Работа полупроводникового лазера

Полупроводниковые лазеры. Прежде чем говорить о принципе работы полупроводникового лазера, напомним некоторые сведения о полупроводниках. [c.295]

Принцип работы полупроводникового лазера может быть объяснен следующим образом. Согласно квантовой теории электроны в полупроводнике могут занимать две широкие энергетические полосы (рис. 14). Нижняя представляет собой валентную зону, а верхняя — зону проводимости. В нормальном чистом полупроводнике при низкой температуре все электроны связаны и занимают энергетический уровень, расположенный в пределах валентной зоны. Если на полупроводник подействовать электрическим током или световыми импульсами, то часть электронов перейдет в зону проводимости. В результате перехода в валентной зоне окажутся свободные места, которые в физике называют дырками . Эти дырки играют роль положительного заряда. Произойдет [c.36]

Чтобы определить требования к материалам для полупроводниковых оптических источников и детекторов, придется затронуть теорию полупроводников и полупроводниковых соединений, а также рассмотреть конструкции некоторых типичных приборов, В конце этой главы будут приведены общие свойства оптических источников и детекторов. В гл. 8 будут обсуждены физические механизмы генерации оптического излучения, а в гл. 9 описана структура типичных полупроводниковых диодов, имеющих высокий коэффициент полезного действия в режиме непрерывно работающего при комнатной температуре полупроводникового лазера. Работа полупроводниковых лазеров рассматривается в гл, 10 и 11. Наконец, в гл, 12 и 13 будет рассмотрена работа р-1-п- и лавинных детекторов. [c.191]

РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА [c.265]

Рассмотрим работу полупроводникового лазера применительно к положительно смещенной N-p-P двойной гетероструктуре, представленной на рис. 9.12. Для того чтобы смоделировать поведение такой структуры при положительном смещении, допустим, что свободные электроны в активном слое р-области находятся в тепловом равновесии со свободными электронами в iV-области. Это предполагает, что процессы столкновения и рекомбинации, которые поддерживают распределение по уровням, идут настолько интенсивно, что ни высокая плотность тока, ни оптическое излучение не вносят заметных искажений. Тогда вероятность того, что в активной области зона проводимости будет заселена, определяется разницей энергии рассматриваемого состояния Ва и уровня Ферми в iV-области е/ л - Вероятность определяется функцией Ферми (см. (7.2.3)) [c.270]

Рассмотрим показатель преломления, который оказывает существенное влияние на работу полупроводниковых лазеров. В этой части книги, посвященной полупроводникам, будем использовать обозначения и f rp для фазового и группового показателя преломления. [c.273]

В гл. 10 рассматривался принцип работы полупроводниковых лазеров. Цель настоящей главы — более детальное описание некоторых полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в оптических системах связи. Будут рассмотрены их конструкции, электрические и оптические характеристики. Основные требования, предъявляемые к лазерному источнику для связи [c.288]

Необходимо отметить, что надежность источника света — один из основных факторов, сдерживающих внедрение волоконных систем в телефонную связь. Первые полупроводниковые инжекционные лазеры выходили из строя через несколько минут, и даже после разработки приборов на основе двойной гетероструктуры срок службы в несколько часов считался нормальным. Каждый, кто имел дело с проектированием или разработкой электронной аппаратуры, знает, что всегда имеется много причин, по которым какой-либо конкретный прибор может оказаться неработоспособным. Изучение работы полупроводниковых лазеров выявило большое число возможных механизмов деградации. Одна из серьезных проблем — выявление причин деградации и улучшение рабочих характеристик. Здесь будет рассмотрен общий подход и некоторые из предложенных решений. Желающие познакомиться с вопросом более глубоко могут воспользоваться специальной литературой 17.11, ПО. 11, (10.21 или какой-либо из многочисленных обзорных статей, например Ill.ll. [c.288]

Полупроводниковые лазеры в силу таких замечательных свойств, как малая масса, возможность работы в непрерывном и импульсном режимах, нашли применение в приборах для измерения расстояния, управления по лучу, сигнализации, связи и т. д. [c.318]

Малогабаритная оптическая линия связи. Линия предназначена для телефонной двусторонней связи в пределах оптической видимости в любое время суток. Излучающим элементом служит неохлаждаемый полупроводниковый лазер со средней мощностью излучения 3—6 мВт. Максимальная дальность действия 6 км (при затухании в атмосфере 1,5 дБ/км). Полоса передаваемых частот 300—3400 Гц. Время непрерывной работы не более 12 ч. Оптические оси трех ветвей (приемная, передающая и визирная) совмещены с точностью до Г. Диаграмма направленности излучения составляет от 10 2 до 1° 10. Приемный канал содержит интерференционный светофильтр на длину волны излучения лазера 0,9 мкм с полосой пропускания 250 А. Поле зрения прибора 1—1,5 . Визир состоит из прямой телескопической системы, имеющей восьмикратное увеличение и поле зрения 6—7°. Поворотный механизм позволяет производить плавный поворот прибора на 360°, а по углу места 45°. [c.319]

В настоящее время создано весьма большое число различных лазеров, которые отличаются друг от друга либо всеми перечисленными элементами, либо их частью. В тех случаях, когда работа лазеров базируется на различных физических явлениях, эти различия имеют более принципиальный характер. Например, в лазерах на твердом теле, за исключением полупроводниковых лазеров, накачка производится при помощи фотонов, испускаемых источниками света, В газовых лазерах в подавляющем большинстве случаев она осуществляется при прохождении электрического тока через газ и возбуждением рабочих атомов при [c.15]

Взаимодействие функциональных элементов источников питания определяет система управления, которая обеспечивает точность и стабильность параметров, выдачу и синхронизацию сигналов, задает род работы лазерного излучателя. Наряду с общими принципами конструирования преобразовательных устройств, при разработке источников питания лазерных излучателей возникает ряд специфических требований, обусловленных своеобразием вольт-амперных характеристик излучателей и особенностями их режимов работы. Основные из этих требований рассмотрены при описании схем источников питания твердотельных, газовых и полупроводниковых лазеров. Большинство из приведенных схем источников питания прошло проверку в лабораторных и производственных условиях и хорошо зарекомендовало себя. [c.4]

В. Полупроводниковые лазеры. Применение фотографических методов для исследования полупроводниковых лазеров затрудняется тем, что они работают при температуре жидкого азота, толщина излучающего слоя составляет всего лишь несколько микронов и необходимо пользоваться фотопленками, чувствительными В инфракрасном диапазоне. [c.66]

Измерения, проведенные с хорошо сконструированной оптикой, показывают, что теория дифракции на щели хорошо применима и при работе с пучком полупроводникового лазера можно пользоваться обычными методиками с той разницей, что необходима цилиндрическая оптика. [c.74]

Для улучшения условий работы полупроводникового лазера и обеспечения непрерывного режима генерации кристалл необходимо охлаждать до низких температур. Мощность лазера на арсениде галлия при температуре жидкого азота в импульснопериодическом режиме составляет 100 Вт, в непрерывном режиме — 10 Вт. Лучшие образцы полупроводниковых лазеров могут работать при нормальных температурах. [c.124]

Накачку полупроводниковых лазеров можно осуществить различными путями, что действительно было проделано. Например, можно использовать внешний электронный пучок или пучок от другого лазера для поперечного возбуждения в объеме полупроводника. Однако до сих пор наиболее удобным методом возбуждения является использование полупроводника в виде диода, в котором возбуждение происходит за счет тока, протекающего в прямом направлении. В этом случае инверсия населенностей достигается в узкой (<1 мкм) полоске между р- и -областями перехода. Можно выделить два основных типа полупроводниковых лазерных диодов, а именно лазер на гомопереходе и лазер на двойном гетеропереходе (ДГ). Лазер на гомопереходе представляет интерес главным образом благодаря той роли, которую он сыграл в историческом развитии лазеров (так были устроены первые диодные лазеры), однако здесь полезно кратко рассмотреть этот лазер, поскольку это поможет подчеркнуть те большие преимущества, которыми обладают ДГ-лазеры. Действительно, только после изобретения лазера на гетеропереходе (1969 г.) [34—36] стала возможной работа полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме при комнатной температуре, в результате чего открылся широкий спектр применений, в которых эти лазеры теперь используются. [c.409]

Полупроводниковые лазеры имеют вольт-амперную характеристику, типичную для обычных полупроводниковых диодов. В связи с этим задавать и контролировать режим работы полупроводникового лазера целесообраз- [c.32]

Оптические квантовые генераторы (ОКГ, лазеры). Колебат. системами ОКГ являются открытые резонаторы с размерами 1 >Х, образованные двумя или более отражающими поверхностями. Семейство газовых лазеров многочисленно, они перекрывают диапазон длин волн от УФ области спектра до субмиллиметровых волн. В твердотельных лазерах активной средой являются диэлектрич. кристаллы и стёкла. Особый класс твердотельных ОКГ составляют полупроводниковые лазеры, в к-рых используются излучательные квантовые переходы между разрегпёнными энергетич, зоиами, а не дискретными уровнями энергии. Жидкостные лазеры работают на неорганических активных жидкостях, а также на растворах органич. красителей (см. Лазеры на красителях). [c.434]

Полупроводниковые лазеры накачка инжекцией через гетеропереход (см. Гетеролазер), а также электронным пучком. Гетеролазеры миниатюрны, hm fot больнюй кпд, могут работать в импульсном и непрерывном режимах. Применение спектроскопия, оитич. стандарты частоты, оптич. линии свя.зи, звуко- и видио-систе.мы. Л. с электронной накачкой перспективны для проекционного лазерного телевидения, оптич. обработки информации. [c.551]

Параметры систем О. л. зависят от характеристик осн. используемых узлов лазера, фотоприёмника, сканирующего устройства, модулятора и т. д. Наиб, широко в О. л. применяются лазеры, генерирующие в ИК-области спектра,— полупроводниковые, твердотельные, газовые. Полупроводниковые лазеры обеспечивают как непрерывный режим (до сотен мВт), так и импульсный (до сотен Вт) в ближней ИК-области спектра (X X 0,8—0,9 мкм). Модуляция полупроводниковых лазеров, как правило, осуществляется током накачки. Иа твердотельных лазеров в О. л. используются лазеры на разл. матрицах, активированных ионами неодима, в частности на основе алюмоиттриевого граната (A, = 1,06 мкм). Лазер на гранате, обладающий низким порогом возбуждения и хорошей теплопроводностью, может работать при больших частотах повторения импульсов, а также и в непрерывном режиме излучения при кпд до 3%. Предпочтительны в О. л. лазеры на двуокиси углерода (СО,-лазеры) с X 10,6 мкм, имеющие большой кпд (- 10%), мощность излучения от единиц Вт до кВт в непрерывном и МВт в импульсном режимах, узкую линию излучения (неск. кГц). [c.433]

В 80—90-х гг, разработаны волоконные С., легированные эрбием, перспективные в качестве активной среды в волоконных усилителях, накачиваемых излучением полупроводниковых лазеров. Эрбиевые волоконные усилители работают в спектральной области вблизи 1,55 мкм, совпадающей с областью мин. оптич. потерь совр, С., п являются альтернативой электронным ретрансляторам в широкополосных волоконно-оптич. системах дальней связи. [c.462]

Полупроводниковые лазеры, первый представитель которых (на GaAs) появился еще в 1962 г., в последнее время все чаще привлекают внимание специалистов. Это обусловлено рядом причин. Во-первых, в настоящий момент уже разработано достаточно большое количество (несколько десятков) различных полупроводниковых лазеров, работающих в диапазоне длин волн 0,3...30 мкм. При этом многие из них (например, GaAs, ZnO, dS) могут работать при комнатной температуре. Во-вторых, разработка технологии изготовления смешанных полупроводников позволяет перекрыть указанный диапазон генерации непрерывно, подбирая материал полупроводника и соотношение его компонент. Серьезные успехи в последнее время достигнуты и на пути улучшения энергетических характеристик полупроводниковых лазе- [c.183]

В предыдущих разделах принципы работы лазеров обсуждались в следующей последовательности вначале рассматривались системы, в которых электроны находятся в связанном состоянии в отдельном атоме или молекуле, затем случаи, когда электрон свободно движется вдоль цепочки атомов в молекуле с сопряженной двойной связью (лазеры на красителях), и наконец, случай, когда электрон свободно движется во всем объеме кристалла (полупроводниковые лазеры). В данном разделе мы рассмотрим один из самых новых и интересных типов лазеров, в активной среде которых электроны являются еще более свободными, чем в рассмотренных выше случаях, а именно лазер на свободных электронах (ЛСЭ). В этом лазере электронный пучок, движущийся со скоростью, близкой к скорости света, пропускается через магнитное поле, создаваемое периодической структурой (называемой вигглером или ондулятором) [c.428]

На рис. 3.9 особенно заметно, что величина произведения BL при отрицательных значениях частотной модуляции С резко падает. Это происходит из-за того, что уширение импульса растет, когда Pj С положительно (см. рис. 3.2). К сожалению, для полупроводниковых лазеров с непосредственной модуляцией, работающих на длине волны 1,55 мкм, С обычно отрицательно и имеет типичную величину около 5-6 [21]. Из рис. 3.9 видно, что для таких значений С BL ограничено величиной < 100 Гбит/(с-км). Поэтому оптические системы связи на длине волны 1,55 мкм часто ограничены дисперсией, даже если в качестве источников используются одномодовые полупроводниковые лазеры. При L = 50 км такие системы могут работать со скоростью В <2 Гбит/с. Дальнейшее увеличение скорости возможно на пути использования либо лазеров без частотной модуляции. либо световодов со смещенной дисперсией. Отметим, что произведение BL максимально при положительном значении С 1, поскольку, когда Р2 С отрицательно, импульс сначала несколько снижается (см. рис. 3.2). Так как С в полупроводниковых лазерах главным образом отрицательно, наилучшее функционирование [c.75]

Использовать солитоны в высокоскоростных линиях связи можно двояко. В первом случае цель довольно скромная солитонный эффект используют для того, чтобы увеличить длину световода (так называемое расстояние между ретрансляторами) по сравнению с расстоянием для линейной системы (малые уровни мощности, отсутствие нелинейных эффектов). Как видно из рис. 5.4, длительность солитона высшего порядка первоначально уменьшается. Начальное сжатие происходит даже при наличии потерь в световоде, и это может скомпенсировать уширение солитона из-за потерь [74]. Поскольку период солитона для 100-пикосекундных импульсов, распространяющихся на длине волны 1,55 мкм, относительно велик (> 500 км), такие импульсы могут распространяться на расстояния 100 км, прежде чем они значительно уширятся по сравнению с начальной длительностью. В работе [73] было предсказано, что расстояние между ретрансляторами можно увеличить более чем в 2 раза, когда пиковая мощность входного импульса достаточна для создания солитонов высшего порядка. Требуемые значения пиковой мощности для передачи импульсов без частотной модуляции со скоростью 8 Гбит/с относительно невелики ( 3 мВт). Так как такой уровень мощности вполне достижим для полупроводниковых лазеров, солитонный эффект легко можно использовать для улучшения работы оптических линий связи. [c.127]

Полупроводниковый лазер накачки для ВРМБ-усилителя должен работать в одночастотном режиме, чтобы ширина его спектральной [c.274]

Перспективы широкого практического использования нелинейно-оптических приемников зависят от параметров каждой из трех основных частей схемы приема — оптической накачки, нелинейной среды и системы регистрации излучения видимого диапазона. Если в вопросе регистрации видимого излучения трудно ожидать каких-либо качественных изменений, то по каждому из первых двух пунктов последнее время наблюдается заметный прогресс. Использование в качестве нелинейных сред новых кристаллов с большими нелинейными восприимчивостями, большими размерами и высоким оптическим качеством и в ряде случаев газов позволило суш,ественно ослабить ограничения, связанные с низким коэффициентом преобразования при сравнительно маломош,-ной накачке. С другой стороны, в области создания источников накачки наметился принципиальный сдвиг благодаря появлению полупроводниковых лазеров нового поколения. Совершенно реально ожидать в ближайшее время появления достаточно надежных малогабаритных источников накачки мош ностью порядка нескольких ватт в непрерывном режиме. Это выведет нелинейпо-оп-тические приемники уже на приборный уровень — непрерывный режим работы при высокой энергетической эффективности, малогабаритность и простота конструкции. [c.143]

В качестве передающего устройства так же, как и в лазерном локаторе, рассмотренном в предыдущем разделе, был применен ар-сенидгаллиевый полупроводниковый лазер. Характерной особенностью этого лазера, разработанного фирмой IBM, было то, что он генерировал излучение с длиной волны 0,9 мкм на одной поперечной моде ТЕМоо. Лазер работал в импульсном режиме с частотой повторения импульсов 1 кГц. Импульсы излучения имели длительность приблизительно 70 не, а время нарастания переднего фронта было около 20 НС. [c.222]

Одним из неожиданных и еще не до конца понятых эффектов в лазерах на смещении волн оказалось самосвипирование частоты излучения гибридных лазеров на красителях с пассивным обращающим зеркалом. Впервые отмеченное в [10], оно затем было воспроизведено и исследовано в разных вариантах лазеров на красителях [11, 15, 27, 29]. Самосвипирование было получено и в полупроводниковом лазере с внешним резонатором, содержащим ФРК-лазер с петлей накачки [30]. Во всех работах нелинейной средой служил кристалл BaTiOa. Эти работы послужили толчком к тщательному экспериментальному и теоретическому изучению условий невырожденной генерации на смешении волн [29—34]. Очевидна прикладная ценность эффекта, и прежде всего для лазерной спектроскопии сверхвысокого разрещения, так как перестройка спектра накачки возможна с шагом дискретности до 1 Гц в диапазоне свыше 10 Гц. [c.207]

Полупроводниковые лазеры. После публикации [28] казалось, что, хотя само происхождение невырожденного смешения волн в обращающем зеркале еще не выяснено, предположение о решающей роли доплеровского сдвига частоты излучения лазера на каждом проходе резонатора хорошо количественно описывает наблюдаемые скорости свипирования. Однако затем появилась работа [30] по реализации режима самосвипи-рования полупроводникового лазера на GaAlAs с обратной связью на кольцевом пассивном обращающем зеркале (рис. 6.8), свойства которого никак не укладывались в приведенную выше модель. [c.208]

Аналогичная кольцевая схема пассивного ОВФ на основе BaTiO была использована и в экспериментах с полупроводниковыми лазерами в работах [9.58, 9.59]. В первой из них наблюдалось периодическое самосвипирование частоты выходного излучения в пределах частотного диапазона порядка 10 нм. Во второй — авторы сообщают о результатах измерения ширины полосы генерируемого излучения такого лазера, которая оказалась приблизительно меньше [c.232]

В частности, в работе [9.110] была экспериментально продемонстрирована возможность реализации на этом принципе фото-рефрактивного дефлектора с числом разрешенных точек до 200. В образце BSO толщиной d 2.7 мм при использовании диффузионного механизма записи (Л 1 мкм) наблюдалась дифракционная эффективность i-) 10- . Запись решеток с переменным шагом осуществлялась лазером на красителях 530- 570 нм), считывание — полупроводниковым лазером = 840 нм). Экспериментально достигнутая скорость переключения дефлектора составила около 0.1 с при интенсивности записывающего излучения порядка 10 мВт-см- (Я = 550 нм). [c.247]

Из изложенного следует, что реализуемые длительности импульсов ограничены областью, лежащей выше времени прохода резонатора. Еще более короткие импульсы, как и в лазерах других типов, могут быть получены только при синхронизации мод. В п. 5.3.1 уже кратко указывалось на возможность осуществления активной синхронизации мод в полупроводниковом лазере путем модуляции инжекционного тока с частотой, равной обратному времени прохода резонатора [7.51, 7.52], а также путем синхронной накачки. Как и в других типах лазеров, в полупроводниковых предельно короткие импульсы можно получить при пассивной синхронизации мод. Впервые пассивная синхронизация мод полупроводниковых лазеров наблюдалась Иппе-ном, Эйленбергером и Диксоном [7.53]. Наиболее короткие из полученных в настоящее время импульсов были измерены в [7.54]. В обеих работах применялись сходные устройства, схема которых представлена на рис. 7.11. В этих устройствах лазерный диод используется как активный элемент во внешнем резонаторе. Выходное зеркало внешнего резонатора образуется непросветленной торцевой поверхностью лазерного диода. Излучение, проходящее через хорошо просветленную поверхность противоположного торца диода, достигает объектива микроскопа с большой апертурой, а затем падает на глухое зеркало. Длина резонатора лазера по порядку величины составляет [c.270]

Десять лет тому назад был создан первый квантовый генератор света — лазер. С момента создания первых лазеров работы в области квантовой электроники развернулись в широких масштабах и развивались исключительно быстрыми темпами. Бурное развитие квантовой электроники продолжается и поныне. В результате за короткое время было разработано очень много разных типов лазеров твердотельные лазеры на кристаллах и стеклах, жидкостные лазеры, газовые лазеры (атомные, молекулярные, ионные), полупроводниковые лазеры (инжекционные, с электронным и оптическим возбуждением), лазеры с перестраиваемой частотой, химические лазеры, лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния и др. Созданы импульсные лазеры и лазеры непрерывного действия, даюпхие когерентное излучение в широком диапазоне длин волн от ультрафиолетового (0,2 мк) до дальнего инфракрасного (538 мк) участков спектра. [c.5]

Стабилизированные лазеры. Данный метод применим к любому газовому, твердотельному или полупроводниковому лазеру, работающему в непрерывном режиме, моды и соответствующие ЧБУМ которого стабильны по частоте во времени. Общая схема установки такая же, как в предыдущем пункте, за исключением метода регистрации данных. ФЭУ, фильтр (который необходим, если лазер работает пичками) и усилитель (необходимый, если уровень сигнала меньше минимально обнару-жимого уровня регистрирующей аппаратуры)—такие же, как в предыдущем пункте. [c.85]

Хотя выражение (8.12) дает также теоретический предел кратковременной стабильности твердотельных и полупроводниковых лазеров, ширины линий излучения этих лазеров в действительности на много порядков больше вычисленных значений. Измеренная ширина линии рубинового лазера, равная 0,01 нм 4], и лазера на GaAs ), равная 0,1 нм, соответствует кратковременной стабильности 10 и 10" . Такая ширина линий обусловлена в основном нагревом активных элементов в процессе оптической или токовой накачки. Виноградовым 2) и авторами работы [5 была измерена температурная зависимость длины волны излучения и получены следующие результаты [c.414]

Для работы большинства полупроводниковых лазеров требуются низкие (от 1,7 до 77°К) температуры. При комнатных температурах генерация осуществлена пока только для лазеров на ZnO, dS. Ali j(Qaj .As, QaAsi jtP и GaAs. Из них благодаря доступности кристаллов хорошего качества и необходимой чистоты наибольшее распространение имеет арсенид галлия. Основные физические свойства арсенида галлия приве-аены ниже. [c.755]

Модуляция длины волны. Наиболее универсальным методом является модуляция длины волны зондирования, осуш,ествляемая за счет нагревания резонатора полупроводникового лазера в течении импульса излучения (перестройка происходит на 1-ЬЗ см при изменении температуры лазерного кристалла на несколько градусов). Метод модуляции Л реализован в работах [6.37-6.39]. Интерферограмма состоит из множества отдельных импульсов длительностью 20 мс (при частоте посылок 2 Гц), форма которых при нагревании и остывании отчетливо различается, а распознавание осуш,ествляется компьтером [6.22]. [c.153]

Явления комбинационного рассеяния света (КР) и фотолюминесценции (ФЛ) получили широкое распространение для диагностики твердого тела. Оба метода чувствительны не только к изменениям состава и структуры веш ества, но и к изменениям температуры образца. На этой основе созданы и на протяжении двух десятилетий применяются в исследованиях эффективные методы термометрии твердых тел. До сих пор лишь с помош ью методов КР и ФЛ удалось измерить температуру твердых микрочастиц с размерами 1-ь100 мкм, движуш ихся в плазме или потоке газа. Температурные режимы элементов работаю-ш их интегральных микросхем и полупроводниковых лазеров впервые были изучены с микронным и субмикронным пространственным разрешением методами ФЛ и КР. Метод термометрии КР в будуш ем может, вероятно, приобрести статус первичной термометрии, не требуюш ей калибровки перед проведением измерений. [c.181]

В последние годы происходит частичное вытеснение маломощных газовых (He-Ne) лазеров полупроводниковыми лазерами, преимуществами которых является компактность, широкий выбор излучаемых линий (в ближнем и среднем ИК диапазонах), возможность перестройки частоты генерации (на несколько см ) в течение микросекунд-ного импульса. Вместе с тем, газовые лазеры непрерывного действия характеризуются очень высокой стабильностью мощности (настолько высокой, что в некоторых случаях можно часами работать, не применяя деление пучка на две части и регистрацию мощности опорного пучка). [c.204]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...