Чистые металлы и полупроводниковые материалы

Чистые металлы и полупроводниковые материалы широко применяют в авиации, ракетной технике, в радио- и электротехнических приборах (диодах, усилителях, силовых выпрямителях и др.), в солнечных батареях, термобатареях, чувствительных приемниках инфракрасного излучения, фотоэлементах и др. [c.66]

Важная задача анализа чистых металлов и полупроводниковых материалов решается комбинированием методов С. а. с приемами предварительного обогащения и концентрирования определяемых примесей. Этим достигается двоякая цель повышение чувствительности анализа и усреднение состава пробы чистого материала, распределение примесей в к-ром может быть весьма неравномерным. Относит, чувствительность таких химико-спектральных методов составляет 10" — 10 % при средней квадратичной погрешности определений ок. 10—20%. [c.16]

Неметаллы и химические соединения относят к высоко чистым веществам, если содержание лимитирующих примесей в них не менее чем на порядок ниже по сравнению с соответствующей маркой ХЧ, на два порядка — для марки ЧДА и на три порядка — для марки Ч. К высоко чистым веществам принято относить также металлы и полупроводниковые материалы, если содержание каждой из контролируемых примесей в них не превышает 1 (по массе). [c.191]

С появлением оксидных пленок на поверхности металлов степень черноты резко увеличивается и может принимать значения 0,5 и выше [Л. 134, 139]. Сплавы металлов имеют более высокую степень черноты. Степень черноты полупроводниковых материалов при 100°С более 0,8. Тугоплавкие соединения (карбиды, бориды, силициды) имеют степень черноты порядка 0,5 и выше. Коэффициенты излучения диэлектриков выше, чем чистых металлов, и обычно уменьшаются с увеличением температуры. [c.385]

Настоящая монография охватывает ряд основных вопросов проблемы развития тепловой микроскопии, включая методические основы низко- и высокотемпературной металлографии, анализ конструктивного выполнения основных систем и узлов установок, разработанных под руководством автора. В книге рассмотрены также технические характеристики современной отечественной, главным образом серийной, и зарубежной аппаратуры, определены тенденции и рациональные пределы совершенствования средств тепловой микроскопии. Кроме того, монография содержит ряд экспериментальных результатов, полученных методами тепловой микроскопии и иллюстрирующих эффективность их использования для исследования строения и свойств широкого класса материалов (чистых металлов, промышленных сплавов, композиционных и полупроводниковых материалов). При этом в качестве примеров, как правило, приведены такие исследования, постановка которых оказалась возможной благодаря применению методов и аппаратуры для низко- и высокотемпературной металлографии и результаты которых ассоциируются с существенно новыми представлениями. [c.8]

Наиболее полно этим требованиям отвечают чистые металлы сплавы имеют более слабую температурную зависимость сопротивления. В качестве материала для терморезистора используют такие чистые металлы, как Р(, Си и некоторые другие (N1, Ре, Ш, Мо) кроме того, в термометрах сопротивления могут быть использованы некоторые полупроводниковые материалы. [c.176]

Для большинства чистых металлов [70] значение / в интервале температур U = 273. .. 373 К составляет 4-10- К , для железа и никеля 6,3-10 К . Полупроводниковые материалы обладают значительно большим ТКС, который в среднем оценивается значением —40-10 К . [c.60]

Развитию металлургии чистых металлов способствовало развитие полупроводниковой техники, ядерной энергетики, ракетостроения и других областей, где чистота материалов определяет возможность их использования. [c.64]

Плазменной струей можно создать процесс испарения материалов. Конденсацией паров материалов, выходящих из плазменной струи, можно получать монокристаллы полупроводниковых материалов и чистых металлов, таких как вольфрам, молибден, ниобий и т. д. Плазменную струю можно использовать для получения тонких металлических нитей, в том числе нитей очень высокой прочности. Испарением с последующей конденсацией можно получать мелкодисперсные порошки как металлов, так и их соединений. [c.463]

Плазменной струей можно испарять материалы. Конденсацией паров материалов, выходящих из плазменной струи, получают монокристаллы полупроводниковых материалов и чистых металлов, таких как вольфрам, мо- [c.631]

Исследования показывают, что из чистых металлов невозможно составить пару, обеспечивающую существенную разность температур для этих пар г слишком мало. Значительно лучшие значения г дают полупроводниковые материалы на основе сурьмы, теллура, висмута, селена и небольшого количества присадок. [c.193]

Важно также отметить, что в некоторых случаях гидриды таких металлов, как цирконий, титан и др., находят и непосредственное техническое применение, например для раскисления при изготовлении некоторых сплавов, при пайке неметаллических материалов друг с другом и с металлами (в частности, при пайке кремниевых деталей в полупроводниковой технике), в качестве источников чистейшего водорода в некоторых приборах электровакуумной технике и т. д. [c.93]

С учетом актуальных задач аналитического контроля в отрасли [107] в числе приоритетных направлений можно отметить развитие выпуска СО для целей автоматизированного управления технологическими процессами обогащения минерального сырья такие СО должны быть рассчитаны на анализ как с отбором проб, так и без него (в потоке) с использованием наиболее перспективных методов — рентгенофлуоресцентного, активационного и др. для обеспечения уже сформировавшихся и перспективных потребностей производства и потребления чистых металлов и полупроводниковых соединений, а также сверхпроводящих материалов (контроль содержания традиционными методами и перспективными новыми, нанример методом реакционной газовой экстракции для определения ряда элементов в виде летучих гидридов [108]), перспективных конструкционных материалов (жаропрочных, жаростойких, корро-зионно-устойчивых и других) на основе цветных металлов и их соединений цветных металлов и их соединений, используемых в радиоэлектронике, делящихся материалов для ядерной энергетики, металлокерамических материалов. [c.49]

Оптические свойства полупроводников. Выше, в 1.2, было показано, что методы ИПД могут быть использованы для получения наноструктур не только в чистых металлах и сплавах, но и в полупроводниковых материалах, широко используемых в электронной технике. В последние годы значительный интерес вызвали оптические свойства наноструктурных Si и Ge, в которых наблюдалось люминесцентное свечение в видимой области спектра. Эти эффекты были обнаружены в пористом Si, полученном химическим травлением [396, 397], в образцах Si, полученных электронно-лучевым распылением [398], и в нанокристаллах Ge, полученным магнетронным распылением [399]. Вместе с тем в этих работах исследованные образцы были в виде пористого материала или тонких пленок. В этой связи интерес представляет исследование спектров рамановского рассеяния и фотолюминес- [c.232]

Кремний. Несмотря на исключительное расдространение на земле, в свободном состоянии не встречается. Выделение его в чистом виде представляет сложную техническую задачу. Чистый Кремний — крупнокристаллический порошок серого металлического цвета, хрупкий, твердый. Сверхчистый кремний (монокристаллический) является полупроводниковым материалом. Основное назначение кремния в машиностроении — является легирование стали и сплавов цветных металлов. Для этой цели применяется кремний кристаллический ГОСТ 2169-43, получаемый путем восстановительной плавки кварца или кварцита (табл. 37). Кремний кристаллический марки Кр-0 предназначается для изготовления высококачественных специальных сплавов марки Кр-1 — силуминов и других сплавов марки Кр-2 — для подшихтовки при выплавке алюминиевых и других сплавов, не требующих особой чистоты кремния марки Кр-3 — для химикотермических процессов восстановления, для получения водорода, для пиротехнических и других целей. В кремнии, предназначенном для алюминиевокремниевых сплавов, допускается повышенное содержание алюминия против приведенных форм. Кремний поставляется в кусках разнообразной формы размером не менее 20 мм. Содержание мелочи не должно пре-вшпать 10% партии по весу. [c.143]

Известно несколько способов получения диффузионного соединения полупроводник — металл диффузионная сварка чистых полупроводниковых материалов с металлами, а также предварительно металлизированных полупроводниковых и металлических деталей. Диффузионная сварка простых полупроводникот (кремний, германий) и бинарных соединений (арсенид галлия, карбид кремния) с металлами и сплавами имеет общие и отличительные закономерности. Специфические особенности этих соединений вызваны разной природой, различным строением структуры, физическими и механическими свойствами полупроводников. При диффузионной сварке чистых материалов (полупроводник — металл) зависимости температуры сварки от давления сжатия имеют экспоненциальный характер (рис. 7, кривая /). С увеличением температуры сварки давление сжатия необходимо уменьшать. При диффузионной пайке давление становится минимальным, при диффузионном вплавлении металлов в полупроводник — равно нулю. С уменьшением температуры сварки давление сжатия необходимо увеличивать. Это свя- [c.234]

При диффузионном соединении полупроводниковых кристаллов с молибденом, покрытым золотом, серебром или никелем, функциональные зависимости — = f (р) носят гиперболический характер (рис. 7, кривая IV), указывая, что кинетика роста прочности соединения идет за счет взаимной диффузии быстродиффун-дирующих металлов покрытия в кристаллическую решетку алмазоподобных полупроводников. Применение никеля, как покрытия на молибдене, снижает температуру сварки для кремния и германия на 300 К, арсенида галлия на 450 К (рис. 8, кривая /), карбида кремния на 400 К при одинаковом давлении 39,2 МПа. Нижние асимптоты гиперболических кривых находятся для кремния, германия и арсенида галлия на уровне температуры 673 К, а для карбида кремния — 823 К. Таким образом, диффузионное соединение не образуется при температуре Тсв <С (0,Эч-0,4) даже при применении такого быстродиффундирующего металла,, как никель. Применение серебряного покрытия на молибдене позволяет снизить температуру сварки в 0,2—1,4 раза, т. е. довести ее до 773 К для кремния и 973 К для карбида кремния без изменения давления или уменьшить давление сжатия в 2—3 раза (19,6—9,8 МПа). Диффузионную сварку кремния и германия с серебряным молибденом нельзя вести выше температур соответственно 1103-и 924 К, так как при этом образуются эвтектические сплавы в месте контакта соединяемых материалов (рис. 7, область III). Между температурой сварки Тен и давлением сжатия р при ДСВ чистого кремния с посеребренным молибденом установлена эмпирическая зависимость [c.235]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...