Физика поглощения и релаксации энергии короткого лазерного импульса в полупроводниковом кристалле

Физика поглощения и релаксации энергии короткого лазерного импульса в полупроводниковом кристалле. При действии на поверхность полупроводника импульсного лазерного излучения с плотностью энергии длительностью Тр и энергией кванта Ььо благодаря межзонному поглощению (см. рис. 2.27) происходит генерация неравновесных электронно-дырочных пар. [c.144]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...