Роль поверхности полупроводниковой подложки

Роль поверхности полупроводниковой подложки [c.178]

Особенно велика роль радиоматериалов в области микроминиатюризации радиоаппаратуры. Ее цель — создание малогабаритной радиоаппаратуры с очень большой плотностью упаковки радиодеталей. Эту задачу можно решить только с помощью современных радиоматериалов — диэлектриков, проводников, полупроводников и магнетиков. Так, для осуществления одного из видов микроминиатюризации — изготовление интегральной тонкопленочной микросхемы — требуется изоляционное основание (подложка) микрокристаллической структуры, шлифующееся по 14-му классу чистоты. Только в этом случае на поверхность подложки можно нанести микросхему, т. е, проводниковые, полупроводниковые и диэлектрические слои толщиной менее 1 мкм. Все материалы для интегральных микросхем должны обладать высокой степенью химической чистоты и стабильностью свойств. [c.5]

Эпитаксия в процессе MO VD осуществляется при пропускании однородной газовой смеси реагентов с газами-носителями над нагретой подложкой в реакторе с холодными стенками. Энергия для нагревания газовой смеси обычно создается мощным радиочастотным генератором с частотой порядка 450 кГц. Этот же генератор нагревает и графитовый держатель, на котором размещена монокристаллическая подложка. При этом газовая смесь вблизи поверхности подложки нагревается до высоких температур, а стенки реакционной камеры остаются относительно холодными, что приводит к осаждению полупроводниковой пленки на поверхности подложки (реакция идет при повыщенных температурах) при малых потерях реагирующих веществ на поверхности реактора. Тщательно контролировать необходимо только температуру подложки, причем небольщие ее изменения не играют роли, поскольку большинство свойств пленок, полученных MO VD, малочувствительны к таким изменениям температуры. [c.346]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...