Диоды германиевые полупроводниковые

Выпрямитель собирают из силовых полупроводниковых вентилей (диодов), германиевых или кремниевых. Наибольшее применение в настоящее время получили кремниевые диоды. [c.27]

В 40-х годах были разработаны новые перспективные типы полупроводниковых диодов (германиевые и кремниевые), получившие широкое распространение в настоящее время. Они обеспечивают высокий к. п. д. и компактность установок. В 1956 г. силовые диоды изготовлялись на ток 100 А при допустимом напряжении 400 В, а уже в 1965 г.— на ток 1000 А и напряжение 4000 В. [c.12]

Некоторые полупроводниковые приборы выпускают с нестандартным обозначением, например, германиевые плоскостные выпрямительные диоды типов Д7А—Д7Ж. [c.138]

Недостатком полупроводниковых выпрямителей является сравнительно большое обратное (запирающее) напряжение, которое для германия, селена и кремния неодинаково. На рис. 16.8 представлены характеристики различных полупроводниковых выпрямителей. Германиевые диоды, которые теперь уже едва ли можно получить, имеют наименьшее обратное напряжение, но, как и кремниевые диоды, они приобретают сквозную проводимость, если перенапряжение превысит обратное напряжение. При использовании кремниевых выпрямителей целесообразно применять диоды с высоким обратным напряжением. Хотя селеновые пластинки более велики по размерам, но зато в случае [c.330]

За это время наша промышленность, выполняя исторические директивы XIX съезда КПСС, направившие ее развитие по пути завоевания и освоения новой техники, стала использовать в массовом производстве целый ряд новых материалов, как, например, фторорганические соединения, обладающие весьма высокой нагревостойкостью новые виды электротехнической керамики с повышенной механической прочностью и хорошими электрическими свойствами полупроводниковые изделия, как, например, германиевые диоды и триоды тонкие листовые текстурованные стали, магнитную керамику и специальные сплавы. Советская и зарубежная наука в эти годы дала ряд работ по теории электрического пробоя диэлектриков, полупроводникам и магнитным материалам. [c.3]

Рис. 92. Несимметричная вольтамперная характеристика полупроводникового выпрямителя (германиевый плоскостной диод)

ГОСТ 10662—63 Вентили силовые полупроводниковые неуправляемые германиевые и кремниевые предусматривает классификацию диодов и их маркировку. Например, надпись иа корпусе ВК-200-5А означает В — вентиль, К — кремниевый но сплавной технологии, 200 — номинальный ток в амперах в пря- [c.9]

Отметим, что в последнее время разработаны твердые выпрямители, выпрямляющий контакт которых образуется путем сплавления монокристаллического германия с индием. Такие полупроводниковые приборы называют германиевыми диодами. Они допускают напряжение до 200 В при токе до нескольких ампер на один контакт. Применяются они для получения значительных токов. Недостатком их является большая чувствительность к температуре при повышении рабочей темпе- [c.170]

Полупроводниковые диоды характеризуются тем, что резко изменяют свое сопротивление с изменением полярности приложенного к ним напряжения. Первыми диодами были селеновые и купроксные вентили, однако в последнее время они все чаще вытесняются германиевыми и кремниевыми диодами, которые имеют меньшие размеры, меньшее потребление мощности и допускают большее обратное напряжение. Германиевые диоды работают при температуре не выше +70°, а кремниевые — до +125 — 150° С. [c.34]

Виды транзисторов. Основной частью каждого транзистора, как и полупроводникового диода, является пластина германия или кремния. Соответственно транзисторы называются германиевыми или кремниевыми. [c.167]

Смесители на пассивных элементах, в качестве которых наиболее часто используют полупроводниковые диоды, широко применяют в коротковолновой аппаратуре. Они имеют низкий уровень шум , малые габаритные размеры и высокую надежность. В большинстве случаев такие- смесители выполняют по балансной или двойной балансной схеме. Недостатки смесителей на полупроводниковых диодах потери мощности при преобразовании, зависимость-параметров от температуры. В смесителях обычно применяют высокочастотные кремниевые диоды, обладающие большим отношением обратного и прямого сопротивлений и имеющие малую емкость р-п-перехода, а также диоды с барьером Шоттки. Германиевые диоды применяют реже, так как их параметры зависят от температуры в большей Степени. [c.37]

Диод германиевый — полупроводниковый диод монокристаллнчес-кой структуры, изготовленный из примесных полупроводниковых материалов, полученных на основе германия [4]. [c.142]

Рис. 8. Реле для контактного термометра на полупроводниках — по-отпроводниковый триод П-13 - П2—полупроводниковый триод П-4 Яз—диод германиевый ДГЦ-27 С—конденсатор электролитический 20 мкф, 50 в Р—электромагнитное реле 1—сопротивление ВС-0,25 (ПО ком) Яг—сопротивление ВС-0,25 (2,2 ком) —сопротивление ВС-0,25 (5,5 ком.) Л4—сопротивление ВС-0,5 (47 ом)-, / 5=1000 ом А и 5 — клеммы для присоединения контактного термометра, а и б — клеммы для включения

Благодаря полупроводниковым свойствам германий впервые стали применять в кристаллических диодах еще во время второй мировой войны (79]. В 1948 г. была установлена возможность применения германия в триодах, или транзисторах [7]. С тех пор продолжающиеся исследования и усовершенствования открыли для германиевых полупроводниковых приборов совершенно новые области применения. Первый германиевый диод представлял собой И31 итовлеиную определенным способом тонкую пластинку германия, в которую была впрессована тонкая проволочка из соответствующего металла (аналогично старинному галенитово-проволочному детектору). Проволока и германиевая пластинка были припаяны к отдельным электродам, а все это устройство заключено в пластмассовый корпус или в стеклянную оболочку. Размеры такого прибора были меньше зерна [611. Успехи в развитии технологии привели к еще большей миниатюризации первоначально изготовленных диодов. В настоящее время диаметр германиевых диодов, предназначенных для специальных целей, значительно меньше диаметра проволоки канцелярских скрепок, а их длина не превышает 5 мм. [c.213]

Полупроводниковые приборы с узлами, собранными диффузионной сваркой, лрошли комплексный контроль по техническим требованиям на тот или иной прибор. Новые полупроводниковые приборы показывают улучшение вольт-амперных характеристик на 10—30% по сравнению с серийными приборами. В ПНИЛДСВ была доказана принципиальная возможность получения соединения диффузионной сваркой полупроводниковых кристаллов с металлами и сплавами на площади до 700 мм". Были изготовлены кремниевые транзисторы и диоды, германиевые транзи- [c.237]

Другой тип германиевых фотодиодов показан на рнс. 26.21. Он состоит, как и обычный полупроводниковый диод, из полупроводников (например, того же германия) двух типов проводимости. Образуюпгийся на границе р— -переход при подаче положительного потенциала со стороны германия /г-типа препятствует свободному прохождению тока. При освещении узкой области р— -перехода в германии /г-типа образуются пары и дырки диффундируют через р—/г-переход, вызывая возрастание тока. [c.174]

Между вторым и третьим изданиями учебника прошло четыре года. За это время наша промышленность стала использовать в массовом производстве новые материалы, например фторорганические соединения, обладаюш,ие нагревостойкостью до 300 С, новые виды электротехнической керамики с повышенной механической прочностью и хорошими электрическими свойствами, полупроводниковые изделия (германиевые диоды и триоды), тонкие листовые текстурированные стали, магнитную керамику и специальные сплавы. Авторы стремились в третьем издании учебника отразить все достижения науки в области электротехнических материалов. Но при этом, руководствуясь тем, что в учебниках должны излагаться основы соответствующей отрасли науки и передовой опыт социалистического строительства, из учебника был изъят устаревший материал и введены уточнения и дополнения на осноге опыта учебной работы советских и зарубежных вузов. Кроме того, из третьего издания были исключены методики испытания материалов, рассматриваемые в специальных руководствах. [c.6]

Наиболее ранними полупроводниковыми приборами, вошедшими в практику, были германиевые или кремниевые радиолокационные детекторы. Изучение их свойств, получение опыта их использования и достижения теории полупроводников создали условия для появления транзисторов и развития транзисторной электроники (1948 г.). Основными задачами ее были (да и продолжают оставаться) повышение рабочих частот транзисторов, увеличение отдаваемой ими мощности и увеличение рабочих напряжений для тех случаев, где в том встречается необходимость. В начале 50-х годов промышленностью уже были освоены высокочастотные маломощные транзисторы (рис. 71), и они сразу нашли себе применение в приемных устройствах. Вскоре появились смесительные диоды, используемые в сунергетеро- [c.382]

Основные параметры Т. д. макс. прямой ток и мин. прямой ток / и. соответствующие им напряжения и (значения этих параметров для Т. д. на GaAs и Ge приведены на рис. I) отрицат. дифференц. сопротивление, определяемое наклоном падающего участка ВАХ (ВГ на кривой 2, рис. Г), имеет значения (по абс. величине) для разд. типов Т. д. от единиц до десятков Ом Т. д. могут работать в более широком интервале темп-р, чем обычные диоды, изготовленные на основе того же материала (до 200 " С германиевые до 600 С арсенидгаллиевые). Поскольку рабочий диапазон смещений Т, д. расположен в области значительно более низких напряжений по сравнению с др. полупроводниковыми приборами, то они относительно маломощны (выходная мощность порядка мВт). Малая инерционность процесса туннелирования электронов позволяет применять Т. д. на частотах СВЧ-диапазона вплоть до десятков ГГц. Предельная рабочая частота Т. д. (при использовании его в качестве [c.175]

Схематическое устройство полупроводникового диода показано на рис. 7.20. Одна из областей п-р структуры называется эмиттером 1, другая — базой 2. База и эмиттер с помощью электродов 3 и 4 соединяются с металлическими выводами 5 и 6. По типу применяемого полупроводникового материала полупроводниковые диоды подразделяются на германиевые, кремниевые и поликрис-таллические (купроконые, селеновые). [c.349]

Рис. 92. Полупроводниковые выпрямители а — схема селенового выпрямителыюго элемента, б — столб селенового выпрямителя, в — схема соединен51й селенового выпрямителя ВСД-6. г —схема германиевого диода Д7 / — стальное основание, 2 — запирающий слой,

Полупроводниковые, в частности германиевые, выпрямители и усилители успешно вытесняют широко применявшиеся ранее электронные лампы — выпрямительные двухэлех-тродные (диоды) и усилительные трехэлектродные (триоды), а поэтому на практике часто называются полупроводниковыми (кристаллическими) диодами и соответственно триодами. [c.200]

Если к полупроводнику с электронно-дырочиым переходом приложено переменное напряжение, то ток во внешней цепи будет протекать только в одном направлении, что позволяет использовать так ю схему в качестве выпрямителя переменного тока, т. . как полупроводниковый диод. На рис. 45, д показан германиевый точечный диод и его разрез. [c.77]

При замкнутых контактах включателя II зажигания ток от аккумуляторной батареи 12 проходит через добавочное сопротивление 9 катушки зажигания, выполненное в отдельном блоке. Добавочное сопротивление состоит из двух секций, одна из которых постоянно включена в цепь, а другая накоротко замыкается контактами реле 10 стартера при пуске двигателя. Пройдя через первичную обмотку 0 катушки 8 зажигания ток направляется к германиевому транзистору 4 и далее через массу к батарее. Особенность полупроводникового элемента — транзистора заключается в том, что он пропускает ток (до 7 а) в основной первичной цепи системы зажигания только при замкнутой управляющей цепи, проходящей через контакты прерывателя. При размыкании контактов прерывателя ток в цепи управления транзистором прерывается и транзистор запирается , в результате чего прерывается ток в первичной цепи системы зажигания. Исчезновение тока в первичной обмотке катушки зажигания, так же как и при обычном батарейном зажигании, приводит к индуктированию тока высокого напряжения во вторичной обмотке катушки, которое поступает к распределителю 7 и далее на свечи зажигания. Для обеспечения активного запирания транзистора в момент разрыва контактов прерывателя применен импульсный трансформатор 5, который подает импульс в цепь управления, гарантирующий запирание транзистора даже при повышенной температуре, когда резко увеличивается так называемый обратный ток коллектора, ухудшающий работу системы. Прерывание тока в первичной обмотке катушки зажигания, как известно, вызывает появление э. д. с. самоиндукции, которая может привести к пробою транзистора. Для защиты транзистора параллельно первичной обмотке катушки зажигания включен кремниевый стабилитрон 6, прибиваемый при напряжении более низком, чем -то, которое опасно для работы транзистора. Включенный вместе со стабилитроном диод 5 не позволяет пройти току от батареи через стабилитрон в прямом направлении. [c.89]

По типу полупроводникового материала диоды (вентили) различаются на меднозакис-ные (купоросные), селеновые, германиевые и кремниевые. Основными параметрами полупроводниковых вентилей являются длительный выпрямленный ток, допустимое обратное напряжение, прямое и обратное сопротивления, междуэлектродная емкость и максимальная рабочая температура. [c.709]

Однополярные вентили получают механическим и электрическим способами. В соответствии с этим классифицируются и вентили. В настоящее время применяют электрические вентили — полупроводниковые диоды. В аппаратуре, находящейся в эксплуатации, используются и кенотроны. Типы полупроводниковых диодов показаны на рис. 2.3. Наиболее часто применяются кремниевые неуправляемые диоды и управляемые — тиристоры и реже — германиевые и селеновые (в кпно-технической аппаратуре). [c.40]

По своим химическим свойствам "ерманий несколько напоминает металический кремний и углерод. Его удельный вес 5,30 и 5,36, температура плавления 950°. Получаемый литой германий очень хрупок. До последнего времени германий не имел широкого технического применения и производился только в небольшом количестве в лабораторных установках. Не так давно была показана возможность применения германия, а также кремния (используя их полупроводниковые свойства) для ряда ценных приборов и установок современной электронной техники. По этим причинам в настоящее время коррозионные и электрохимические свойства этого металла представляют большой интерес. Известно, например, что устойчивость работы германиевых диодов и триодов сильно зависит от состояния их поверхности и возможности прохождения на ней окислительных процессов. Одной из технологических операций приготовления германиевых диодов является процесс их травления. [c.574]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...