Параметры полупроводниковой подложки

Параметры полупроводниковой подложки [c.172]

Для селеновых вентилей применяется возможно более чистый селен, содержащий селена не менее 99,99%, так как от степени чистоты очень сильно зависят такие параметры, как плотность тока, обратное напряжение и др. Селен может быть кристаллическим и аморфным. В производстве полупроводниковых вентилей используется кристаллическая модификация с температурой плавления 220° С. Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Запирающий слой в виде селенида кадмия образуется при формовании у подложки. Благодаря повышенным плотностям тока и более широкому диапазону рабочих температур селеновые вентили в отличие от меднозакисных могут быть использованы в разных промышленных устройствах. Однако по своим параметрам они не могут конкурировать [c.278]

Рабочие элементы схемы (за исключением полупроводниковых приборов) выполняются на поверхности подложки в виде пленок различных материалов (резистивных, проводящих или диэлектрических). В гибридных схемах используются как тонкие, так и толстые пленки. Термин тонкие пленки относится к пленкам толщиной до нескольких микрометров. Производство тонких пленок требует больших капитальных затрат,поэтому они используются в сложных аналоговых системах с жесткими допусками на элементы, где требуется крайне высокая стабильность параметров резисторов. [c.686]

В технологии изготовления полупроводников на специальные подложки наносят эпитаксиальные и диэлектрические пленки. Одним из параметров, влияющих на качество работы полупроводникового прибора, является толщина пленки. В устройствах контроля толщины пленок с применением лазера используют интерференционный метод (явление Интерференции), а в качестве источника излучения - лазер. [c.192]

Ксерография, радиоскопия, радиометрия. Ксерография — это метод получения скрытого радиационного изображения дефекта на пластине из полупроводникового материала. Ксерографическая пластина состоит из токопроводящей алюминиевой или латунной подложки, на которую с одной стороны наносят тонкий слой из полупроводникового материала, например, селена. При прохождении рентгеновских лучей в зависимости от интенсивности выходящего из объекта контроля пучка изменяются параметры электрического поля пластины. Тем самым на пластине образуется скрытое электростатическое изображение объекта. При проявлении скрытого изображения красящими порошками на основе окиси цинка, мела и других формируется видимое изображение. При наложении на пластину бумаги изображение фиксируется на ней. Промьш1ленностью выпускаются рентгеновские установки с ксерографическим изображением результатов контроля и перенесения отпечатка на бумагу (Эренг-2 и др.) Производительность контроля значительно повышается, однако чувствительность контроля несколько ниже, чем при рентгенографии. [c.163]

И тем не менее полимерные, в частности лакокрасочные, покрытия широко и эффективно используются для защиты изделий от коррозии, для защиты полупроводниковых приборов и КС от воздействия окружающей среды н стабилизации их параметров. По-видимому, сущность такой защиты состоит не столько в герметизации (изоляции) изделия от окружающей среды, сколько в ее влпянин на состояние границы раздела пленка — подложка и в организации на этой границе при проникновении влаги таких процессов, которые тормозили бы ее вредное действие. [c.93]

Устройство имеет следующие параметры. Толщина кристалла 170 мкм, рабочая площадь 10 см. Прозрачный металлический электрод, направленный в сторону записывающего излучения, выполнен из платины, а второй, прозрачный для считывающего излучения, выполнен напылением пленки ГпаОз. Вся слоистая структура приклеена эпоксидной смолой к подложке из СаРг и заключена в вакуумированную колбу с окнами. Устройство охлаждается полупроводниковым холодильником. [c.149]

Резюмируя сказанное и данные литературы, можно считать установленным, что в волноводах, сформированных в органических нелинейных средах на сечениях порядка длины волны возбуждающего излучения, возможно поддержание практически одинаковой высокой плотности мощности на больших длинах, не реализуемых при объемных взаимодействиях, когда происходит рас-, ширение гауссовских пучков. Например, гетеропереходный полупроводниковый лазер создает в волноводе 1X1 мкм плотность мощности 10 МВт/см , обеспечивающую при высоком нелинейнооптическом качестве материала выполнение им практически всех требующихся технике функций. Вторым преимуществом волноводных конфигураций является возможность использования дисперсии отдельных мод для компенсации эффективной дисперсии рефракции. Иначе — для данной длины волны накачки возможно обеспечить синхронизм подбором управляемых параметров волновода толщины, показателя преломления слоя и (или) подложки — вместе или независимо. Таким образом, при наличии необходимой технологии в волноводах обеспечивается синхронизация двух за- [c.250]

Перепад температуры А0 является важнейшим параметром, определяющим циклостойкость полупроводниковых вентилей, и тиристоров в том числе. Циклостойкость— зто среднее число циклов работы до выхода тиристора из строя. Для паяных тиристоров, т. е. для тиристоров с паяным присоединением вентильного элемента через вольфрамовую подложку к медному основанию, величина А0 связана с числом циклов N формулой [c.65]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...