Сопротивления полупроводниковые термические

Магнитоэлектрический указатель температуры воды. Прибор состоит из датчика с полупроводниковым термическим сопротивлением (термистором) и магнитоэлектрического приемника. [c.142]

Температурная зависимость удельного сопротивления полупроводника, в который добавлено небольшое количество примеси, показана на рис. 5.7 [12]. На практике в полупроводнике всегда присутствуют как донорные, так и акцепторные примеси, и разработчик полупроводниковых термометров сопротивления может лишь выбирать соотношение между теми и другими. Для описания процессов проводимости рассмотрим германий, содержащий донорные атомы мышьяка в концентрации N(1 и какие-либо акцепторные атомы в концентрации Л а-На рис. 5.7 можно выделить четыре температурных диапазона, в каждом из которых преобладает какой-либо один механизм проводимости". В высокотемпературном диапазоне [I] проводимость обусловлена главным образом электронами, термически возбужденными из валентной зоны в зону проводимости согласно уравнению (5.8), поскольку все примесные атомы давно уже ионизованы. Это область собственной проводимости для германия она начинается чуть выше 400 К. Этот диапазон не представляет особого интереса для германиевых термометров сопротивления. [c.198]

Для полупроводникового триода П-207 максимально допустимая температура коллекторного перехода ip.n = 85Х внутреннее термическое сопротивление, преодолеваемое тепловым потоком на пути от /j-n-перехода к корпусу, равно / пк = 0,6 К/Вт потери тепловой мощности в триоде Я — 15 Вт. Триод используется с радиатором, температура перегрева которого (относительно воздушной среды) в зоне контакта с триодом пропорциональна рассеиваемой тепловой мощности с коэффициентом Fp = 1,73 К/Вт. Известен практически возможный диапазон контактного термосопротивления между триодами и радиаторами / == (0,3... 0,5) К/Вт, При какой максимальной температуре среды гарантирована длительная работа триода Как изменилось бы это предельное значение при отсутствии контактного термосопротивления [c.222]

Ток, при котором Т = То, соответствует режиму, когда полупроводниковая стенка не представляет никакого термического сопротивления и весь поток тепла переносится электронами. В этом случае теплопередача идет более интенсивно, чем через металлическую стенку. [c.172]

Полупроводниковые термометры сопротивления ПТС (термисторы или терморезисторы) изготавливают с чувствительными элементами из термически обработанных смесей окислов меди, марганца, магния, никеля, кобальта и других металлов, обладающих свойствами полупроводников. Чув- [c.216]

Измерение деформаций деталей прокатного стана, пресса, волочильной машины производится при помощи тензодатчиков. Метод основан на изменении электрического сопротивления датчиков при их совместной деформации с исследуемой деталью. Датчик сопротивления выполняется в виде плоской спирали (рис. 122,6) из проволоки или фольги. Значительно большей чувствительностью отличаются датчики, изготовленные из полупроводниковых материалов. Датчики закрепляются на поверхности исследуемой детали ле термической обработки [c.265]

Ha рис. 556 представлена диаграмма состояния Sb-Tb по данным работы [1], в которой проводили исследования методами дифференциального термического, микроскопического и рентгеновского анализов. Сплавы получали путем нагрева в печи сопротивления порошков компонентов, помещенных в молибденовый тигель. Для приготовления сплавов использовали дистиллированный ТЪ чистотой более 99,9 % (по массе) и Sb полупроводниковой чистоты. [c.237]

В целях интенсификации процесса отвода тепла от рабо-тающих полупроводниковых приборов осуществляют их посадку на радиаторы (рис. 6-8). Трансформаторы, как правило, закрепляют на шасси (рис. 6-9), которые выполняют роль теплоотводов. В обоих случаях тепловой поток наибольшей мощности направлен на теплоотводы. Однако в местах крепления диодов, триодов и трансформаторов к теплоотводам возникает контактное термическое сопротивление, вызванное наличием межконтактной прослойки переменной толщины (обычно [c.160]

Магнитоэлектрический указатель температуры охлаждающей жидкости устанавливается на автомобилях ГАЗ-66, ЗИЛ-131 и КрАЗ-257. Прибор (рис. 52) состоит из датчика ТМЮО с полупроводниковым термическим сопротивлением (термистором) и магнитоэлектрического приемника УКЮ5, рассчитанных на 12 и 24 в. [c.126]

Магнитоэлектрический указатель температуры охлаждающей жидкости устанавливают на автомобилях ГАЗ-66, ЗИЛ-131 и КрАЗ-257. Прибор (рис. 45) состоит из датчика ТМ100 с полупроводниковым термическим сопротивлением (резистором) и магнитоэлектрического приемника, рассчитанных на 12 или 24 в. [c.92]

Действие термометров сопротивления основано на свойстве металлов увеличивать свое электрическое сопротивление при нагревании. Для изготовления термочувствительных элементов термометров сопротивления используют металлы, имеющие больпюй коэффициент сопротивления а платину, медь, никель, железо. Термометры сопротивления имеют значительные габариты, что не позволяет устанавливать их в небольших по размеру образцах. Более совершенны полупроводниковые термометры сопротивления, они характеризуются малой термической инерционностью и пригодны для быстро изменяющихся температур. [c.213]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

На установке, описанной в главе четвертой, проводились исследования термического сопротивления прослойки для специально приготовленных образцов. Процесс структурирования наполнителя в клеевых прослойках осуществлялся на специально изготовленной высоковольтной установке, схема которой изображена на рис. 5-13. В качестве полимерной основы изучалась эпоксидная композиция на основе ЭД-5 и ПЭПА. Наполнителями служили порошки меди и алюминия. Порошкообразная электролитическая медь с частицами сферической формы эквивалентного диаметра d = 7 мкм и алюминиевый порошок с диаметром частиц d = 8,2 мкм предварительно окислялись в среде воздуха. При этом медные частицы покрывались полупроводниковой пленкой U2O, способствующей образованию пространственной структуры в клеевой прослойке, а алюминиевые — диэлектрической окисной пленкой AI2O3, предрасполагающей к образованию мостиковой структуры в клеевой [c.229]

В условиях термического возбуждения полупроводниковы.х кристаллов при высоких температурах вычисляется вклад равновесных плазменных колебаний в электросопротивление. Теоретически показывается, что для металлических пленок при гелиевых температурах в состоянии пучковой неустойчивости возникает аномально высокое плазменное сопротивление току. При этом возбуждается также линейчатый плазменный спектр излучения, лежащий в видимой области его измерение может служить методом определения эффективной массы электронов в металлах. Библиография 14 назв. [c.490]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...