Схема полупроводниковая

Рис. 3.8. Схема полупроводникового лазера

Полупроводниковый лазер генерирует когерентное излучение в результате процессов, происходящих в р-и-переходе на полупроводниковом материале. На рис. 3.8 показана схема полупроводникового лазера на арсениде галлия. Кристалл имеет размеры около 0,5...1,0 мм . Верхняя его часть 2 представляет собой полупроводник р-типа, нижняя / — п-типа, между ними имеется р-п-переход 4 толщиной около 0,1 мкм. [c.123]

Рис. 9.14. Схема полупроводникового счетчика с р — п-переходным слоем.

При использовании пленочной технологии на подложку наносятся проводящие, диэлектрические, ферромагнитные и резистивные пленки преимущественно способом термического испарения в вакууме. Такими же способами возможно выполнять и активные элементы схемы полупроводниковые диоды и триоды. Конечно, такое производство пока еще очень сложно, требует высокой тщательности и почти полной его автоматизации. Но зато изделия, полученные таким способом, обладают исключительной надежностью. [c.420]

Рис. 43. Схема полупроводникового лазера с возбуждением электронным пучком

Изделия с частично окрашенными поверхностями, наличие металлических и химических покрытий, неметаллических материалов, электрических материалов, электрических контактов, печатных схем полупроводниковых материалов, оптических устройств [c.47]

Рис. 6.49. Схемы полупроводниковых РОС-лазеров. а — гофрированная структура создается на одной из поверхностей активного слоя б — гофрированная структура создается на дополнительной поверхности вблизи активного

Рис. 15 . Схема полупроводникового лазера (а) и его спектральная характеристика (б)

Схема полупроводникового теплового насоса [c.141]

П1 — приборы, счетно-вычислительные машины, радиоэлектронная аппаратура, изделия электротехники. Изделия имеют разнородные неметаллические материалы, электрические контакты, возможно наличие печатных схем, полупроводниковых материалов, оптических устройств [c.194]

На основе электротепловой аналогии составлена эквивалентная тепловая схема полупроводникового прибора, установленного на радиаторе (рис. 22.9, а). Схема включает в себя следующие тепловые сопротивления — переход — корпус / кс — корпус — окружающая среда / — корпус прибора — радиатор / р — радиатор — окружающая среда. [c.837]

Радиодеталью или элементом называют неделимую часть конструкции аппаратуры. Элементами, например, являются конденсаторы, резисторы, электронные лампы, предохранители, твердые схемы, полупроводниковые приборы и т. п. [c.5]

Фиг. 57. Схема полупроводникового кристаллического триода — транзистора (а) и его условное изображение (б).

Рис. 10. Принципиальная схема полупроводниковой системы управления тиристорным преобразователем (а) и графики изменения напряжения на ее

Рис. 16. Схема полупроводникового регулятора мощности и тока главного генератора тепловоза ТЭЗ системы МИИТа

Рис, 20. Схема полупроводникового регулятора напряжения типа РНТ-3 [c.38]

Рис. 22. Схема полупроводникового реле времени типа ВЛ-21.

Рис. 6.16. Схема полупроводникового преобразователя постоянного тока низкого напряжения в постоянный ток повышенного напряжения

Для регулирования скорости асинхронных крановых двигателей возможны схемы полупроводникового управления на тиристорах, которые одновременно обеспечивают плавность пуска и протекания тормозных режимов. [c.135]

Фиг. 126. Схема полупроводниковых усилителей.

Интегральная схема — полупроводниковый кристалл, обеспечивающий выполнение операций, связанных с хранением или обработкой информации. [c.191]

Рнс 33 Принципиальная схема полупроводникового генератора импульсов [c.59]

Источники вторичного электропитания в зависимости от примененной элементной базы подразделяют на использующие интегральные схемы, полупроводниковые приборы, электровакуумные приборы и прочие элементы. [c.22]

Стабилизатор напряжения 5 В 2,5 А (рис. 4) построен по схеме полупроводникового стабилизатора напряжения компенсационного типа последовательного действия с опущенной опорой . [c.61]

Применяется дли защиты интегральных схем, полупроводниковых приборов и т. д. [c.127]

С — схема полупроводникового фото-сопротивления б — вариант модулирующего диска / — полупроводник [c.83]

Сварочные выпрямители состоят из трехфазного понижающего трансформатора /, выпрямительного блока 2, собранного из кремниевых полупроводниковых вентилей по трехфазной мостовой схеме (рис. 5.6). Падающая внешняя характеристика выпрямителя обеспечивается повышенным индуктивным сопротивлением понижающего трансформатора, у которого первичная и вторичная обмотки раздвинуты и размещены на разных концах магнитопровода (тип ВД). Плавное регулирование тока достигается перемещением подвижной первичной обмотки. [c.189]

Основные задачи функционального проектирования следующие разработка структурных схем, определение требований к выходным параметрам анализ и формирование ТЗ на разработку отдельных блоков ЭВА синтез функциональных и принципиальных схем полученных блоков контроль и выработка диагностических тестов проверка работоспособности синтезируемых блоков расчеты параметров пассивных компонентов и определение требований к параметрам активных компонентов формулировка ТЗ на проектирование компонентов выбор физической структуры, топологии компонентов расчеты параметров диффузионных профилей и полупроводниковых компонентов, электрических параметров, параметров технологических процессов эпитаксии, диффузии, окисления и др. вероятностные требования к выходным параметрам компонентов. [c.10]

Схема полупроводникового лазера и его спектральная характеристка представлены на рис. 15. Здесь в качестве активного вещества используется арсенид галлия, [c.37]

Схемы полупроводниковых выпрямителей могут быть классифицированы по выходной мощности — установки малой мощности (единицы киловатт), средней (десятки киловатт) и большой мощности по числу фаз источника питания — напрямители однофазного тока и трехфазного тока по возможностям регулировки — неуправляемые и управляемые. Выпрямители однофазного и трехфазного тока в зависимости от схемы включения вентилей и схе] ы соединения обмоток трансформатора в свою очередь подразделяют на схемы со средней точкой, мостовые и т. д. Иногда выпрямители классифицируют и по ряду других признаков характеру нагрузки (активная, активно-индуктивная, активно-емкостная, нагрузка с противоэдс), напряжению (низкого, среднего и высокого), частоте выпрямленного тока и т. д. [c.23]

При расчетах на ЭВМ электронных схем полупроводниковые элементы заменяют соответствующими моделями. В этих моделях полупроводниковые элементы представляют электрической схемой, содержащей емкостные элементы, резисторы, индуктивные элементы, источники тока и т. д. В зависимости от режима работы полупроводникового элемента, его назначения можно использовать различные модели. Наиболее часто для биполярного транзистора применяют модели Эберса — Молла. Использование моделей позволяет заменить электронную схему на аналогичную ей схему, содержащую лишь элементы С, Я, источники тока и напряжения. В результате схема описывается системой уравнений (как правило, нелинейной), решаемой численным методами. [c.478]

Схема полупроводникового реле состоит из трех каскадов входного усилителя на триоде ПТ (ПТ ) типа П14Б триггера с двумя устойчивыми положениями равновесия на триодах ПТ (ПТ ) и ПТз (ЯГв) типа П14Б усилителя мощности на триоде ПТх (ПТа) типа П201АМ, в коллекторную цепь которого включено реле типа РС-13. [c.288]

Измерение Ай может быть осуществлено с помощью мостовой измерит. схемы. Полупроводниковые материалы с высокой чувствительносяаю У применяются для измерения давлений, меньших 1000 кг м , однако свойственный им значит, гистерезис приводит к большим погрешностям измерений. [c.132]

Рис. 2. Схема полупроводникового детектора с а—р-нере-ходом. + и — > обозначают равновесные носители в р- и п-кремнни обведенные кружками + и — — неравновесные носители, образованные падающей частицей

Известно большое количество схем полупроводниковых усилителей однофазных, двухфазных мостовых п т. д. на лампах и на транзисторах. Из них следует отметить схему, изображенную на рис. 24. 14, широко используемую в ав-тоштических измерительных приборах (потенциометрах, мостах и др.), а также в следящих системах управления двухфазным двигателем. [c.750]

Внимательно и последовательно проштудируйте первую часть книги. Овладев изложенным там материалом, вы будете готовы к тому, чтобы с успехом применять программу PSPI E для изучения основных схем полупроводниковой электроники. Материал же второй части можете осваивать постепенно, по мере необходимости. [c.12]

Как в блоке питания БП-ЭПТ-П, так и в преобразователе ПТ-ЭПТ-П смонтированы схемы полупроводниковых статических преобразователей тока на кристаллических триодах — транзисторах (в БП-ЭПТ-П) и кремниевых управляемых вентилях — тиристорах ( в ПТ-ЭПТ-П). Однако в блоке БП-ЭПТ-П установлен преобразователь небольшой мощности (50 Вт), который питает переменным током частотой 625 Гц (0,3 А 50 В) цени контроля ЭПТ, а выпрямленным током (0,5 А 50 В) заряжает специальную автономную аккумуляторную батарею 40КН-10 блока питания БП-ЭПТ-П. При этом потребляемая ЭПТ мощность обеспечивается от аккумуляторной батареи 40КН. Поэтому общие габариты блока питания БП-ЭПТ-П значительные и составляют длина 512 мм, ширина 275 мм, высота 574 мм, а его масса 54 кг. [c.177]

На рис. 4-20-5 показана принципиальная электрическая схема полупроводникового усилителя типа УПД1-03, состоящего из следующих узлов входного устройства, усилителя напряжения, усилителя мощности и источника питания. Нагрузкой усилителя является обмотка управления реверсивного двигателя РД-09П2 (РД). [c.175]

На макроуровне используют математические модели, описывающие физическое состояние и процессы в сплошных средах. Для моделирования применяют аппарат уравнений математической физики. Примерами таких уравнений служат дифференциальные уравнения в частных производных—уравнения электродинамики, теплопроводности, упругости, газовой динамики. Эти уравнения описывают поля электрического потенциала и температуры в полупроводниковых кристаллах интегральных схем, напряженно-деформированное состояние деталей механических конструкций и т. п. К типичным фазовым переменным на микроуровне относятся электрические потенциалы, давления, температуры, концентрадии частиц, плотности токов, механические напряжения и деформации. Независимыми переменными являются время и пространственные координаты. В качестве операторов F и У в уравнениях (4.2) фигурируют дифференциальные и интегральные операторы. Уравнения (4.2), дополненные краевыми условиями, составляют ММ объектов на микроуровне. Анализ таких моделей сводится к решению краевых задач математической физики. [c.146]

На макроуровне производится дискретизация пространств с выделением в качестве элементов отдельных деталей, дискретных электрорадиоэлементов, участков полупроводниковых кристаллов. При этом из числа независимых переменных исключают пространственные координаты. Функциональные модели на макроуровне представляют собой системы алгебраических или обыкновенных дифференциальных уравнений, для их получения и решения используют соответствующие численные методы. В качестве фазовых переменных фигурируют электрические напряжения, токи, силы, скорости, температуры, расходы и т. д. Они характеризуют проявления внешних свойств элементов при их взаимодействии между собой и внешней средой в электронных схемах или механических конструкциях. [c.146]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

Рис. 10,44. Схема сосднисния полупроводникового кристалла с основанием керамического корпуса

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...