Фотоэлемент, электронный полупроводниковый

Фотоэлектрические реле (фотореле) применяют для автоматизации различных технологических процессов, контроля положения движущихся деталей, счета штучной продукции и т. д. Фотореле состоит из фотоэлемента, электронного или полупроводникового усилителя и электромагнитного реле. [c.283]

Соединения А в применяются для изготовления изделий электронной техники, работающих на сверхвысоких частотах. Соединения А в , А в и А В применяются для изготовления источников света, индикаторов и модуляторов излучений. Окисные полупроводниковые соединения применяются для изготовления фотоэлементов, выпрямителей и сердечников высокочастотных индуктивностей. [c.407]

Фотоэлементы применяют в качестве датчиков излучения в разнообразных измерительных и регулирующих устройствах. По принципу действия они делятся на три группы 1) электровакуумные, в которых под действием светового потока с поверхности фотокатода вылетают электроны 2) фотосопротивления (фоторезисторы), в которых световой поток изменяет проводимость полупроводникового слоя [c.249]

Фотоэлементы первого вида по принципу действия и конструкции близки к электронным лампам. Фотоэлементы второго и третьего видов являются полупроводниковыми приборами, которые исключительно широко применяют. [c.283]

Применение различных электрических устройств (селеновых фотоэлементов, гальванометров, фоторезисторов, электродвигателей, миниатюрных источников питания) обеспечило широкое распространение в фотоаппаратах систем автоматизированной установки экспозиции, т. е. выдержки и диафрагмы, а применение электронных блоков (полупроводниковых диодов и триодов, миниатюрных усилителей и преобразователей сигналов, а затем и микрокомпьютеров с использованием больших интегральных схем) способствовало появлению в фотоаппаратах еще более совершенных устройств — электронных фотозатворов и систем автоматической фокусировки объектива. [c.22]

Фотоэлемент, вакуумный — см. фотоэлемент электронный. Фотоэлемент вентильный — полупроводниковый прибор, генери- ( ошй э. д1 с. под действием падающего на него света фотодиод, ра-)та1рщий в вентильном режиме, селеновый фотоэлемент и др. Фотоэлемент газонаполненный — см. фотоэлемент лонный. [c.163]

Специалисты полагают, что удешевление фотоэлементов за счет перехода к аморфному кремнию вместо монокристалличе-ского сделает метод прямого преобразования солнечной энергии в электрическую конкурентноспособным по сравнению с другими методами получения энергии. Подробное описание солнечных батарей на аморфном кремнии дано в i[68]. В настоящее время наиболее перспективным материалом считается определенным образом приготовленный аморфный сплав кремния с водородом, фотогаль-ванический эффект в котором был открыт в 1974 г. К 1978 г. КПД солнечных батарей на этом материале достиг 6%. Эта величина в 3—4 раза меньше достигнутой на кристаллических Si и GaAs, однако в последних максимальные значения КПД были получены через 20 лет после открытия соответствующего эффекта. Это подтверждает несомненную перспективность аморфных материалов для использования в солнечных батареях. Для успешной реализации этих батарей необходимо выполнение ряда условий, таких, как большой коэффициент оптического поглощения (в широкой области спектра), эффективный сбор носителей электричества на обеих сторонах полупроводникового материала (пленки), достаточно большой внутренний потенциал, определяющий ЭДС элемента. Эти условия определяются оптическими и электрическими свойствами аморфных полупроводников и в конечном счете энергетическим спектром электронов. Поэтому далее мы перечислим некоторые характерные свойства этих материалов, достаточно тесно связанные с картиной распределения состояний электронов по энергетическим зонам. [c.284]

Применяется в основном в виде соединений РЬС1 ионные кристаллы применяются в полупроводниковой технике для изготовления элементов термисторов и пьеэоэлементов, благодаря способности к электронной фотопроводимости под влиянием облучения рентгеновскими лучами или потоком электронов. Галоидные соединения Rb используются в производстве специальных электронно-лучевых трубок благодаря своей способности к поглощению в возбужденном состоянии определенной части спектра. НЬ 04 (сульфат рубидия) — перспективен как полупроводниковый материал. НЬНгР04 (однозамещенный фосфат рубидия), обладающий пьезоэлектрическими свойствами, применяется для изготовления пьезоэлементов диэлектрических усилителей и деталей современных счетных машин. Соединения рубидия применяются в люминофорах, электронно-лучевых и других трубках. Соли рубидия в основном применяются для изготовления фотокатодов благодаря легкой ионизации атомов рубидия под действием волн света. Является перспективным материалом для настоящей цели, способным оттеснить цезий. Рубидиевые фотокатоды применяются и в фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях [c.349]

ФОСФОРЕСЦЕНЦИЯ — люминесценция, продолжающаяся значительное время после прекращения ее возбуждения ФОТО ДЕЛЕНИЕ — деление атомного ядра гамма-квантами ФОТОДИССОЦИАЦИЯ—разложение под действием света сложных молекул на более простые ФОТОИОНИЗАЦИЯ — процесс ионизации атомов и молекул газов под действием электромагнитного излучения ФОТОКАТОД — холодный катод фотоэлектронных приборов, испускающий в вакуум электроны под действием оптического излучения ФОТОЛИЗ— разложение под действием света твердых, жидких и газообразных веществ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ—люминесценция, возникающая под действием света ФОТОМЕТРИЯ— раздел физической оптики, в котором рассматриваются энергетические характеристики оптического излучения в процессах его испускания, распространения и взаимодействия с веществом ФОТОПРОВОДИМОСТЬ изменение электрической проводимости полупроводника под действием света ФОТОРЕЗИСТОР — полупроводниковый фотоэлемент, изменяющий свою электрическую проводимость под действием электромагнитного излучения ФОТОРОЖ-ДБНИЕ — процесс образования частиц на атомных ядрах и нуклонах под действием гамма-квантов высокой энергии ФОТОУПРУГОСТЬ — возникновение оптической анизотропии и связанного с ней двойного лучепреломления в первоначально оптически изотропных телах при их деформации [c.293]

Horo лучистого потока в сторону корабля А была максимальной, поскольку это увеличивает дальность действия локатора, расположенного на корабле. На языке радиолокации это явление носит название искусственного увеличения эффективной площади цели аппарата В. Для такого зеркального отражателя необходимо строгое выполнение его формы. Так, в сообщении подчеркивается, что точность изготовления призм такова, что угол между падающим и отраженным лучами не должен превышать 9,6-10 рад. В изготовленном блоке расстояние между параллельными сторонами шестиугольной входной грани одной призмы равно 6 см, а всего блока — 18 см [29]. Здесь же находится приемная оптическая система с диссектором (фотоэлемент, обеспечивающий определение координат светового пятна, падающего на его поверх ность). Подчеркивается, что это устройство нужно для того, чтобы принимать излучение лазера, установленного на аппарате А, и удерживать направление оптической оси приемного устройства, аппарата В строго по лучу лазера, что и обеспечивает следящая система корабля В. В левой части рисунка расположена схема аппаратуры, находящейся на корабле А. В нее входят два источника излучения — лазер и полупроводниковый диод, приемная оптическая система, два приемника излучения ФЭУ и диссектор, система обнаружения и сопровождения, а также системы ближнего и дальнего действия. Излучение полупроводникового диода сосредоточено в угле 2,5-1,74-10 2 рад, т. е. примерно 2,5 углового градуса, а излучение лазера сосредоточено в угле 0,5-1,74-10 рад т. е. в угле 0,5 углового градуса. Система углового сопровождения — по существу оптико-электронное следящее устройство с электронным сканированием, схема которого рассчитана на работу от импульсного источника. Для уменьшения влияния фоновых засветок в оптическую систему разработчики включили интерференционный фильтр, не показанный на рисунке. Поле зрения приемного устройства углового сопровождения формируется объектом с фокусным, расстоянием 90 мм и относительным отверстием 1 0,95 и составляет 10-1,74-10 рад, т. е. примерно 10 угловых градусов. Система обнаружения и сопровождения должна обеспечивать первоначальное обнаружение корабля В по его маячку и слежения за ним вначале по излучению маяка, а впоследствии по излучению собственного лазера, отраженного блоком [c.91]

Из полупроводников изготовляют сухие выпрямители и детекторы, нелинейные сопротивления с резкой зависимостью от напряжения, термосопротивления (резко меняющиеся от температуры), фотоеопротивления (изменяющие сопротивление с изменением освещенности) и фотоэлементы. Одним из важнейших применений полупроводников является замена ими электронных ламп. Анализ различных электротехнических и радиотехнических схем показывает, что около 60% электронных ламп в самых разнообразных областях их применения может быть заменено полупроводниковыми диодами и триодами. [c.310]

Измерительный диск 2 й = 100 мм) с усилием 80—100 н (8—10 кгс) прижимается к поверхности контролируемой детали 1. От диска вращение через зубчатую передачу 3 (10 1) передается импульсному диску 5, в которо.м имеется 100 радиальных щелей. При вращении диска осветительная ламночка 6 пе риодически освещает через эти щели и щелевидные диафрагмы полупроводниковый фотоэлемент 4, в котором образуются электрические импульсы, поступающие, после предварительного усиления фотокаскадом 7, для формирования в формирующее устройство 8 и далее на электронный счетчик 9 на декатронах. Для отсечки серии импульсов, соответствующей одному обороту, имеется управляющее устройство, состоящее из осветителя 10, полупроводникового фотоэлемента И, усилителя импульсов 13 и триггерного устройства 14. Управляющее устройство открывает [c.250]

Большую группу составляют полупроводниковые приборы, использующие фотоэлектрические явления в полупроводниках. К ним относятся вентильные фотоэлементы и фотодиоды — приборы, в которых использовано явление генерации э. д. с. в р—и-переходе под действпе.м света. Вентильные элементы используют в фотографии и кинематографии, для преобразования солнечной энергии в электрическую, а фотодиоды, в которых под действием света происходит резкое возрастание тока, применяют в схемах считывания информации с перфорированной ленты в электронно-счетных машинах. [c.249]

Оптоэлектроника. Электроника уже давно использует различные оптические приборы и устройства источ-пики света, фотоэлементы, фоторезисторы, фотоумножители, электронно-оптические преобразователи, полупроводниковые фотодиоды и фототранзисторы, кристаллы с разными оптическими свойствами, люминофоры, линзы, призмы и т. д. Все это крайне важно, но в какой-то мере уже пройденный этап. Лазерная техника несет в электронику совершенно новые качества. Основное направление развития — замена ряда обычных элементов электронных устройств чисто оптическими, создание оптикоэлектронных приборов. В перспективе, возможно, ие [c.111]

Фотоэлектрические П. о. и. непосредственно преобразуют эл.-магн. энергию в электрическую. Их разделяют на П, о, и, с внеш. и внутр. фотоэффектом. К ним относятся фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды, электронно-оптические преобразователи, П. о. и, с фотоэлектро-магн. эффектом, квантовые усилители оптич. диапазона. Эти П. о. и. селективны, и их реакция зависит от величины энергии отд. поглощённых квантов. Спектральная хар-ка П. о. и. с внеш. фотоэффектом имеет характерную длинноволновую (красную) границу в области 0,6—1,2 мкм, определяемую природой в-ва чувствит. элемента приёмника (см. Работа выхода). Фотоэлектрич. П. о. и. с внутр. фотоэффектом в зависимости от типа чувствительны и в далёкой И К области спектра (до 10—30 мкм). Порог чувствительности П. о. и. с внеш. фотоэффектом может быть доведён до 10-12—10-15 Вт/Гц при постоянной времени 10 с. Порог чувствительности т. н. счётчиков фотонов (полупроводниковых лавинных фотодиодов) ещё выше — до 10 Вт/Гц Предельная чувствительность фоторезисторов 10 — 10Вт/Гц при постоянной времени 10 —10 с. [c.586]

ФОТОДИОД, полупроводниковый фотоэлектрич. селективный приёмник оптического излучения, обладающий односторонней фотопроводимостью. Полупроводниковый кристалл Ф. обладает электронно-дырочным переходом (/ —и-переходом). Раз-личают 2 режима работы Ф. фотодиодный, когда во внеш. цепи Ф. содержится источник пост, тока, создающий на р—п-переходе обратное запирающее смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор, используют для управления электрич. током в цепи в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р—п-переход и ослабляют электрич. поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент, используют в качестве генератора фотоэдс. [c.823]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...