Полупроводниковые триоды (транзисторы)

В настоящее время в различных устройствах автоматического управления используются полупроводниковые приборы, и в частности полупроводниковые триоды (транзисторы), заменяющие электронные лампы. Транзисторы имеют срок службы, во много раз больший, чем у электронных ламп, и очень небольшие размеры. [c.123]

Электронные усилители. Транзисторы. Сплавные, плоскостные, полупроводниковые триоды. Конструкция полупроводниковых триодов — транзисторов. Полупроводниковые усилители. [c.319]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Полупроводниковый триод представляет собой пластинку из кремния или германия, состоящую из трех областей. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, а средняя противоположной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, называются триодами типа р— п—р триоды, у которых средняя область обладает дырочной проводимостью — триодами типа п—р—п. Физические процессы, происходящие в триодах двух типов, аналогичны. [c.47]

Полупроводниковый триод, транзистор Трансформатор, автотрансформатор [c.141]

Полупроводниковые триоды (транзисторы) 305 [c.305]

Полупроводниковые триоды (транзисторы) [c.305]

Полупроводниковый триод (транзистор) является усилителем, подобным электронной лампе-триоду, т. е. он позволяет посредством малых изменений электрической величины (мощности, напряжения, тока) на входе прибора вызывать значительные изменения соответствующей электрической величины на выходе прибора. [c.77]

РИС. 72. Принцип действия полупроводникового триода (транзистора) [c.248]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Если к диодной р—п-структуре добавить область с дырочной или электронной проводимостью, то образуется транзисторная р—п—р или п—р—п-структура с двумя переходами, обладающая усилительными свойствами. Основные элементы транзисторной структуры [c.12]

Логические схемы на триодах. При построении Л. с. применяются как ламповые, так и полупроводниковые триоды транзисторы). Условные обозначе- [c.10]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТРИОД (транзистор) — трехэлектродный полупроводниковый прибор, по назначению и характеристикам сходный с усилительной электронной лампой. П. т. представляет собой систему двух близко расположенных друг от друга р—п-переходов в одном монокристалле полупроводника, на один из к-рых подано смещение в запорном, на другой — в прямом направлениях. [c.123]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ - усилитель электрич. сигналов, в к-ром усилит, элементом являются полупроводниковые приборы полупроводниковые триоды (транзисторы), параметрические полупроводниковые диоды и туннельные диоды. Т. к. эти приборы существенно отличаются друг от друга принципом действия, то П. у. (в отличие от ламповых усилителей) не имеют единой теории, и в каждом отдельном случае анализ, расчет и методы построения схем существенно различны. [c.127]

В элементах серии ЭТ в качестве активных усилительных элементов используются полупроводниковые триоды — транзисторы. Серия ЭТ состоит из четырех групп элементов логические и функциональные элементы, усилители и источники питания. [c.52]

Для полупроводниковых триодов (транзисторов) на входе требуется очень малое напряжение, так как управляющий контур усилителя имеет по сравнению с лампами малое сопротивление. Транзисторы не требуют накала, они очень надежны в работе и имеют практически неограниченный срок эксплуатации. [c.302]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ) Основные понятия [c.714]

На рис. 9 приведена схема мультивибратора, собранного на двух полупроводниковых триодах (транзисторах). Этот генератор представляет собой двухкаскадный усилитель, у которого сигнал с выхода (коллектора) одного триода, например Т, подается на вход (базу) [c.25]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Выше были рассмотрены принцип действия, конструкция и параметры неуправляемых вентилей — полупроводниковых приборов на основе двухслойной структуры с одним р-га-переходом. В отличие от диодов триоды имеют два р-ге-перехода и выполнены на основе трехслойной р-п-р(га-р-га)-структуры. [c.146]

Триод полупроводниковый — см. транзистор. [c.160]

Транзистор. Транзистор, или полупроводниковый триод, был изобретен в 1948 г. По способу изготовления транзистор очень мало отличается от полупроводникового диода. [c.159]

Генераторы электроимпульсных станков часто выполняют на транзисторах (полупроводниковых триодах). Они могут работать на высоких напряжениях (до 150 В), больших токах (до 5—10 А на один транзистор). Преимуществом таких генераторов является высокая частота следования импульсов, малая их продолжительность и низкая скважность. Все это обеспечивает высокую производительность при достаточной точности и малой шероховатости поверхности. [c.152]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее к. п. д., экономичность, надежность и срок службы. Аппаратура на транзисторах малогабаритна. Однако значительный разброс параметров, а также зависимость параметров и режимов работы транзисторов от температуры, в некоторых случаях ограничивает область их применения. [c.247]

Далее необходимо отметить разработку виброметров с усилителями на транзисторах и автономным питанием. Достоинство этих приборов — малые габариты и вес, большая надежность. Приборы очень удобны при измерениях вибраций во многих точках агрегатов, фундаментов и т. п. Виброметр с усилителем на полупроводниковых триодах типа ВИП-1 имеет габариты 200 X 140 X X 70 мм и вес 2,4 кг. Комплект батарей рассчитан на 100 ч непрерывной работы. Прибор обеспечивает нормальную работу при [c.531]

Зачастую рещаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов Т1, Т2 и резисторов, участвующих в управлении. [c.108]

Полупроводниковый триод, называемый транзистором (рис. 77, б), состоит из полупроводниковой пластинки — базы (например, германия или кремния) и двух наплавленных капель, образующих две зоны проводимости. Тот электрод от капли, к которому подводится напряжение, называется эмиттером, а другой, с которого снимается напряжение, называется коллектором. Управление проводимостью транзистора осуществляется при помощи тока, подводимого к базе. Транзисторы можно применять для усиления или прерывания тока в цепи. [c.127]

Рис, 77. Полупроводниковые приборы а — диод б — триод (транзистор) [c.127]

В САУ нашли широкое применение также полупроводниковые усилители на базе триод-транзисторов, которые позволяют усиливать мощность и силу тока подаваемых сигналов, а также тиристорные преобразователи-усилители. Применение последних обеспечивает плавность пусковых режимов, повышение КПД, снижение массы и габаритов аппаратуры. [c.105]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) изготовляют на основе германия или кремния. Они предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее К- п. д., экономичность, надежность [c.151]

Полупроводниковые приборы — кристаллические диоды и триоды (транзисторы) — в схемах электроавтоматики во мно-40 [c.40]

Полупроводниковые триоды, называемые также транзисторами, нашли широкое применение в схемах автоматических защитных противокоррозионных установок. На [c.60]

Полупроводниковые триоды изготовляют из монокристалла германия или кремния, который путем введения в него акцепторных и донорных примесей превращают в трехслойную структуру с чередующимися проводимостями р — п — р (рис. 24,а). В структуре типа р — п — р исходный монокристалл имеет п-проводимость, а концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает в 100—1000 раз концентрацию исходной донор-ной проводимости. В транзисторах со структурой п—р—п исходный монокристалл обладает р-проводимостью, а наружные слои его вводят донорные примеси. [c.60]

Электронные (электровакуумные и полупроводниковые) усилители на основе триодов, транзисторов, тиристоров и т. п. также широко используются в автоматике. [c.184]

Транзистор (полупроводниковый триод) представляет собой пластину полупроводника, в которой между двумя областями с однотипной электропроводностью имеется область электропроводности противоположного типа. От этих трех областей сделаны три вывода, получившие название вход (эмиттер), выход (коллектор) и общий электрод (база). Током в цепи коллектора можно управлять при помощи изменений напряжения и тока в цепи эмиттера, т. е. получать явление, аналогичное зависимости анодного тока трехэлектродной электронной лампы от напряжения на сетке. Однако входное сопротивление кристаллических триодов, как правило, в сотни раз меньше выходного (цепи нагрузки), т. е. обратно соотношениям в обычных электронных лампах. [c.337]

Полупроводниковые приборы. В системе электрооборудования автомобиля применяют полупроводниковые приборы — диоды и триоды (транзистор). Полупроводниковый диод обладает свойством пропускать ток в одном направлении. Диод (рис. 73, а) состоит из пластинки германия или кремния, в которую вплавлена капелька алюминия или индия. На границе между ними образуется переходный слой, имеющий одностороннюю проводимость. Такие диоды применяют в качестве выпрямителей переменного тока. [c.113]

Транзистор, или полупроводниковый триод, имеет базу, т. е. миниатюрную пластинку из полупроводника (германия или крем- [c.104]

Полупроводниковые триоды, или транзисторы, основаны на использовании полупроводников — материалов, занимающих по некоторым своим свойствам среднее положение между металлическими проводниками и диэлектриками. В полупроводниках переносчиками электрических зарядов, так же как и в металлах, являются электроны. Но сам процесс переноса происходит по-другому. Наряду с электронной проводимостью, здесь может существовать так называемая дырочная проводимость. [c.100]

Фиг. 57. Схема полупроводникового кристаллического триода — транзистора (а) и его условное изображение (б).

Наиболее распространенными и массовыми полупроводниковыми приборами являются диоды и триоды (транзисторы), изготавливаемые из кремния и германия. Они содержат один или несколько р— -переходов. Для создания р—п-перехода нужно получить контакт между электронным и дырочным полупроводником без нарушения непрерывности кристаллической решетки. [c.246]

Транзисторы представляют собой полупроводниковые триоды, служащие для усиления или коммутации электрического тока. Различают точечные и плоскостные транзисторы с электронной (п-р-п) м дырочной (р-п-р) проводимостью. Для схем коммутации обычно применяют плоскостные транзисторы с дырочной проводимостью (например, типов МП 13, МП 14, МП 16 и подобные). [c.66]

Полупроводниковый прибор с р-я-переходом работает как выпрямитель (диод). На практике большое применение нашли также многие другие, более сложные полупроводниковые приборы, в том числе транзисторы (полупроводниковые триоды), которые состоят из двух участков га-Ое, между которыми расположен р-Ое, или, наоборот, из двух участков р-Ое, между которыми расположен п-Се. Обычно р-ге-переходы в полупроводниковых диодах и триодах получают внутри одного и того же монокристалла. [c.41]

На рис. 80 показаны блок-схема и внешние характеристшси транзисторного источника питания типа АП. Работа транзисторных источников питания основана на принципе стабилизации и управления током дуги с помощью блока полупроводниковых триодов (транзисторов), включенных в сварочную цепь последовательно с вьшрямителем. Регулирование величины сварочного тока осуществляется плавно и за счет изменения тока управления триодов. Электрическая схема обеспечивает стабильность сварочного тока при колебаниях напряжения питающей сети и изменения напряжения на дуге. [c.151]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С). [c.380]

Наряду с вакуумными известны преобразователи твердотельного типа — полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы), в которых ВАХ является функцией механического напряжения, приложенного к активной области кристалла р—п-переходу, каналу [3]. Практически все известные типы полупроводниковых приборов могут использоваться в этих целях. Эффект здесь достигается за счет того, что при изменении размеров активной области изменяются коицеитрация и подвижность носителей заряда, а в полевом транзисторе с изолированным затвором возникает еще и пьезоэлектрическая поляризация в изолирующем слое. Полупроводниковые МЭП этого типа имеют значительно меньший механический импеданс, чем механотрон, и могут измерять малые силы, поскольку их чувствительность высока однако [c.204]

Полупроводниковые усилители строятся на кристаллических, германиевых и кремниевых триодах, они не требуют накала, долговечны и устойчивы к окружающей среде (кроме температуры). В отличие (уг электронных ламп полупроводниковые усилители на триодах (транзисторах) требуют очень малого напряжения (10 В для управления напряжением 100 В в цепи нагрузки), а управляющий контур имеет относительно малое сопротивление — около 100 Ом. Высокий КПД транэн сторных усилителей обусловлен малой потребляемой мощностью. [c.164]

Источник питания малоамперной сварочной дуги, содержащий в цепи дуги полупроводниковый триод или транзистор, был впервые разработан в Институте электротехники АН УССР. В схеме использован триод в качестве регулятора силы сварочного тока. Принципиальная схема источника АП-1 с транзистором в цепи приведена на рис. 50. Этот источник питания предназначен для дуговой сварки в аргоне на силе тока 0,5—15 А. [c.74]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...