24, (определение) полупроводниковые

Электронные и полупроводниковые приборы (тиристоры) обеспечивают включение п выключение тока со строго определенной продолжительностью импульсов тока и пауз. Их применяют для всех типов контактных машин автоматического действия. [c.220]

Основные задачи функционального проектирования следующие разработка структурных схем, определение требований к выходным параметрам анализ и формирование ТЗ на разработку отдельных блоков ЭВА синтез функциональных и принципиальных схем полученных блоков контроль и выработка диагностических тестов проверка работоспособности синтезируемых блоков расчеты параметров пассивных компонентов и определение требований к параметрам активных компонентов формулировка ТЗ на проектирование компонентов выбор физической структуры, топологии компонентов расчеты параметров диффузионных профилей и полупроводниковых компонентов, электрических параметров, параметров технологических процессов эпитаксии, диффузии, окисления и др. вероятностные требования к выходным параметрам компонентов. [c.10]

Термины и определения для полупроводниковых приборов устанавливает ГОСТ 2.730—73, систему обозначений — ГОСТ 10862—72, а условные графические обозначения — ГОСТ 2.730-73. [c.194]

Солнечная энергия может быть преобразована непосредственно в электрическую при помощи полупроводниковых элементов. Сейчас подобные системы — необходимая часть энергоснабжения всех космических кораблей. Создание земных установок для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую связано с определенными трудностями и экономически выгодно лишь в районах с благоприятным климатом. Рациональным является размещение станций на спутнике, обращающемся вокруг Земли (рис. 0-4) [228] в космосе, где наиболее эффективен процесс преобразования солнечной энергии, доступной почти 24 ч в сутки при удвоенной интенсивности излучения. Солнечные космические энергосистемы могли бы полностью обеспечить энергетические потребности в будущем, удовлетворитель- [c.8]

Блок полупроводниковый выпрямительный — набор выпрямительных полупроводниковых диодов, собранных по определенной электрической схеме в единую конструкцию, имеющую более двух выводов. [c.140]

В последнее время в связи с микроминиатюризацией радиоэлектронной аппаратуры проявляется большой интерес к изучению и использованию для обработки информации специфических доменных структур — полосовых, цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и ряда других. Долгое время микроминиатюризация магнитных элементов и устройств значительно отставала от микроминиатюризации полупроводниковых устройств. Однако в последние годы здесь достигнуты большие успехи. Они связаны с возможностью использования единичного магнитного домена в качестве элементарного носителя информации. Обычно таким носителем информации является ЦМД. Он формируется при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. [c.349]

Использование стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, низкой стоимостью и набором определенных электрофизических свойств. Так, на примере аморфного кремния в книге описывается, как можно не только получать 99 %-ную экономию дорогостоящего полупроводникового материала, но и значительно улучшать технические характеристики полупроводниковых преобразователей солнечной энергии (солнечных батарей). [c.3]

Эффект Холла интересен не только как метод определения характеристик полупроводниковых материалов, но и как принцип дейст-вия целого ряда полупроводниковых приборов, нашедших техническое применение. [c.280]

Работа прибора основана на определении комплексного коэффициента отражения электромагнитной энергии от полупроводниковой структуры, находящегося в функциональной зависимости от параметров структуры. При контроле в волноводе изменяются фаза и амплитуда стоячей волны. Изменение фазы определяют с помощью специального устройства, имеющего на выходе электронно-лучевую трубку. Компенсация фазовых изменений, вносимых образцом, производится механическим фазовращателем, положение ручки которого при компенсированной фазе показывает реактивное сопротивление измеряемого образца. Стрелочным прибором измеряют амплитуду электромагнитных волн в минимуме и по этому показанию определяют активное сопротивление образца. Размеры щелевого излучателя 4 X X 0,2 мм в 8-миллиметровом диапазоне радиоволн. [c.251]

Эффект Холла интересен не только как основа метода определения характеристик полупроводниковых материалов, но и как прин- [c.239]

Болометры — это приемники инфракрасного излучения, действие которых основано на изменении сопротивления металла или полупроводника от температуры.. В отличие от радиационного пирометра в качестве чувствительного элемента используются такие материалы,, как платина и полупроводники (соответственно напыленный болометр и полупроводниковый). Высокочувствительный приемный элемент (толщиной 30—40 мкм) заключают в стеклянный баллон, в котором поддерживается определенное давление воздуха, с окном из прозрачного материала (кварцевого стекла), пропускающего излучение лишь той области спектра, для измерения температуры которой предназначен болометр. [c.113]

Определение приращения напряжения в измерительной катушке осуществляется дифференциальной измерительной схемой с выпрямлением при помощи выпрямительных мостов Bi, В2 и Вз, выполненных на полупроводниковых диодах. [c.48]

В полупроводниковых тензорезистора X в качестве чувствительного элемента используют монокристалличе-ский полупроводник толщиной 20— 50 мкм, шириной до 0,5 мм и длиной 2—12 мм. Особенностью полупроводниковых тензорезисторов является их высокая чувствительность, в 50— 60 раз превышающая чувствительность проволочных тензорезисторов, и большой уровень выходного сигнала (0,1В и более). Сопротивление полупроводникового тензорезистора при одних и тех же размерах посредством добавления присадок и выбора определенной технологии изготовления может меняться от 100 Ом до 50 кОм. Тензорезисторы из кремния и германия обладают высокой чувствительностью, химически инертны и выдерживают нагрев до 500—540 °С. [c.412]

Такие наиболее распространенные преобразователи, как тензорезисторные (проволочные и полупроводниковые), индуктивные и емкостные имеют малую величину коэффициента преобразования ( пр 200), поэтому создание высокочастотного датчика с достаточной чувствительностью на основе этих преобразователей вызывает определенные трудности. При сохранении принципа преобразования любое увеличение верхнего частотного диапазона влечет за собой уменьшение коэффициента чувствительности согласно (1). [c.27]

В соответствии с поставленной целью одна из задач экспериментального исследования состояла в определении нагрузок, действующих на механизм поворота карусели. Для их определения один из пальцев роликов 3 (рис. 1) выполнен в виде динамометрического элемента так, как показано на рис. 2. На консольную шейку пальца 1, на котором вращается ролик 2, наклеены две пары полупроводниковых тензорезисторов R — R2 ж ЯЪ — Д4. Каждая из этих пар регистрировала соответственно радиальную Р [c.41]

Возможно подразделение лазеров на группы в зависимости от способов накачки. Различают оптическую накачку — при облучении светом определенной частоты — и электрическую — при прохождении тока через рабочее вещество. В последнее время большое внимание уделяется химической накачке, когда инверсия возникает при той или иной химической реакции. В некоторых типах лазеров, например газовых, можно встретить ОКГ как с оптической и электрической, так и с химической накачкой. Полупроводниковые ОКГ могут иметь как электрическую, так и оптическую накачку. С другой стороны, в твердотельных лазерах электрическая накачка не осуществляется, так как используемые твердые тела для ОКГ являются диэлектриками. [c.17]

Как видно из приведенных выше рассуждений, физическая модель метода основана на определении поглощения света и в большей мере применима к поглощающим материалам, среди которых наибольший интерес представляют полупроводники. Так как параметры полупроводниковых приборов зависят от качества исходного материала, то целесообразно более подробно остановиться на описании лазерного метода его анализа. [c.180]

Однако такие системы не позволяют изучать локальные неоднородности в объеме исследуемого образца из-за значительного усреднения несовершенств (неоднородностей поверхности и толщины дефектов структуры и др.) по толщине исследуемого образца. Разрешающая способность в плоскости, перпендикулярной лазерному лучу, ограничивается разрешающей способностью видикона. Вместе с тем при исследовании полупроводниковых материалов, интегральных схем, резко неоднородных слоистых структур, полупроводниковых пленок на подложке и т. д. возникает необходимость изучения характера распределения несовершенств именно на определенной глубине объекта. [c.181]

В радиоэлектронной промышленности с помощью этих методов определяют дефектные элементы полупроводниковых и интегральных схем по увеличению нагрева таких элементов при работе схемы и связанному с ним росту числа интерференционных полос. Методы голографической интерферометрии находят применение в оптической промышленности на стадиях определения качества оптических материалов, их обработки до заданной формы и закрепления в оправах [47, 181 ]. Этими методами с успехом контролировались также искажения активных элементов лазеров на твердом теле [31 ] и растворах органических красителей, возникающие в процессе их накачки [56]. Наконец, в строительной механике голографические методы используются для контроля деформаций балок и исследования моделей строительных сооружений [84]. Перечисленные примеры не исчерпывают многообразия применений голографических методов неразрушающего контроля и их возможностей. Более подробную информацию по этим вопросам можно найти в ряде обстоятельных обзоров [2, 16, 85, 97, 255]. [c.214]

Возможность контроля фотоэлектрическим методом полупроводниковых структур исследовалась в работе [14]. Выяснена L возможность определения таких дефектов, как наличие инверсных слоев и каналов, мест локального умножения на поверхности, неоднородность в металлическом покрытии, загрязненные поверхности. [c.226]

Инструмент для правки корундовых и карборундовых шлифовальных кругов, обточки, шлифования металлов, инструмент высокой точности Наконечники в аппаратуре для определения твердости металла Инструмент для резки и обработки полупроводниковых материалов и пластмасс Диски или круговые плиты с сегментами, имеющими алмазные включения для резки, калибровки, обработки. Коронки для сверления [c.196]

Наряду с чистым материалом для использования в полупроводниковых приборах необходим карбид кремния, легированный в строго определенных концентрациях акцепторными или донорными примесями. [c.49]

Большая работа, проведенная в объединении по определению уровня надежности и долговечности электронно-вычислительных и полупроводниковых приборов в эксплуатации, позволяет с большим основанием утверждать, что там, где приборы применялись строго в соответствии с ТУ и инструкциями по эксплуатации, уровень надежности в несколько раз выше, чем в организациях, нарушивших эти нормы. Установлено также, что применение полупроводниковых приборов в номинальных режимах, строго оговоренных ТУ, позволяет повысить их эксплуатационную надежность в 10—15 раз против производственной надежности и в 100 и более раз при снижении коэффициента нагрузки на прибор или облегчении температурных условий работы . [c.507]

Широкие практические применения теория регулярного режима получила за последние годы. С ее помощью были исследованы явления охлаждения и разогрева паровых турбин различной мощности — вплоть до 100 000 кет [63 , проведены важные для практики тепловые расчеты промыщленных объектов она применяется и в приборостроении, например, при исследовании тепловых режимов полупроводниковых термочувствительных сопротивлений, так называемых термисторов, размеры которых порядка 1 мм скоростные методы определения тепловых свойств технических теплоизоляционных и строительных материалов, основанные на теории регулярного режима [42], вошли в практику многих лабораторий и научно-исследовательских институтов Советского Союза. [c.394]

Отметим, что оператор, обладая определенными навыками, производит настройку характеристик электронных НС в течение нескольких минут. Прибор приспособлен также для работы с полупроводниковыми элементами, настройка которых производится аналогичным образом. [c.111]

Эс ективным методом определения расходов в разветвленных гидравлических сетях является метод электрической аналогии. Для моделирования потоков применяются модели двух типов модели, состоящие из линейных резисторов [112, 284, 290], и модели, включающие нелинейные элементы (лампы накаливания [15], радиолампы [17, 126], индуктивные элементы [220] и полупроводниковые триоды [3, 4]). [c.215]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

Специалисты полагают, что удешевление фотоэлементов за счет перехода к аморфному кремнию вместо монокристалличе-ского сделает метод прямого преобразования солнечной энергии в электрическую конкурентноспособным по сравнению с другими методами получения энергии. Подробное описание солнечных батарей на аморфном кремнии дано в i[68]. В настоящее время наиболее перспективным материалом считается определенным образом приготовленный аморфный сплав кремния с водородом, фотогаль-ванический эффект в котором был открыт в 1974 г. К 1978 г. КПД солнечных батарей на этом материале достиг 6%. Эта величина в 3—4 раза меньше достигнутой на кристаллических Si и GaAs, однако в последних максимальные значения КПД были получены через 20 лет после открытия соответствующего эффекта. Это подтверждает несомненную перспективность аморфных материалов для использования в солнечных батареях. Для успешной реализации этих батарей необходимо выполнение ряда условий, таких, как большой коэффициент оптического поглощения (в широкой области спектра), эффективный сбор носителей электричества на обеих сторонах полупроводникового материала (пленки), достаточно большой внутренний потенциал, определяющий ЭДС элемента. Эти условия определяются оптическими и электрическими свойствами аморфных полупроводников и в конечном счете энергетическим спектром электронов. Поэтому далее мы перечислим некоторые характерные свойства этих материалов, достаточно тесно связанные с картиной распределения состояний электронов по энергетическим зонам. [c.284]

Однако в природе существуют и искусственно могут быть созданы элементы, параметры которых зависят не от мгновенных значений координат, а от амплитудных значений. Такие элементы (устройства) называются инерционными нелинейностями, ибо они принимают соответствующие значения не сразу, а через определенное время, называемое постоянной времени того или иного элемента. В 4.5 описан одноконтурный параметрический генератор с автосмещением, в котором действующее значение емкости контура, содержащего полупроводниковый диод с цепочкой автосмещения, определяется не мгновенными значениями генерируемых колебаний интересующей нас величины, а ее амплитудой, и устанавливается это значение емкости через время, равное постоянной времени цепи автосмещения. [c.211]

При выращивании из расплава монокристаллов полупроводниковых соединений пользуются методом Бриджмена -Стокбаргера. Нахреватель в этой установке устроен таким образом, что по его длине создается определенный градиент температуры (рис. 3.26 ). При выращивании кристаллов разлагающихся соединений тигель с веществом помещают в запаянную ампулу, в которой поддерживается необходимое давление паров летучего компонента. В положении 1 содержимое тигля рас- [c.82]

Краткие сведения по изготовлению полупроводниковых ИС Полупроводниковые структуры ИС сформировываются в монокристаллическом теле полупроводника с помощью технологических операций. Создаются различные области, обладающие дырочной (Р-область) н электронной (N-область) проводимостями Основной частью полуироводниковьк микросхем являются NP- или Р переходы. Обраэаванные области в полупроводнике соответствуют по своим функциям определенным дискретным элементам активным (транзистор, диод) и пассивным (резистор, конденсатор и др.). Объемные то-коведущне дорожки создаются нанесением на поверхность полупроводника ин- [c.92]

Измеритель параметров микропровода ОР-3 предназначен для бесконтактного определения диаметра жилы сверхтонкого металлического или полупроводникового провода в диэлектрической (стеклянной) изоляции (при заданном удельном сопротивлении материала) либо локальных значений сопротивления. [c.260]

Исследования, проведенные на серийной установке ИМАШ-9-66, показали, что определение температурной зависимости микротвердости дает возможность получить весьма ценную информацию о поведении полупроводниковых материалов как в пластическом, так и в хрупком состояниях. Целесообразность проведения исследований по данной методике заключается в том, что, во-первых, при испытаниях на микротвердость в образце создается такое объемнонанряженное состояние, при котором невозможны раскрытие и распространение микротрещин во-вторых, анализ температурной зависимости микротвердости позволяет установить механизм деформации в различных температурных интервалах, а также изучать влияние на этот механизм легирования и возможных структурных и фазовых изменений. [c.251]

Применяется в основном в виде соединений РЬС1 ионные кристаллы применяются в полупроводниковой технике для изготовления элементов термисторов и пьеэоэлементов, благодаря способности к электронной фотопроводимости под влиянием облучения рентгеновскими лучами или потоком электронов. Галоидные соединения Rb используются в производстве специальных электронно-лучевых трубок благодаря своей способности к поглощению в возбужденном состоянии определенной части спектра. НЬ 04 (сульфат рубидия) — перспективен как полупроводниковый материал. НЬНгР04 (однозамещенный фосфат рубидия), обладающий пьезоэлектрическими свойствами, применяется для изготовления пьезоэлементов диэлектрических усилителей и деталей современных счетных машин. Соединения рубидия применяются в люминофорах, электронно-лучевых и других трубках. Соли рубидия в основном применяются для изготовления фотокатодов благодаря легкой ионизации атомов рубидия под действием волн света. Является перспективным материалом для настоящей цели, способным оттеснить цезий. Рубидиевые фотокатоды применяются и в фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях [c.349]

Значение эллипсометрических измерений неуклонно возрастает в связи с увеличением удельного веса изделий микроэлектроники в общем объеме производства приборов. Так, в тонкопленочной полупроводниковой электронике поляризационные оптические методы используются для определения толщин и показателей преломления тонких пленок на кремниевых и германиевых подложках. Относительная простота эллипсометрических методов позволяет проводить поляризационно-оптические измерения на любой стадии технологического процесса, а также исследовать кинетику процесса формирования тонких пленок. [c.205]

Методически удобно рассматривать образец как систему, если он восстанавливается, и как элемент, если он не восстанавливается. При таком определении опрессованные конденсаторы, сопротивления, полупроводниковые триоды, электровакуумные приборы и т. п. являются элементами, тогда как стиральные машины, автомобили, самолеты и т. п. — системами. Однако необходимо заметить, что в противоположность обычной терминологии катушку реле будем считать системой, если она восстанавливается путем перемотки, в то же время ракету будем классифицировать как элемент, поскольку после запуска она не может восстанавливаться. [c.52]

Для измерения спектров нейтронов в широком интервале энергий использовали набор резонансных и пороговых детекторов [6]. Активность детекторов измеряли на полупроводниковом Ge(Li)-детекторе и на детекторе с кристаллом Nal(TI). Методика обработки данных подробно приводится в [6]. Восстановление спектров нейтронов по экспериментально определенным скоростям реакций детекторов проводили по программам NFD, SAND-II и RESONANSE-M [7—10]. [c.108]

Определение величины дисбаланса производится стрелочным прибором постоянного тока со шкалой до 100 мка, включенным в диагональ выпрямительного двухполупериодного моста по схеме Греца. В качестве выпрямителей применены полупроводниковые диоды типа Д2Г. Для устранения бросков стрелки прибора от случайных импульсных помех последовательно с прибором включено большое сопротивление и вся диагональ, т. е. прибор с сопротивлением, зашунтирована значительной емкостью Сд, так что постоянная времени цепи, зависящая от и Сд, получается достаточной величины. Выпрямительная ячейка оказывает обратное влияние на входной сигнал, в частности, в данном случае, в виде искажения его синусоидной формы. Для устранения искажения сигнала в точке разветвления цепи, а также для исключения возможности попадания искаженного сигнала в канал определения угловой координаты, выпрямляющая ячейка отделена от точки разветвления (после емкости g в аноде правой части Л ) дополнительным каскадом с левой частью лампы Л (6Н1П). [c.359]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...