Системы полупроводниковые

Полупроводниковый вентиль обладает свойством проводить ток практически только в одном направлении. Используя системы полупроводниковых вентилей, собранных по определенным [c.72]

Создание современных турбогенераторов, мощность которых в единице приближается к 1 млн. кет, возможно лишь на основе системы полупроводникового возбуждения. [c.132]

Приложение И.Система автоматизированного выполнения чертежей совмещенной топологии и отдельных слоев интегральной полупроводниковой микросхемы. [c.16]

Солнечная энергия может быть преобразована непосредственно в электрическую при помощи полупроводниковых элементов. Сейчас подобные системы — необходимая часть энергоснабжения всех космических кораблей. Создание земных установок для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую связано с определенными трудностями и экономически выгодно лишь в районах с благоприятным климатом. Рациональным является размещение станций на спутнике, обращающемся вокруг Земли (рис. 0-4) [228] в космосе, где наиболее эффективен процесс преобразования солнечной энергии, доступной почти 24 ч в сутки при удвоенной интенсивности излучения. Солнечные космические энергосистемы могли бы полностью обеспечить энергетические потребности в будущем, удовлетворитель- [c.8]

Системой электропривода называется комплекс электродвигателя, приводящего в движение механизм аппаратуры управления и регулирования преобразовательных устройств, если они применяются (двигатель—генератор, преобразователь частоты, ртутный и полупроводниковый выпрямители, магнитный усилитель и пр.). [c.124]

Полупроводниковые приборы, разработанные до 1964 г., продолжают маркироваться по старой системе, предусматривающей составление марки из трех элементов первый элемент — буква Д для диодов или П для транзисторов второй элемент — число, отличающее прибор данного типа от Других, причем сотня, в пределах которой оно выбрано, [c.138]

Полупроводниковые фотоэлементы характеризуются не строгой линейностью зависимости величины электрического сигнала от освещения. Этот недостаток, равно как и непостоянство чувствительности фотоэлемента, нестабильность его питания, а также дрейф усиления измерительной схемы, устраняется применением двухлучевой системы, в которой измеряется не абсолютное значение интенсивности света, прошедшего через поглощающее вещество, а ее отношение к интенсивности света просвечивающего источника. [c.652]

В последнее время в связи с успехами полупроводниковой технологии налажено производство микро-ЭВМ. Микро-ЭВМ ориентируются на такой же класс применений, как и мини-ЭВМ, но имеют меньшие вычислительные возможности и позволяю-г строить на их основе системы управления, сбора и обработки данных более простые, чем системы на основе мини-ЭВМ. Микро-ЭВМ рассматривают в основном как вычислительный блок, который может быть встроен в систему управления или регистрации. Технические характеристики некоторых серийно выпускаемых микро-ЭВМ приведены в табл. 17.3. [c.342]

С учетом всех этих оговорок можно сформулировать задачу следующим образом требуется найти параметры (амплитуду и фазу) приближенно гармонического колебания, возбуждаемого в слабо нелинейной колебательной системе с малым затуханием, при заданной гармонической внешней силе. С подобной задачей мы встречаемся не только при рассмотрении механических систем, но и при анализе различных колебательных цепей в радиотехнических устройствах при наличии нелинейных диссипативных элементов (полупроводниковые приборы, радиолампы), а также при использовании ферромагнитных или сегнетоэлектрических материалов в катушках индуктивности и конденсаторах этих цепей. [c.113]

Возможно также осуществление балансных схем (рис. 4.18, 4.19), в которых подбором соответствующих элементов можно добиться практически полной компенсации э.д.с., наводимых на частоте накачки 2со в системы, и рассматривать последние как колебательные цепи с периодически изменяющимися параметрами. В первой схеме (см. рис. 4.18) происходит периодическое изменение индуктивности с частотой 2ш во второй (см. рис. 4.19) — периодическое изменение емкости, образованной двумя запертыми р — п-переходами в полупроводниковых диодах, также с частотой внешнего воздействия (накачки) 2(о. Предположим теперь, что условия параметрического возбуждения выполнены, и тогда амплитуда любого малого колебания с частотой, удовлетворяющей соот- [c.160]

Уравнение движения в рассматриваемой колебательной системе при указанной для полупроводникового диода аппроксимации в принятых нами обозначениях и.меет вид [c.179]

В изоляционных материалах, в которых практически отсутствуют свободные электроны, единственным способом переноса энергии могут быть колебания атомов и молекул и вызванные ими процессы рассеяния. В физике такие тела рассматриваются как системы, состоящие из квазичастиц — фононов различной частоты и энергии. В полупроводниковых кристаллических материалах наряду с электронами в процессе теплопроводности участвуют и фононы. [c.163]

К группе редких металлов относится примерно 55 элементов периодической системы. Редкие металлы в значительной мере определяют развитие таких отраслей промышленности, как производство специальных сталей, твердых и жаропрочных сплавов, электровакуумной техники, полупроводниковой электроники, а также производство атомной энергии. [c.446]

Изложено термодинамическое обоснование возможности ретроградного распада с выделением жидкой фазы. Приведены оригинальные данные о прецизионном построении кривых ретроградного солидуса в важнейших полупроводниковых системах с участием германия, кремния, арсенида индия и др. Рассмотрены кинетика распада и структурный механизм этого процесса. Обосновано использование диаграммы фазовых равновесий при выборе уровня легирования полупроводников и режимов их термической обработки. Описаны возможности направленного изменения свойств материалов, обеспечивающих надежную работу электронных устройств. [c.51]

Надежность тиристорных преобразователей, определяемая надежностью полупроводниковых приборов выпрямителя, преобразователя, системы защиты (достаточно сложной) снижается по мере увеличения числа полупроводниковых элементов. Поэтому на каком-то пороге мощности тиристорный преобразователь должен неизбежно уступить в надежности машинному. Маломощные тиристорные преобразователи невыгодны из-за необходимости иметь сложную схему защиты. Машинные преобразователи, изготовляемые по традиционной технологии серийного электромашиностроения из недефицитных распространенных материалов, должны быть самыми дешевыми. [c.28]

Наличие у полупроводников двух типов электропроводности — электронной (п) и электронно-дырочной (р) позволяет получить полупроводниковые изделия с р — -переходом. Сюда относятся различные типы как мощных, так и маломощных выпрямителей, усилителей и генераторов. Полупроводниковые системы могут быть с успехом использованы для преобразования различных видов энергии в энергию электрического тока с такими значениями коэффициента преобразования, которые делают полупроводниковые преобразователи сравнимыми с существующими преобразователями других типов, а иногда и превосходящими их. Примерами полупроводниковых преобразователей могут служить солнечные батареи и термоэлектрические генераторы. При помощи полупроводников можно понизить температуру на несколько десятков градусов. В последние годы особое значение приобрело рекомбинационное свечение при низком напряжении постоянного тока электроннодырочных переходов, которые используются для создания сигнальных источников света и в устройствах вывода информации из вычислительных машин. [c.230]

Спутник был оборудован радиотелеметрической аппаратурой, радиоаппаратурой для измерения координат траектории полета и аппаратурой для терморегулирования атмосферы во внутреннем пространстве корпуса. Кроме того, в нем помещались приборы для измерения интенсивности первичного космического излучения, регистрации ядер тяжелых элементов в космических лучах и регистрации ударов микрометеоров, для измерения давления, ионного состава атмосферы, концентрации положительных ионов, измерения напряженности электростатического и магнитного полей и интенсивности корпускулярного излучения Солнца. Многоканальная радиотелеметрическая система была снабжена запоминающим устройством, позволившим записывать данные научных наблюдений на всей траектории спутника и передавать их по команде с Земли только на участках, проходящих над территорией Советского Союза. Для энергопитания аппаратуры и приборов имелись электрохимические батареи и полупроводниковая солнечная батарея, хорошо зарекомендовавшая себя в эксплуатации. [c.426]

Замена генераторов постоянного тока ртутными и особенно полупроводниковыми преобразователями существенно повысила экономические преимущества системы преобразования переменного электрического тока в постоянный (и обратно). [c.28]

Ориентировочными показателями зависимости объема изделия от способа его выполнения могут служить следующие данные. В изделиях с обычными вакуумными приборами — например, в таких, как телевизоры и радиоприемники широкого потребления,— на 100 объема приходится одна деталь. В аппаратуре на полупроводниковых приборах с использованием навесного монтажа одна деталь приходится на 1 см объема аппаратуры. Микромодульная система монтажа позволяет повысить плотность размещения деталей до 10—20 на 1 см . Твердые схемы дают возможность иметь в 1 сл1 до 200—300 деталей. [c.420]

В связи с этим при проектировании и конструировании современных автоматических машин и поточных линий применяются различные системы механизации и автоматизации механические, пневматические, гидравлические, электрические, электронные и полупроводниковые, акустические, оптические и др., а также комбинированные системы. [c.24]

Регулирование осуществляется по специальной программе системой полупроводниковой термоавтоматики, обеспечивающей зависимость температуры воды в котле от температуры наружного воздуха. [c.176]

В качестве нелинейных элементов используются звукопро-воды с большими нелинейными акустич. параметрами, пьезополупроводниковые материалы и слоистые структуры, а также системы полупроводниковых диодов, включённых последовательно или параллельно системе электродов, нанесённых на поверхность пьезоэлектрич. звукопровода. В нелинейных устройствах могут использоваться различные механизмы нелинейного взаимодействия . упругое, пьезоэлектрическое, электро-стрикционное и особенно акусто-электронное. Нелинейные элементы позволяют осуш,ествлять операции перемножения акустич. сигналов и связанные с этим более сложные преобразования сигналов. [c.45]

На макроуровне производится дискретизация пространств с выделением в качестве элементов отдельных деталей, дискретных электрорадиоэлементов, участков полупроводниковых кристаллов. При этом из числа независимых переменных исключают пространственные координаты. Функциональные модели на макроуровне представляют собой системы алгебраических или обыкновенных дифференциальных уравнений, для их получения и решения используют соответствующие численные методы. В качестве фазовых переменных фигурируют электрические напряжения, токи, силы, скорости, температуры, расходы и т. д. Они характеризуют проявления внешних свойств элементов при их взаимодействии между собой и внешней средой в электронных схемах или механических конструкциях. [c.146]

Имеются системы, использующие сцинцилляционные кристаллы (среднетоковый метод), и системы с полупроводниковыми счетчиками (импульсный метод). При среднетоковом методе сигнал выдается в виде значения среднего тока, значение которого зависит от размеров дефекта. При полупроводниковом методе контроля ионизационное излучение просвечивания после прохождения соединения регистрируется в виде последовательности им-пульсон двумя независимыми полупроводниковыми детекторами. Сигналы обоих детекторов при отсутствии дефектов одинаковы. При наличии дефектов устройство выдает сигнал, равный разности сигналов обоих детекторов. [c.123]

К полупроводниковым материалам относятся большинство минералов, неметаллические элементы IV, V и VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов. Наибольшее применение получили элементы IV группы — Ое и 51, обладающие тетрагональной кристаллической решеткой типа алмаза. В вершинах тетраэдра раеположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими атомами силами ковалентной связи, поскольку все они обладают четырьмя внешними валентными электронами. [c.387]

Часть 3 посвящена разработке и оформлению конструкторской документации, в том числе с применением компьютерных технологий. Наряду с общетехническими рассматриваются чертежи и схемы изделий радиоэлектронной аппаратуры -печатных плат и полупроводниковых микросхем. Даны методические указания по применению чертежей печатных плат и микросхем обьектно-ориентированных систем с соответствующими информационными базами и интерфейсами пользователя, помещенными на прилагаемом к учебнику компакт-диске. Здесь же приведены некоторые положения Единой системы конструкторской документации (ЕСКД), а также общая методика автоматизации разработки и выполнения конструкторской документации (АКД). [c.396]

Конструктивно поляризованная система представляет собой обычную систему протекторов, подключаемых к защищаемому трубо-1 ров оду с помощью полупроводниковых диодов (рис. 2.3), пропуска-пщих ток только в наоравленки от трубопровода к протектору. Наличие таких протекторов в катодной зоне трубопровода не влияет на величину блуждающих токов, входящих в трубопровод, так как она определяется только переходным сопротивлением трубопроводв. [c.46]

В настоящее время разработано и выпускается множество разнообразных видов полупроводниковых, вакуумных, газонаполненных и других близких к ним по назначению приборов, которые находят широкое применение при автоматизации процессов обработки и контроля, а также в некот ых технологических процессах, как, например, при нагреве токами СВЧ, и в системах программного управления. [c.136]

Фликкер - шум был зафиксирован при изменении флуктуаций напряжения на электропроводящих образцах разной природы (полупроводниковые пленки, металлы, угольные резисторы в термодинамически равновесной системе (термостат). [c.45]

Структурная схема системы представлена на рис. 17.7, где приняты следующие обозначения ТА1, ТА2 — термоанемометры фирмы DISA ДС, ДУ — датчики скорости и углового положения, входящие в тарировочные устройства 55D90 для термоанемометра DISA ДД — полупроводниковый датчик давлению [c.350]

В качестве примера нелинейной консервативной колебательной системы с одной степенью свободы рассмотрим электрический колебательный контур без затухания с конденсатором, в котором нет линейной зависимости напряжения от заряда. Подобными нелинейными свойствами обладают конденсаторы, в которых в качестве диэлектрика используются материалы, имеющие сег-нетоэлектрические свойства, и емкости, возникающие в р п-переходах (например, в полупроводниковых диодах) при обратном напряжении смещения. [c.29]

Во-вторых, в реальных колебательных системах с нелинейными реактивными элементами необходимо учитывать также нелинейную проводимость (сопротивление) последних, например сопротивление запертого полупроводникового диода или конденсатора с сегнето-электриком. Сопротивления нелинейных элементов увеличиваются с ростом амплитуды параметрических колебаний, в результате чего для областей параметрического возбуждения таких систем характерно сочетание специфических черт, присущих как системам с нелинейной реактивностью (наклон области возбуждения), так и системам с нелинейной днсснпацией (замкнутость кривой, ограничивающей область возбуждения), при решении задачи с учетом членов только первого порядка малости. [c.172]

Для того чтобы обеспечить выполнение условии параметрического возбуждения для колебательной системы с конденсатором с сегнетоэ.лектриком, необходимо придать Еольт-кулоновой характеристике несимметричный вид, что можно осуществить путем подачи на конденсатор постоянного напряжения сме-(цения (например, —н ). Тогда кривая ис (< ) будет иметь вид, показанный на рис. 4,29. Можно для этой же цели использовать в качестве нелинейной емкости р — -переход полупроводникового диода. Здесь кривая С (и) всегда несимметрична и имеет вид, показанный на рис. 4.12. [c.175]

В реальных колебательных системах, где в качестве нелинейного элемента используются р — -переходы полупроводниковых (параметрических) диодов, одновременно фигурируют и оказывают ограничивающее действие и нелинейная реакт)шность, и нелинейное затухание. Поэтому кривые параметрического резонанса ограничивают наклонные замкнутые области параметрического возбуждения. Общий математический анализ реальных пар.лметрическпх систем — сложная задача, которая обычно решается приближенными методами, в частности методами численных расчетов с использованием ЭВМ. [c.178]

Полупроводники представляют собой обширную группу веществ, занимающих по величине удельной объемной проводимости промежуточное положение между диэлектриками и проводниками. Возможность получения различного характера электроироводности — электронной и дырочной — и управления ею составляет одну из важных отличительных особениосте полупроводников. В периодической системе имеется 12 элементов, обладающих полупроводниковыми свойствами это так называемые элементарные или простые полупроводники (основной состав полупроводника образован атомами одного химического элемента). Такими элементами являются в III группе — бор в IV группе — углерод, кремний, германий, олово (серое) в V группе — фосфор, мышьяк, сурьма в VI группе —сера, селен, теллур в VII группе — йод. Достаточно отчетливо можно представить общие закономерности и особегнюсти элементарных полупроводников, рассматривая такие полупроводники, как германий и кремний ( 13.5 и 13.6). [c.171]

Минимально обнаруживаемый дефект достигает порядка 0,1 мм в диаметре. Применение металлического вращающегося зеркала увеличивает скорость сканирования в 4 раза по сравнению со стеклянным зеркалом. Возможно контролирование поверхности ма 1ериала, двигающегося со скоростью свы1не 15 м/с. Сканирующие лазерные системы бегущего луча могут также использоваться для получения изображения объектов контроля. Схема лазерного сканирующего инфракрасного микроскопа для контроля внутренних дефектов полупроводниковых материалов с механическим сканированием объекта контроля и неподвижным лучом лазера отличается низким быстродействием, но имеет высокую разрешающую способность. Схема с системой сканирующих зеркал отличается большим быстродействием (до 50 кад/с при 200—400 строках разложения телевизионного изображения), однако наличие полевых аберраций оптической системы приводит в этом случае к снижению пространственного разрешения. [c.96]

Поперечная ЭДС Ux, ток У, магнитная индукция В и толш,ина полупроводниковой пластинки h легко могут быть измерены, что позволяет вычислить значение коэффициента Холла X. В системе СИ коэффициент Холла измеряется в кубических метрах на кулон. Значение коэффициента, получаемое по формуле (8-7), справедливо только для вырожденных полупроводников, с очень большой концентрацией примеси, при которой энергия активации ее практически равна нулю и можно не учитывать распределения носителей заряда по скоростям, что и допускалось при выводе формул (8-6). Более точное значение коэффициента Холла для полупроводников с различной концентрацией примеси будегг отличаться от получаемого по формуле (8-7) множителем А. Для полупроводников различных групп (с атомной, ионной решетками) численное значение А изменяется от единицы до двух в зависимости от механизма рассеяния носителей при различных температурах (например, для германия А 1,18). Таким образом, для полупроводников п-типа [c.238]

В 1959—1960 гг. были созданы комплексные телемеханические устройства с временным разделением сигналов для оросительных систем. Работы этого периода привели к созданию блоков и узлов систем телемеханики на маловитковых магнитных элементах и полупроводниковых приборах, которые используются в промышленных системах типа БТФ, БТМ и др. Накопленный опыт эксплуатации бесконтактных устройств позволил перейти к построению сложных систем с большим количеством элементов, примером которых является устройство телеуправления типа ТАФ, предназначенное для управления наземным комплексом световых и радиотехнических средств посадки самолетов в аэропортах. [c.261]

Важным этапом развития телемеханики явился переход к построению комплексных телеавтоматических систем (ТАС), содержащих программные и логические блоки, позволяющие автоматически выполнять последовательности операций, определяемые технологическими процессами. Начальным этапом в этом направлении было создание релейно-контактной телемеханической системы с автоматической сигнализацией отклонений и отработкой заданий, созданной для оросительных систем. ТАС с использованием частотного распределения сигналов установлены в ирригационной системе в таджикской части Голодной степи и на Зай-Каратаевском нефтеперерабатывающем и нефтедобывающем предприятии. Первой в стране крупной TAG явилась разработанная в Институте автоматики и телемеханики АН СССР совместно с Южгипрошахтом и заводом Красный металлист полупроводниковая система типа БТА-ПУ-С, предназначенная для телеавтоматического управления поточно-транспортными механизмами. Система БТА-ПУ-С прошла испытания на одной из шахт для управления поточно-транспортными механизмами на поверхности. Другим примером ТАС является разработанная в Мосгортранспроекте совместно с Институтом автоматики и телемеханики АН СССР система, позволяющая из пункта управления задавать и изменять программы работы группы светофоров, расположенных вдоль крупной магистрали города [47]. [c.262]

Работы в области полупроводниковых логических элементов привели к созданию методики расчета оптимальных схем элементов, учитывающей как наихудшие, так и вероятностные сочетания значений параметров, к разработке способов повышения надежности элементов за счет построения избыточных структур и созданию различных полупроводниковых элементов и систем. Разработанные элементы нашли широкое применение для построения различных систем автоматического управления, в том числе телеавтоматической системы управления поточно-транспортными линиями. Была разработана единая серия полупроводниковых логических элементов общепромышленного назначения, в которую вошли логические и функциональные элементы, элементы времени, усилителр и блоки питания (рис. 47). Единая серия разрабатывалась совместно Институтом автоматики и телемеханики АН СССР, Всесоюзным научно-исследовательским институтом электропривода, Центральным научно-исследовательским институтом МПС, Конструкторским бюро Цветметавтоматика и рядом других организаций. Разработанная серия полупроводниковых логических элементов работает при колебаниях напряжения питания 20%, изменениях температуры окружающей среды от —45 до +60° С при частоте до 20 кгц. [c.266]

Послевоенная техника связи значительно изменилась. В ее обиход вошли такие новые средства, как радиорелейные линии, высокочастотные кабели и волноводы, ультракоротковолновые тропосферные и метеорные станции, искусственные спутники Земли, средства электронной автоматики, полупроводниковые приборы, электронные вычислительные машины, квантовооптические устройства и многое другое. Качественно и количественно изменились и потребности в связи. Резко возрос спрос на связь, вызванный небывалым ростом наших городов, промышленных центров, сельскохозяйственных предприятий. Увеличились потребности в абонентской связи. Огромное развитие получили ультракоротковолновое радиовещание, телевидение, фототелеграфия. Возникла необходимость в использовании средств связи для выпуска на местах центральных газет, для обеспечения взаимодействия вычислительных центров между собой и с потребителями. При этих условиях дальнейшее применение связи в государственном масштабе сделалось невозможным без создания единой автоматизированной системы. Вот почему ХХП1 съездом КПСС была поставлена задача усилить работы по созданию единой автоматизированной системы связи, обеспечивающей бесперебойную и надежную передачу всех видов информаций [c.392]

Электронные и полупроводниковые системы в современных производственно-технологических машинах не могут применяться для механизации машинных технологических процессов вследствие их маломощности. Они весьма распространены для автоматизации контроля, управления и регулирования технологических процессов, а также в качестве датчиков для составления логических схем, для полутригеров (электронных реле), как усилители систем и т. п. [c.27]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...