Полупроводниковые носители информации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НОСИТЕЛИ ИНФОРМАЦИИ [c.136]

В заключение отметим, что исследования возможностей создания и использования полупроводниковых носителей информации, некоторые результаты которых ми только что рассмотрели, находятся в стадии интенсивного развития. Даже предварительные результаты исследования носителей на основе ХСП показали перспективность этих материалов. Высокая разрешающая способность, большая дифракционная эффективность при голографической записи и реверсивность этих материалов, несомненно, приведут к использованию этих материалов в голографии и при решении задач оптической обработки информации. Определенным недостатком этих материалов является их сравнительно низкая чувствительность, что, по-видимому, несколько ограничит область их применения, хотя, возможно, найдутся пути повышения чувствительности, например, за счет широких возможностей изменять состав этих материалов. [c.145]

В последнее время в связи с микроминиатюризацией радиоэлектронной аппаратуры проявляется большой интерес к изучению и использованию для обработки информации специфических доменных структур — полосовых, цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и ряда других. Долгое время микроминиатюризация магнитных элементов и устройств значительно отставала от микроминиатюризации полупроводниковых устройств. Однако в последние годы здесь достигнуты большие успехи. Они связаны с возможностью использования единичного магнитного домена в качестве элементарного носителя информации. Обычно таким носителем информации является ЦМД. Он формируется при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. [c.349]

Примером такого носителя информации, широко используемого в быту, является магнитофонная лента. Не так давно в области электроники был сделан важный шаг на базе кремния (и не только кремния) создан полупроводниковый материал, способный хранить информацию. После этого появилось множество полупроводниковых приборов, обеспечивающих временное либо постоянное хранение информации. [c.9]

Большинство наблюдений, касающихся влияния излучения на транзисторы, применимо к полупроводниковым приборам диодного типа. Попытки сделать четкий качественный анализ влияния излучения на диоды были ограничены отсутствием информации о влиянии излучения на такие параметры, как время жизни носителей, удельное электросопротивление и подвижность носителей в базовой области приборов. Экспериментальные данные по диодам и выпрямителям (исключая туннельные диоды) показывают, что излучение всегда увеличивает прямое сопротивление и уменьшает время переключения этих приборов. Поведение обратных характеристик не всегда подчиняется обычным правилам, но обратный ток в результате облучения обычно увеличивается. [c.293]

П. у. характеризуются временем записи (считывания) информации, характерными временем её сохранения, плотностью размещения информации на носителе, ин-фориац. ёмкостью, энергией, необходимой для переключения ЭП, и т. п. Время записи (считывания) информации определяется временем переключения ЭП из одного устойчивого состояния в другое при записи (считывании) информации, характерное время сохранения информации носителем — физ. принципами её хранения. Напр., время сохранения заряда на конденсаторе в полупроводниковом П. у. существенно зависит от величины заряда и скорости его рассасывания (тока утечки). Для увеличения времени сохранения информации она может периодически перезаписываться (регенерироваться). Период регенерации должен быть меньше характерного времена сохранения информации в носителе. Плотность размещения информации определяется характерными размерами ЭП и измеряется отношение.м числа бит, сохраняемых носителем, к его площади (или объёму для объёмных носителей). Информац. ёмкость П. у. определяется произведением полного числа ЭП в П. у. на число бит в ЭП. [c.523]

Вместе с тем у голографических запоминающих устройств имeef я широкая перспектива в связи с использованием полупроводниковых лазеров, методов динамической голографии, подвижных носителей информаций. [c.123]

Рис. 6.6. Иллюстрация двух ячеек полупроводниковой структуры, предложенной Б. Кейном для ЯМР-квантового компьютера [247]. Роль барьера выполняет плёнка окиси кремния, а роль носителя информации — кристаллическая плёнка бесспинового изотопа кремния Si, в которую внедрены атомы стабильного изотопа фосфора Р, обладающие ядерным спинов I = 1/2. А-затворы контролируют резонансную частоту атомов фосфора, играющих роль кубитов, а J-затворы контролируют взаимодействие двух соседних кубитов через сверхтонкое взаимодействие с их электронами благодаря частичному перекрыванию (гибридизации) электронных волновых функций. Интервал между А-затворами порядка 20 нм. Величина электрического напряжения на затворах не превышает 1 В

Теперь остановимся на модифицированном варианте полупроводникового квантового ЯМР-компьютера Кейна, у которого индивидуальное обращение к кубитам управляется не электрическими, а лазерными импульсами [249]. Как справедливо отмечено в монографии [216], этот вариант позволяет избежать использования наноэлектронных измерительных устройств для трудновыполнимого измерения состояний отдельных кубитов (ядерных спинов). В качестве носителя информации предлагается использовать световод (на кремниевой подложке) на основе того же бесспинового кремния 51. В этот световод необходимо внедрить два сорта донорных атомов А В регулярно (с одинаковым шагом), но цепочки атомов Аи В сдвинуты друг относительно друга на [c.201]

Основными партнерами микропроцессора в структуре ПЭВМ являются полупроводниковые устройства памят . В постоянной памяти (ПЗУ) хранится информация, которая обеспечивает готовность ПЭВМ к немедленному использованию сразу же после включения питания. Такая информация состоит, естественно, в основном из программ эти программы образуют ядро операционной системы и часто дополняются хранимым в ПЗУ интерпретатором кжого-либо диалогового языка программирования или текстом наиболее часто используемой прикладной программы. Информация, находящаяся в постоянной памяти, не может быть изменена пользователь может лишь заменить микросхемы или специальные кассеты ПЗУ, если ему необходимо изменить набор врожденных инстинктов своей ПЭВМ. В современных моделях ПЭВМ емкость ПЗУ достигает сотен килобайт, и во многих случаях съемные кассеты ПЗУ оказываются более удобным носителем текстов программ, чем наиболее распространенные магнитные носители информации. [c.34]

Общей тенденцией в развитии электронной аппаратуры является переход на использование коротковолнового диапазона спектра электромагнитного излучения. Причем последние два десятилетия характеризуются интенсивным освоением оптического диапазона. Исключительно высокая информационная емкость светового поля как носителя информации, высокая скорость распространения оптических сигналов по ипформационцым каналам и принципиальная легкость осуществления математических операций с даумернымн световыми полями предопределили широкий интерес к использованию оптических методов приема, передачи и обработки информации в различных видах радиоэлектронной и оптико-электронной аппаратуры (РЭА и ОЭА). По своей значимости применение оптического излучения при обработке информации в РЭА и ОЭА уже в ближайшем будущем будет не меньшим, чем переход от электровакуумных приборов к полупроводниковым, а от Них — к интегральным микросхемам. [c.3]

Электрические элементы памяти [3—5]. В основе работы лежат разл. эффекты перераспределения в ЭП тока, заряда или напряжения. Физ. принципы работы ЭП и технология изготовления П. у. онределяют минимально достижимую энергию переключения ЭП, что в конечном счёте определяет плотность размещения информации ва носителе. Наиб, разработанными и широко распространёнными П. у., использующими электрич, ЭП, являются волупроводниковые П. у. К числу оси. разновидностей полупроводниковых П. у. относятся постоянные запоминающие устройства (ПЗУ — аббревиатура, используемая преии. для устройства микроэлектроники), программируемые ПЗУ (ППЗУ), стирае- [c.524]

Исключительно важными являются исследования в направлении поиска оптических материалов с быстрыми и ярко выраженными механизмами нелинейностей. Целенаправленный подбор материалов с необходимыми свойствами дает возможность воспользоваться более удобными длинами волн, получить большее быстродействие и добиться работы приборов при повышенных температурах. Например, рост полупроводниковых многослойных квантоворазмерных структур с различными толщинами квантовых ям методом МЛЭ делает доступным экситонные резонансы на нужных длинах волн и энергиях связи протонная бомбардировка снижает время жизни носителей, тем самым увеличивая быстродействие устройств. Полупроводники, особенно GaAs, являются наиболее многообещающими средами для нелинейной оптической обработки информации. Однако для некоторых применений, таких как волноводные устройства, могут стать пригодными органические и фоторефрактивные материалы. [c.75]

Канал оптической записи — воспроизведения. При оптической записи — воспроизведении происходят следующие преобразования (рис. 1.19). Входной сигнала U t) преобразуют в ток зажигаиня полупроводникового лазера /з(0 (или в ток модулятора света). На выходе оптической головки образуется модулированный пучок света мощностью P t). Он фокусируется на рабочей поверхности (дорожке) движущегося носителя оптической записи и вызывает изменение его состояния (формы) в локальной зоне, которое сохраняется при выходе ее из зоны действия луча. Остаточное состояние А Р, х) зависит от свойств носителя, мощности излучения и координаты х вдоль дорожки записи и отображает записанный сигнал . При воспроизведении используют активный способ извлечения информации движущийся носитель освещает сфокусированным лучом лазера. Отраженный от дорожки с записанной информацией [c.18]

Динамические свойства [199—202] полупроводниковых лазе-ров и их импульсная модуляция [203—208] неоднократно под-вергались рассмотрению. Исследование скоростных уравнений для носителей и фотонов показывает, что могут быть достигнуты скорости передачи информации на уровне 3—4 Гбит/с [202]. Хотя уже была показана возможность получения скоростей 1 Гбит/с и более [203,206], не ясно, достижимы ли такие частоты для случайных последовательностей импульсов. Было показано, что можно достичь скоростей 200 Мбит/с для случайного потока импульсов, возвращающихся к нулю [207]. Пригодные частоты повторения импульсов могут определяться практически доступными скоростными источниками накачки и приемниками. [c.302]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...