Тензорезисторы полупроводниковые — Конструкция 412 — Характеристики

Для изготовления полупроводниковых тензорезисторов в основном применяется кремний и германий. Они химически инертны, выдерживают нагрев до 500—540 С, позволяют изготовлять тензо-рез сторы различной формы. Конструкции полупроводниковых тензорезисторов приведены на рнс. 5.11. Вывод тензорезистора имеет два участка (7 и 2) с помощью участка I (полоски из золота) обеспечивается сварка с полупроводниколт, а участком 2 (из меди) монтаж в схеме. К недостаткам полупроводниковых тензорезнсто-ров следует отнести их малые механическую прочность, гибкость, нелинейность характеристики, большой разброс от образца к образцу и высокую чувствительность к воздействию внешних условйй. [c.134]

На рис.2.8 показаны расчетные и экспериментальные зависимости выходных сигналов тензомостов датчика от силы Рх, отражающие низкий уровень перекрестного взаимного влияния между каналами (ке более 1 %), хорошую ЛиНсйНии1ь и дистагочную степень совпадения теоретических (штриховые линии) и экспериментальных (сплошные линии) характеристик. Максимальный выходной сигнал достигает 1 В, что обеспечивается благодаря применению полупроводниковых тензорезисторов с коэффициентом чувствительности, равным 150. Недостатками рассматриваемой конструкции являются значительные размеры датчика и неравномерная нагрузка на отдельные модули при одинаковых силах, действующих по различным осям. [c.39]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...