Полупроводниковые соединения равновесная ионность полупроводникового соединения

Степень ионности полупроводникового соединения принято характеризовать такой величиной как ионность решетки. В качестве параметра ионности решетки примем величину вероятности ионной конфигурации А = С . Введем также понятие равновесной ионности, определив ее как Ао = 1 — njiJN , где — число электронов, отдаваемых компонентом [c.63]

В соединениях А "В максимум подвижности /х 78000 см /В с наблюдается у InSb, в А"В максимум /х 2300 см /В с наблюдается у HgTe, в А В " максимум /х 50 см /В с наблюдается у Agi. Во всех этих трех соединениях q оказывается минимальным или близким к минимальному значению эффективных зарядов, характерных для соответствующей группы соединений, поэтому полярное рассеяние в них минимально. Таким образом, в каждой из групп соединений А В - максимум подвижности наблюдается вблизи минимального значения q, а при переходе от А В к А В и далее к А В величина максимальной подвижности падает с увеличением равновесной ионности соединения, так что и относительная полярность связи q, я равновесная ионность определяют величины подвижности электронов в полупроводниковых соединениях с ковалентно-ионной межатомной связью. [c.71]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...