, диэлектрические и лазерные материалы. В каждой главе описаны физические процессы, происходящие в конкретных материалах, свойства, основные методы получения и области применения. Особое внимание уделено зависимости свойств материалов от их состава, структуры и технологии получения. [c.3]

К группе редких металлов относится примерно 55 элементов периодической системы. Редкие металлы в значительной мере определяют развитие таких отраслей промышленности, как производство специальных сталей, твердых и жаропрочных сплавов, электровакуумной техники, полупроводниковой электроники, а также производство атомной энергии. [c.446]

На ближайшие годы намечено дальнейшее совершенствование технологического режима, модернизация большинства устаревших типов электролизеров, ввод в эксплуатацию новых серий электролиза, оборудованных электролизерами е предварительно обожженными анодами, и окончание замены устаревшей преобразовательной техники полупроводниковой. Осуществление этих [c.344]

Электроосаждение металлов является одним из основных разделов электрохимии, имеющих большое практическое значение. Область применения электроосаждения металлов в связи с быстрым ростом техники непрерывно расширяется. В последние годы перед учеными и практиками, работающими в области электроосаждения металлов, ставится ряд новых важных задач,, а именно, получение покрытий, обладающих такими свойствами, как магнитные, — для запоминающих устройств быстродействующей вычислительной техники, полупроводниковые — для ряда усилителей и фотоэлементов, сверхпроводниковые — для создания малогабаритных электромагнитов большой мощности, жаропрочные и жаростойкие — для реактивной техники. [c.6]

Важнейшей характеристикой, определяющей качество германия и кремния в технике полупроводниковых приборов, является величина т, называемая временем жизни неосновных, носителей тока. В большинстве случаев т желательно иметь максимальным. [c.151]

Металловедение в связи с непрерывным ростом уровня современной техники, усложнением и расширением требований, предъявляемых к свойствам и качеству металлических сплавов, продолжает успешно развиваться и в настоящее время. За последние годы были созданы новые виды термической и химикотермической обработки стали, разработаны основы легирования стали, созданы высокопрочные, коррозионностойкие, жаропрочные стали и сплавы, а также сплавы на основе алюминия, титана и других металлов. В связи с развитием электровакуумной техники, полупроводниковой электроники, производства атомной энергии все более широкое применение получают в технике редкие металлы и их сплавы. [c.8]

Но самым удивительным свойством полупроводников оказалось свойство односторонней проводимости контакта двух полупроводниковых кристаллов различного типа. Это свойство используется при создании разнообразных полупроводниковых приборов, служащих материальной базой современной радиоэлектроники, автоматики и вычислительной техники. [c.154]

Свойства р — п-перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р — га-перехода. [c.157]

В настоящее время существует много различных материалов, которые используются в качестве активных сред в лазерной технике диэлектрические кристаллы, активированные стекла, газы, растворы и пары красителей, полупроводники и др. В зависимости от вида активной среды различают следующие основные типы лазеров твердотельные, газовые, жидкостные и полупроводниковые. Коротко охарактеризуем их. [c.285]

Использование стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, низкой стоимостью и набором определенных электрофизических свойств. Так, на примере аморфного кремния в книге описывается, как можно не только получать 99 %-ную экономию дорогостоящего полупроводникового материала, но и значительно улучшать технические характеристики полупроводниковых преобразователей солнечной энергии (солнечных батарей). [c.3]

Галлий (Са) интересен тем, что он плавится почти при комнатной температуре. Как и индий, его применяют в полупроводниковой технике в качестве легирующей примеси для германия. [c.35]

При неполной загрузке тиристоров по току возможно использование схемы рис. 10-2 вплоть до 20—30 кГц. Это позволяет при существующих полупроводниковых приборах удовлетворить потребности ультразвуковой техники и установок индукционного нагрева в преобразователях мощностью 20—30 кВт. В индивидуальных разработках используются и другие схемы инверторов. [c.169]

Диапазон изменения электросопротивления у полупроводниковых материалов весьма широк (р = 10 - - 10 ом-см) однако материалы характеризуются некоторыми другими специфическими свойствами, отличающими их от металлов и изоляторов, Например, если электросопротивление металлов возрастает с повышением температуры, то у полупроводниковых материалов оно падает, т. е. полупроводники в большинстве случаев обладают отрицательным температурным коэффициентом электросопротивления примеси уменьшают электропроводность металлов, но увеличивают проводимость полупроводниковых материалов. Полупроводники обладают фотопроводимостью, т. е. при действии излучений у них возникают дополнительные свободные носители заряда. В приборной технике полупроводники нашли широкое применение, поскольку они могут служить выпрямительными элементами, генерировать огромные термо-э. д. с., усиливать ток, позволяют увеличить ресурс и надежность электронных устройств, уменьшить размеры и вес приборов, а также сократить потребление электрической энергии. [c.279]

Галлий интересен тем, что плавится при комнатной температуре (см. табл. 7-1). Как и индий, он применяется в полупроводниковой технике в качестве легирующей примеси для германия и кремния. [c.218]

Дальнейшее развитие электроники твердого тела позволило перейти от дискретных полупроводниковых приборов к созданию и серийному производству узлов электронной аппаратуры и схем, устройств и приборов в целом. Это прогрессивное направление техники получило название микроэлектроники. Научной задачей, решаемой с помощью микроэлектроники, является создание сложнейших кибернетических систем для использования в народном хозяйстве, для освоения космоса, для исследований в области биологии и медицины. Техническая задача микроэлектроники сводится к дальнейшему сокращению размеров и массы электронной аппаратуры, увеличению плотности монтажа при одновременном повышении ее долговечности и надежности. Осуществить это возможно только на основе резкого сокращения затрат мош,ности в электронных схемах на полупроводниковых элементах. Экономическая задача микроэлектроники заключается в существенном сокращении потребности в материалах, трудоемкости и капитальных вложений в производство электронной аппаратуры н приборов, в перевозку деталей и аппаратуры, а также в снижении энергетических затрат при ее производстве и эксплуатации. [c.231]

Какие виды полупроводниковых материалов применяются в технике [c.266]

Экспериментальные способы дают возможность измерений различных параметров движения в производственной обстановке на образцах механизмов, машин и приборов или на их моделях. Возникновение и совершенствование электронной техники и полупроводниковых устройств расширило возможности измерений быстроменяющихся параметров движения и способствовало повышению точности измерений. [c.39]

Импульсные свойства. Другой весьма широкой областью применения полупроводниковых диодов являются импульсные схемы радиоэлектроники, вычислительной техники и автоматики. Основ- ным параметром, определяющим пригодность диодов для этой цели, является их быстродействие, характеризуемое длительностью переключения р—/г-перехода с прямого смещения на обратное и, наоборот, с обратного на прямое. [c.229]

С появлением и развитием полупроводниковой техники произошла смена ртутных выпрямителей на кремниевые, имеющие более высокий внутренний к. п. д. и значительно меньшие габариты. [c.19]

В решениях XXV съезда Коммунистической партии Советского Союза большое внимание уделяется вопросу повышения качества всех видов продукции. В последнее время в области машиностроения непрерывно повышаются требования к качеству и надежности летательных аппаратов, изделий ядерной энергетики, электронных полупроводниковых приборов, топливных и газовых магистралей, вакуумной и космической техники. Все это вызывает острую необходимость в создании и освоении объективных, высокочувствительных методов и средств контроля, в частности, контроля герметичности конструкций. Эта проблема может быть решена путем разработки специальных методов контроля и аппаратуры на основе использования последних достижений в области современной физики, химии и электроники. Одним из видов контроля является неразрушающий контроль течеисканием (ГОСТ 18353—73), основанный на регистрации индикаторных жидкостей и газов, проникающих в сквозные дефекты контролируемого объекта. При течеискании, в основном, выявляют течи и определяют их места расположения. Более широким понятием является контроль герметичности, который предусматривает и количественную оценку герметичности конструкций. [c.3]

Исследование пластических свойств полупроводниковых кристаллов, приобретающее все большую актуальность в связи с развитием ряда отраслей новой техники, сопряжено со значительными методическими трудностями. В первую очередь это объясняется хрупкостью полупроводников, обусловленной высокими значениями сил Пайерлса. [c.251]

В книге описаны свойства, методы получения и области применения новых материалов электронной техники полупроводниковых, магнитных, днэлектриче ских и лазерных. Показана связь между составом, структурой, физическими и химическими свойствами материалов, технологией их производства и параметра ми изготовляемых приборов. [c.2]

В авиационной технике полупроводниковые материалы используют в приборах для генерации и усиления электрических сигналов и выпрямления переменного тока (диоды) и в качестве фотосопротивления и фотодиодов. Термоэлектрические свойства полупроводников позволяют применять их в качестве термосопротивлений, термоэлементов, термостабилизаторов и при создании солнечных батарей. Магнитные свойства полупроводниковых материалов (окислы металлов переходных групп, соединения металлов с серой, теллуром и селеном) позволяют применять их при изготовлении малогабаритных антенн, транс- [c.279]

Применение. С., обладающие фоторефрактивным эффектом, используются для записи и обработки оптич. сигналов. Сегнетокерамика с эффектом ПТКС применяется для создания приборов в системах теплового контроля и в измерит, технике. Полупроводниковая сегнетокерамика с гонкими межзёренными прослойками испольэуетсп в конденсаторах большой ёмкости. Высокоомные С. применяются в гибридных структурах, где возможно управление проводимостью полевого транзистора в канале исток— сток путём переключения спонтанной поляризации в сегнетоэлектрич. затворе. Возможно использование переключения сегнетоэлектрич, доменов в плёнках для создания энергонезависимых устройств памяти с высокой ёмкостью и высоким быстродействием (технология таких устройств совместима с кремниевой технологией). [c.475]

Титан имеет довольно высокую (1668 °С) температуру плавления и плотность 4,5 г/см . Благодаря высокой удельной прочности и превосходным противокоррозионным свойствам его широко применяют в авиационной технике. В настоящее время его используют также для изготовления оборудования химических производств. В ряду напряжений титан является активным металлом расчетный стандартный потенциал для реакции + + 2ё Ti составляет —1,63 В . В активном состоянии он может окисляться с переходом в раствор в виде ионов [1]. Металл легко пассивируется в аэрированных водных растворах, включая разбавленные кислоты и щелочи. В пассивном состоянии титан покрыт нестехиометрической оксидной пленкой усредненный состав пленки соответствует TiOj. Полупроводниковые свойства пассивирующей пленки обусловлены в основном наличием кислородных анионных вакансий и междоузельных ионов Ti , которые выполняют функцию доноров электронов и обеспечивают оксиду проводимость /г-типа. Потенциал титана в морской воде близок к потенциалу нержавеющих сталей. Фладе-потенциал имеет довольно отрицательное значение Ер = —0,05В) [2, 3], что указывает на устойчивую пассивность металла. Нарушение пассивности происходит только под действием крепких кислот и щелочей и сопровождается значительной коррозией. [c.372]

Точность измерения скорости света определяется в этом случае, во-первых, тем, насколько стабилен данный источник, и, во-вторых, тем, с какой точностью удается измерить частоту и длину волны излучения. Источниками электромагнитного излучения, наиболее удовлетворяющими этим требованиям, являются лазеры. Измерение длины В0Л1ГЫ , основанное на явлении интерференции света, производится с ошибкой, не превышающей величину порядка 10 , Измерение частоты излучения основано на технике нелинейного преобразования частоты. Используемый прибор (например, полупроводниковый диод), приняв синусоидальное колебание некоторой частоты, дает на выходе колебания более высокой частоты — удвоенной, утроенной и т. д. Этот метод с помощью нелинейного элемента излучс1П1Я кратной частоты позволяет измерять частоту излучения лазера и сравнивать его с частотами, измеренным прежде. Согласно результатам изме-рени , в1> пол 1ен ЫМ этим методом в 1972 г., скорость света в вакууме равна (299792456,2 1,1) м/с. Новые методы разработки нелинейных фотодиодов, испо.и.зусмых для смещения частот светового диапазона спектра, позволят в будущем увеличить точность лазерных измерений скорости света. [c.418]

Физика твердого тела представляет собой один из важнейших разделов современной науки. Благодаря успехам физики твердого тела стали возможны огромные достижения квантовой электрони ки, полупроводниковой техники, достижения в области создания материалов с уникальными физическими свойствами, определяющие в значительной степени важнейшие направления научно-технического прогресса. Неудивительно поэтому, что примерно половина всех физиков мира — исследователей и инженеров — занимаются теми или иными вопросами физики твердого тела. Большой вклад в развитие физики твердого тела внесли советские ученые Я. И. Френкель, Л. Д. Ландау, Б. Л. Гинзбург, А. В. Шубников, Н. В. Белов, Н. Н. Боголюбов и многие другие. [c.8]

Вторым направлением в работах, проводимых по изделиям электронной техники, является стандартизация технических требований к веществам и материалам, используемым в производстве этих изделий (полупроводниковые материалы, тугоплавкие метал-лы вктрпкочастотные полимерные материалы, тонкие пленки и т. п.). [c.17]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Преимущественная область применения методов и техники СВЧ — это контроль полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических, композитных, ферритовых и полупроводниковых материалов, в которых радиоволны распространяются. От металлических структур радиоволны полностью отражаются, поэтому их применение возможно только для контроля геометрических параметров и поверхностных дефектов, а в случае толщиноме-трии металлических лент, листов, проката требуется двустороннее располо- [c.205]

Использующиеся в практике полупроводники могут быть подразделены на простые полупроводники (их основной состав образован атомами одного химического элемента) и сложные полупроводниковые композиции, основной состав которых образован атомами двух или большего числа химических элементов. В настоящее время изучаются также стеклообразные и жидкие полупроводники. Простых полупроводников существует около десятка, они приведены в табл. 8-2. В современной технике особое значение приобрели кремний, германий и частично селен. Сложными полупроводниками являются соединения элементов различных групп таблицы Менделеева, соответствующие общим формулам (например, Si ), A4 Bv (InSb, GaAs, GaP), A B>v ( dS, ZnSe), a также некоторые [c.230]

Асинхронный вентильный каскад разработан советскими ученьши (начало разработок относится к 1937 г.). За рубежом интерес к нему проявился несколько позднее. Большое влияние на развитие вентильных каскадов оказал прогресс в области силовой полупроводниковой техники. [c.123]

Оптические свойства полупроводников. Выше, в 1.2, было показано, что методы ИПД могут быть использованы для получения наноструктур не только в чистых металлах и сплавах, но и в полупроводниковых материалах, широко используемых в электронной технике. В последние годы значительный интерес вызвали оптические свойства наноструктурных Si и Ge, в которых наблюдалось люминесцентное свечение в видимой области спектра. Эти эффекты были обнаружены в пористом Si, полученном химическим травлением [396, 397], в образцах Si, полученных электронно-лучевым распылением [398], и в нанокристаллах Ge, полученным магнетронным распылением [399]. Вместе с тем в этих работах исследованные образцы были в виде пористого материала или тонких пленок. В этой связи интерес представляет исследование спектров рамановского рассеяния и фотолюминес- [c.232]

Полупроиодниковйе лазеры. Для решения многих задач радиоэлектроники и вычислительной техники большое значение имеют полупроводниковые лазеры, в которых используется явление индуцированного излучения, воз- [c.341]

В настоящее время с появлением полупроводниковой техники выпрямители на основе полупроводников играют огромную роль в дальнейшем совершенствовании электропривода. Особенно широкое распространение полупроводниковые преобразователи получили в электролитических процессах производства алюминия, титана, никеля, электролитической меди, каустика и т. п. Полупроводниковые преобразователи в больших масшта- [c.14]

В данное время с появлением полупроводниковой техники выпрямители из полупроводников ршрают огромную роль в дальнейшем совершенствовании электропривода, работающего по схеме электрического вала. [c.28]

Внедрение в народное хозяйство в 1976—1980 гг. более экономичного электротехнического оборудоваиия, полупроводниковой техники, экономичных источников электроосвеш,бния, замена устаревшего и модернизация действующего оборудования, применение прогрессивной технологии, снижение материалоемкости производства и проведение других мероприятий позволили обеспечить в 1980 г. экономию электроэнергии по сравнению с 1975 г, в размере 51 млрд. кВт-ч, или более 5%. [c.48]

Методика и измерительная техника микрорадиоволновых испытаний. Диапазон микрорадиоволн относится к участку электромагнитного спектра 3X 10 3х т. е. диапазону миллиметровых волн. В качестве источников микрорадиоволн используются различные типы генераторов отражательные клистроны, магнетроны, лампы обратной и бегущей волн, полупроводниковые генераторы (диоды Гана, лавинопролетные диоды). Выбор того или иного типа генератора обуславливается требуемой генерируемой мощностью и их габаритами. Исследования, проведенные ранее [34], показали, что для контроля изделий с малыми потерями, т. е. для сравнительно хорощих диэлектриков, не требуется большой мощности излучения. Поэтому отражательные клистроны, имеющие мощность излучения порядка 22 мВт, получили [c.132]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...