Светодиод полупроводниковы

Скорость резания 3.254, 255 Светодиод полупроводниковый [c.650]

Светодиоды — полупроводниковые диоды, при прохождении через которые прямого тока происходит свечение Р — Л -перехода. [c.470]

Диффундируя в глубь полупроводника, неравновесные носители рекомбинируют, проникая в среднем на расстояние диффузионной длины от слоя объемного заряда р — п-перехода. Если при этом существенная доля актов рекомбинации происходит с излучением света, то, создав условия для выхода этого света наружу, полупроводниковый диод можно использовать как источник излучения. Такой диод называют светодиодом. [c.331]

В фазовых С.в качестве источников излучения применяются, как правило, светодиоды, непрерывные газовые лазеры (Не — Ne, Не — d, СО ) либо полупроводниковые лазеры с мощностью излучения в единицы мВт. [c.464]

Накачка импульсных лазеров осуществляется излучением газоразрядных лам п, хотя достигнуты определенные успехи в использовании факела горения, лазерных полупроводниковых диодов и светодиодов. Импульсный режим генерации лазеров на гранате характеризуется значительно большими коэффициентами усиления (/Со О,5—0,8 см" ) по сравнению с режимом непрерывной накачки (/С 0,05—0,1 см" ), и поэтому при использова- [c.109]

Снижения тепловыделения в активной среде можно достичь, если применить источники света с повышенной селективностью, линии или полосы излучения которых совпадают с длинноволновой полосой поглощения иона активатора. В качестве таких источников для лазеров на неодимовых средах могут быть использованы разрядные лампы с парами щелочных металлов [34]. Правда, в этом случае появляются свои сложности для обеспечения рабочего режима необходимо поддерживать достаточно высокую (500—600°С) температуру колбы лампы. В маломощных лазерах может быть применена накачка полупроводниковыми лазерами и светодиодами [12]. [c.119]

Полупроводниковые лазеры и светодиоды [c.250]

Светодиоды не содержат оптического резонатора и генерируют некогерентное излучение. Они не имеют порогового тока возбуждения и поэтому позволяют использовать более широкий круг полупроводниковых материалов, чем лазеры. [c.250]

Таблица 24.2 Материалы полупроводниковых лазеров и светодиодов

ЦОУ на светоизлучающих диодах. Действие светодиода основано на способности некоторых полупроводниковых материалов (фосфида галлия GaP, карбида кремния Si и более сложных) эффективно преобразовывать электрическую энергию в световую. Полупроводниковый материал имеет вид кристалла размерами от 0,34 X 0,34 до 0,5 X 0,5 мм. Как миниатюрный твердотельный источник света он имеет малую поверхность излучения. Для ее увеличения (особенно необходимо при высоте цифр более 5 мм) используют различные приемы. [c.255]

Для экономии полупроводникового материала чаще увеличивают светящуюся поверхность светодиода выполнением вытянутых по форме сегмента отражательных поверхностей 3 (рис. 21.19, в, г) в полости д. Светодиод / установлен на основании 2. Полость может быть закрыта светорассеивающей пленкой 4 и экраном 5 (рис, 21.19, в) или залита светорассеивающим материалом 4 (рис. 21.19, г). Последняя конструкция наиболее широко распространена. [c.256]

На основе монокристаллического Si изготавливаются высокотемпературные силовые полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, СВЧ-приборы, туннельные диоды, светодиоды, фотодиоды, счетчики частиц высоких энергий, эмиттеры электронов, терморезисторы, фоторезисторы, тензорезисторы и др. [c.654]

Если источник света лазер, то он излучает когерентный свет , и Если важна низкая стоимость и если не требуется когерентность света, тогда следует использовать светодиод вместо полупроводниковых лазеров . [c.280]

Во-вторых, корпус блока должен быть изготовлен из алюминиевого сплава, имеющего хорошую теплопроводность. Это обеспечит хороший теплоотвод от нагревающихся элементов, которые должны быть установлены непосредственно на корпусе. К таким элементам относятся транзисторы УЗО, V32, тиристор У37, диоды УЗЗ, V35, V36, стабилитрон V34. Тиристор У22 может быть установлен как на корпусе, так и на печатной плате. Элементы, не имеющие электрического соединения с корпусом, изолируют при установке с помощью тонких слюдяных или лавсановых прокладок. Остальные элементы размещают на печатной плате или плате из текстолита (гетинакса) с контактными лепестками. При размещении деталей следует иметь в виду, что резисторы R42, R43, R46, R47, R48, R49 и трансформатор Т1 при работе блока нагреваются, и их не следует располагать рядом с полупроводниковыми элементами и терморезисторами R27, R28. Кроме того, необходимо, чтобы цепь светодиода оптрона V23 была непосредственно соединена с резистором R32, как это показано В1 схеме рис. 7. [c.25]

Светодиод полупроводниковый — излучающий полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом (переходами), непосредственно преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения (8]. [c.153]

СВЕТОДИОД — полупроводниковый диод, излучающий свет при пропускании тока через р — п-переход в прямом направлении. Физ. основу работы С. составляют процессы инжекции- неосновных носителей заряда в активную область р — л-структуры и излучат. рекощ5и-нации инжектиров. носителей (см. Рекомбинация носителей заряда). [c.465]

Описаны природа и закономерности образования дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводников. Обобщены и проанализированы данные о влиянии структурных несовершенств (различие периодов решетки, наличие градиента состава и наследование дефектов из подложки и др.) на морфологические особенности композиций на основе многокомпонентных твердых растворов соединений Рассмотрены. основные механизмы и источники образования дислокаций при эпитаксии. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко- и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов. [c.54]

Другим способом повышения внутреннего квантового выхода диода является увеличение вероятности излучательной рекомбинации путем выбора полупроводникового материала и степени его легирования. В таких полупроводниках, как Si и Ge, у которых дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены при различных значениях волнового вектора к (рис. 5.4), вероятность меж-зонной излучательной рекомбинации много меньше, чем у полупроводников с совпадаюш,ими экстремумами зон (GaAs, InAs, InSb и др.). Поэтому для изготовления светодиодов необходимо брать [c.332]

Структура ВОЛС состоит из оконечных устройств и линейного тракта. Оконечные устройства — это оптикоэлектронные передатчик и приемник информации (рис. 21.8). Передатчик включает генератор несущей световой волны — полупроводниковый лазер ПЛ или светодиод, создающие несущую световую волну и согласующее устройство (СУ). Импульсно-кодированная информация поступает на вход передатчика модулирует несущую и через согласующее устройство поступает в линейный тракт. [c.221]

Полупроводниковые оптоэлектронные компоненты (светодиоды, семи-сагментные цифровые индикаторы, шкальные индикаторы) [c.222]

В последние годы интенсивно развиваются исследования по созданию излучающих структур на основе эпитаксиальных слоев полупроводникового дисилицида железа - p-FeSij, являющегося прямозонным материалом с шириной оптической щели около 0,8 эВ, соответствующей длине волны 1,5 мкм. Основными методами создания таких структур являются молекулярно-пучковая эпитаксия и ионная имплантация в сочетании с различными термообработками. На основе этих структур уже созданы первые светодиоды, работающие при комнатной температуре [33]. [c.98]

Весьма заманчивые перспективы сулит твердотельной электронике и недавнее открытие полупроводниковых и металлических полимеров. В настоящее время химики научились делать полупроводниковые полимеры с различной шириной запрещенной зоны. Это создало предпосылки для развития дешевых технологий производства разнообразных, прежде всего, оптоэлектронных приборов. Сегодня на основе полимерных полупроводников создаются светодиоды, перекрывающие диапазон излучения от ИК- до УФ-области спектра полноцветные гибкие светоизлучающие дисплеи фотодетекторы, солнечные батареи и полевые транзисторы с параметрами на уровне соответствующих аналогов на основе аморфного гидрированного кремния. С умеренным оптимизмом оцениваются перспективы создания на основе металлических и полупроводниковых полимеров интегральных схем. Все это стимулирует расширение фронта работ по синтезу и исследованию свойств этих многообещающих материалов. [c.114]

В корреляторе с временным интегрированием, изображенном на рис. 5.23, входной сигнал g t) используется для временной модуляции светового пучка посредством, например, внутренней модуляции источника излучения (полупроводникового лазера, светодиода )или внешней модуляции с помощью отдельного (тотечио- [c.294]

Следует обратить внимание на относительную доступность источников накачки для лазеров на гранате. Ими могут быть вольфрамойодные или мощные ксеноновые дуговые лампы. Во многих промышленных образцах лазеров используются лампы накаливания с вольфрамовой нитью. Эти лазеры имеют относительно низкую стоимость. Иногда [87] для накачки лазеров на гранате применяют некогерентное излучение полупроводниковых люминесцентных светодиодов, например, на Ga As vPi-x(a 0,87). Видимое и инфракрасное излучение весьма эффективно возбуждает лазерный уровень в кристалле граната. [c.169]

Известны успешные попытки создания миниатюрных лазеров на АИГ с неодимом с накачкой полупроводниковыми светодиодами или лазерами или же с использованием сверхминиатюрных газоразрядных ламп [108]. Однако во всех случаях возникают определенные сложност конструктивного исполнения, препятствующие широкому распространению подобных устройств. Интересные результаты в плане микроминиатюризации были получены при использовании в качестве материала для миниатюрных элементов калий-гадолиниевого вольфрамата с неодимом [108], но они уже представляют собой переходный этап к собственно минилазерам на концентрированных средах. [c.233]

Оптрон (рис. 133) состоит из источника света 4, световода 2 и приемника света 1. В качестве приемника света используют кремниевый фотодиод, полученный в теле полупроводниковой подложки методом диффузии. Световодом служит селеновое стекло, напыленное на подложку. Источник света представляет собой светодиод, образованный напылением на селеновое стекло слоя арсепида галлия с последующим образованием в нем диффузионного р — п-перехода. [c.227]

Оптическая накачка полупроводниковым лазером или светодиодом. В настоящее время развивается метод узкополосной оптической накачки лазера ИАГ Кс1 +. В качестве источника накачки применяют инжекционный лазер на СаА5 или светодиод из Са1 хА11 А5. В первом случае накачка осуществляется на длине волны 0,8 8 мкм (накачка в группу В линий в спектре поглощения на рис. 1.17, а) во втором случае — на длине волны 0,81 мкм (накачка в группу Б линий того же спектра). [c.33]

Смотреть страницы где упоминается термин Светодиод полупроводниковы : [c.763] [c.48] [c.448] [c.626] [c.47] [c.319] [c.320] [c.468] [c.73] [c.123] [c.215] [c.235] [c.126] [c.606] [c.324] [c.68] [c.190] [c.28] [c.102] [c.212] [c.309]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...