Материалы полупроводниковые

В настоящее время кремний является базовым материалом полупроводниковой электроники. Он используется как для создания [c.288]

Почему кремний стал важнейшим материалом полупроводниковой электроники [c.266]

В, а-8п, Те, 8е и др. Важнейшими представителями этой группы являются Се и 8 — осн. материалы полупроводниковой электроники. Обладая 4 валентными электронами, атомы Се и 81 образуют кристаллич. решётку типа алмаза, где каждый атом имеет 4 ближайших соседа, с каждым из к-рых связан ковалентной связью (координация соседей — тетраэдрическая). Они образуют между собой непрерывный ряд твёрдых растворов, также являющихся важными П. м. [c.44]

Широкое применение Ш-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств идеального кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16]. [c.34]

Доводку применяют поэтому в случае чувствительных к шлифованию (хрупких) материалов (полупроводниковые материалы Si, GeV [c.166]

Из имеющихся в настоящее время примеров применения локальных методов исследования поверхностей к решению прикладных задач рассмотрим касающиеся только следующих областей сегрегации примесей на поверхности, границах зерен, межфазных границах коррозии (включая межкристаллитную) и окисления. Имеются работы по контролю поверхностей раздела в композиционных материалах [7], идентификации атомных структур и выделяющихся на поверхности фаз [5], поверхностной диффузии и поверхностных реакций, адгезии и износа. Много работ посвящено исследованию поверхности катализаторов в связи с Их активностью [6] и материалам полупроводниковой техники [8]. Все результаты, приведенные ниже, получены методом ОЭС, иногда в сочетании с другими методами. [c.158]

Материалы полупроводниковых лазеров [c.39]

Таблица 24.2 Материалы полупроводниковых лазеров и светодиодов

Температура плавления (табл. 84). Материалы полупроводниковой чистоты использовались только в последних трех работах, однако, поскольку величина 612° С была получена при изучении диаграммы состояния 5Ь—5е, этот результат должен считаться наиболее достоверным. Температура 615° С была получена при калориметрических измерениях и является менее точной. [c.171]

Алмазные резцы. В целях повышения точности и чистоты обработанной поверхности применяют тонкое точение (растачивание) алмазными резцами. Алмазные резцы обладают большой износостойкостью, твердостью и наименьшим коэффициентом трения. Алмазные резцы применяют при обработке материалов с повышенной абразивной способностью пластмасс, изоляционных материалов, полупроводниковых материалов и т. д., а также бронз, латуней, алюминия и легких сплавов. При обработке пластмасс алмазными резцами их стойкость выше стойкости твердосплавных в сотни раз. [c.430]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ [c.116]

Однозначный ответ на вопрос, являются ли эти материалы полупроводниковыми, должны дать исследования спектров поглощения в указанном интервале энергий, однако из-за очень высоких концентраций носителей тока такие исследования представляют очень большие экспериментальные трудности и до сих пор проведены не были. [c.86]

Более широко известное и важное применение полупроводниковых материалов -полупроводниковые приборы с п-р-переходами. В полупроводниках п-типа уровень Ферми располагается несколько выше центра запрещенной зоны, тогда как в полупроводниках р-типа он находится ниже этого центра. Поэтому если проводники разного типа привести в контакт, т.е. создать переход, то положение запрещенных зон должно измениться таким образом, чтобы энергия Ферми для обоих материалов оказалась одинаковой. Это означает, что верхняя граница валентной зоны в материале п-типа снизится, а в материале р-типа поднимется. При этом сами по себе атомы, безусловно, не смещаются, а продолжают в виде ионов занимать свои места в кристаллической решетке. Следовательно, материал п-типа окажется заряженным положительно, а р-типа - отрицательно. Возникшая разность потенциалов называется контактной разностью потенциалов. Электроны проводимости представляют собой основные носители в материалах п-типа и неосновные носители в материалах р-типа. На границе перехода может быть создано положительное или отрицательное смещение. [c.24]

Наиболее широко используют алмазные резцы для тонкого точения и растачивания деталей из сплавов алюминия, бронз, латуней и неметаллических материалов. Алмазный инструмент применяют для обработки твердых материалов, германия, кремния, полупроводниковых материалов, керамики, жаропрочных сталей и сплавов. При использовании алмазных инструментов повышается качество обработанных поверхностей деталей. Обработку ведут со скоростями резания более 100 м/мин. Поверхности деталей, обработанные в этих условиях, имеют низкую шероховатость и высокую точность размеров. [c.280]

Электронно-лучевой метод перспективен при обработке отверстий диаметром 1 мм—10 мкм, прорезании пазов, резке заготовок, изготовлении тонких пленок и сеток из фольги. Обрабатывают заготовки из труднообрабатываемых металлов и сплавов, а также из неметаллических материалов рубина, керамики, кварца, полупроводниковых материалов. [c.413]

Для обработки заготовок из высокопрочных и коррозионно-стойких сталей, жаропрочных, магнитных и твердых сплавов, полупроводниковых и других материалов, а также заготовок сложной конфигурации из легированных сталей эффективно применять электрохимические методы размерной обработки, основанные на принципе анодного растворения [c.305]

Полупроводниковые материалы — это вещества, которые по своей удельной электропроводности занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками. [c.387]

Идеальные кристаллы, не содержащие примесей, почти не встречаются. Примеси в кристаллах полупроводниковых материалов увеличивают количество электронов или дырок. Так, при введении одного атома 5Ь в 1 см Ое или 81 возникает один электрон, а одного атома В— одна дырка. Присутствие даже 10 примесей изменяет электрические характеристики Ое (р = 0,15). [c.388]

При равной концентрации донорных и акцепторных примесей в кристалле электропроводность обеспечивается (как и в чистом полупроводниковом материале) электронами и дырками вследствие разрыва валентных связей. Такие полупроводниковые материалы являются компенсированными. [c.389]

Важнейшей характеристикой, определяющей качество Ge и Si как полупроводниковых материалов, является время жизни т неосновных носителей заряда, которое должно быть максимальным. [c.389]

Поскольку в поликристаллическом естественном материале возникают неконтролируемые изменения электрических свойств, то часто выращивают искусственные монокристаллы полупроводниковых материалов. При выращивании монокристаллов в расплав 51 опускают [c.390]

Полупроводниковый лазер генерирует когерентное излучение в результате процессов, происходящих в р-и-переходе на полупроводниковом материале. На рис. 3.8 показана схема полупроводникового лазера на арсениде галлия. Кристалл имеет размеры около 0,5...1,0 мм . Верхняя его часть 2 представляет собой полупроводник р-типа, нижняя / — п-типа, между ними имеется р-п-переход 4 толщиной около 0,1 мкм. [c.123]

Механические сварочные процессы обычно протекают без введения тепловой энергии извне, хотя при механическом воздействии в ряде случаев возможно частичное преобразование механической энергии в зоне соединения в тепловую. Нагрев зоны сварки в данном случае снижает предел текучести свариваемых материалов, улучшает условия их деформирования, но иногда может оказать вредное воздействие на соединяемые детали (например, в случае герметизации сваркой собранных полупроводниковых приборов). [c.135]

Тем не менее эти методы нанесения представляют большой интерес для увеличения излучательной способности полупроводниковых материалов кремниевых приборов. [c.107]

Промышленное применение. Технологические возможности диффузионной сварки позволяют широко использовать этот процесс в приборостроительной и электронной промышленности при создании металлокерамических и катодных узлов, вакузпм-плотных соединений из разнородных материалов, полупроводниковых приборов, при производстве штампов и т.п. [c.511]

Д.ИЯ сварки полупроводниковых материалов, пмеюпщх различную ншрину запрещенной зоны w-i и ш.,), выбирают лазер с энергией квантов Wji, отвечающей условию < Уц <С w. . [c.169]

Поскольку удельная электронная электропроводность у полупроводниковых материалов значительно меньше, чем у металлов, подвижность носителей заряда их больше (т. е. электроны в плохопроводящих материалах могут двигаться более свободно, чем в металлах). Поэтому тепловыми, световыми, электрическими и механическими воздействиями можно управлять электропроводностью полупроводниковых структур. [c.387]

К полупроводниковым материалам относятся большинство минералов, неметаллические элементы IV, V и VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов. Наибольшее применение получили элементы IV группы — Ое и 51, обладающие тетрагональной кристаллической решеткой типа алмаза. В вершинах тетраэдра раеположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими атомами силами ковалентной связи, поскольку все они обладают четырьмя внешними валентными электронами. [c.387]

Наибольшее значение получили сплавы Ge и Se в различных сочетаниях, поскольку при этом возникают смежные области с разными типами электропроводности(ц-типаили р-типа), а граница этих областей п-р (р-п или р-п-р и т. д.)-переход является основой полупроводниковых приборов. Такие композиции можно получать лишь путем легирования полупроводниковых материалов высокой чистоты дозированным количеством соответствующих примесей (10 —Ю %). [c.389]

Кроме элементарных полупроводниковых материалов, находят применение полупроводниковые соединения, получаемые путем сплавления или химической обработки чистых элементов СпО (для полупроводниковых выпрямителей), SbZn (для полупроводниковых термобатарей), РЬТе (для фотоэлектрических приборов и термоэлементов) и др. [c.389]

А1А , А18Ь, ОаР, ОаАз, ОаЗЬ, 1пР, 1пА5, 1п5Ь. По ряду свойств эти химические соединения близки к полупроводниковым материалам — Ое и 51. Так, подвижность носителей заряда в них достигает больших значений ширина запрещенной зоны также велика, а вводимые примеси изменяют механизм электропроводности, поскольку некоторые атомы II группы (2п, Сс1) являются акцепторными, а VI группы (5е, Те) — донорными примесями. [c.390]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

Диод германиевый — полупроводниковый диод монокристаллнчес-кой структуры, изготовленный из примесных полупроводниковых материалов, полученных на основе германия [4]. [c.142]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...