Полупроводниковые устройства

Тепловые трубы с самотечным возвратом конденсата известны давно. Широкое распространение тепловых труб с фитилями началось недавно в связи с необходимостью отвода больших тепловых потоков от мощных, но малогабаритных полупроводниковых устройств. Практически незаменимы тепловые трубы с фитилями в космосе. Для охлаждения механических, электрических или радиотехнических устройств в земных условиях мы очень широко используем естественную конвекцию. В космосе естественной конвекции не может быть, поскольку отсутствует сила тяжести, и нужны иные способы отвода теплоты. Тепловые трубы с фитилями могут работать и в невесомости. Они малогабаритны, не требуют затрат энергии на перекачку теплоносителей и при соответствующем подборе рабочего агента работают в широком интервале температур. [c.105]

Полупроводниковые диоды и подобные им устройства генерируют большое количество тепла в сравнительно малом объеме. Вместе с тем поверхность их мала для того, чтобы эффективно осуществлять передачу выработанного тепла в окружающую среду. Поэтому при разработке полупроводниковых устройств принимают специальные меры для интенсификации теплообмена. [c.241]

Как следует из выражения (8-21), количество тепла, отданного излучением, прямо пропорционально степени черноты поверхности полупроводника. Таким образом, увеличение излучательной способности полупроводникового устройства позволяет значительно интенсифицировать охлаждение. [c.242]

Электронные и полупроводниковые устройства 165 [c.165]

ЭЛЕКТРОННЫЕ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА [c.165]

Фотодиод может работать в двух различных режимах с внешним источником напряжения и без него. Для измерительных целей обычно включается внешняя разность потенциа.яов. Для генерации электрической энергии (например, в солнечных батареях) используют полупроводниковые устройства без внешней Э.Д.С., работающие в так называемом вентильном режиме. [c.443]

В последнее время в связи с микроминиатюризацией радиоэлектронной аппаратуры проявляется большой интерес к изучению и использованию для обработки информации специфических доменных структур — полосовых, цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и ряда других. Долгое время микроминиатюризация магнитных элементов и устройств значительно отставала от микроминиатюризации полупроводниковых устройств. Однако в последние годы здесь достигнуты большие успехи. Они связаны с возможностью использования единичного магнитного домена в качестве элементарного носителя информации. Обычно таким носителем информации является ЦМД. Он формируется при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. [c.349]

Экспериментальные способы дают возможность измерений различных параметров движения в производственной обстановке на образцах механизмов, машин и приборов или на их моделях. Возникновение и совершенствование электронной техники и полупроводниковых устройств расширило возможности измерений быстроменяющихся параметров движения и способствовало повышению точности измерений. [c.39]

Надежность полупроводниковых устройств, перев. с англ. под ред. А. А. Маслова, ИЛ, 1963. [c.399]

Обеспечение надежности полупроводниковых устройств, перев. с англ. под ред. А. С. Савиной, изд-во Мир , 1964. [c.399]

Повышение влажности окрул ающего воздуха вызывает уменьшение коэффициента усиления полупроводниковых устройств и коэффициента потерь диэлектриков с частотой. Увеличиваются потери электромагнитной энергии вследствие увеличения ее поглощения парами воды воздуха. [c.14]

Электролизные установки питаются постоянным током от местных полупроводниковых устройств, за исключением некоторых ванн металлопокрытий, которые обслуживаются генераторами постоянного тока (двигатель-генератор с первичным напряжением 380 и 500 в и со вторичным напряжением 6—24 в). Для других, более мощных потребителей в качестве преобразователей применяются ртутные выпрямители, трансформаторы которых питаются током как низкого (380 в), так и высокого (6000 и 10 ООО в) напряжения. [c.234]

В некоторых случаях, например в импульсных системах автоматического дозирования агрессивных жидкостей [1,. 3], необходимо обеспечить высокую точность лишь среднего значения частоты, без требования постоянства мгновенного значения ее. Как показывает исследование, наряду с дискретными полупроводниковыми устройствами [2] могут эффективно использоваться разработанные в Ленинградском технологическом институте им. Ленсовета простые и надежные механические генераторы, обеспечивающие в заданном диапазоне принципиально любое число фиксированных значений средней частоты. [c.160]

Физические механизмы работы полупроводниковых устройств памяти [c.525]

Рис. 4. Динамика увеличения плотности хранения информации для полупроводниковых устройств памяти.

Монокристаллы кремния могут быть использованы в полупроводниковых устройствах (диодах, мош.ных выпрямителях, триодах, солнечных батареях). В процессе выращивания монокристаллов или при последующей операции вносится строго определенное количество интенсифицирующих [c.337]

Некоторые полупроводниковые устройства показаны на рис. 2. [c.337]

Источники с постовыми полупроводниковыми устройствами могут быть выполнены с использованием силовых вентилей — тиристоров и транзисторов. Различают постовые выпрямительные блоки, подключенные к общему источнику переменного тока, и постовые регуляторы, питающиеся от выводов постоянного тока многопостового выпрямителя. Источник с постовыми выпрямительными блоками имеет общий понижающий трансформатор. Наличие в постовом блоке обратных связей по напряжению и току позволяет сформировать как жесткие стабилизированные, так и крутопадающие характеристики, т.е. такие источники питания могут использоваться для ручной и механизированной сварки, а также как универсальные. На рис. 5.19 приведена схема четырех- [c.135]

Важнейшим параметром полупроводниковых устройств является их быстродействие. В устройствах на основе кремния практически достигнуто максимально возможное для них быстродействие. В вычислительных устройствах, преобразователях энергии требуются новые материалы. [c.155]

Магнитоуправляемые контакты хорошо сочетаются с полупроводниковыми элементами [54 , так как МК имеют высокую чувствительность и малое время срабатывания (0,5—2 мс), что на 1—2 порядка меньше, чем у обычных электромагнитных реле. По некоторым показателям МК превосходят полупроводниковые элементы. Так, например, отношение сопротивления разомкнутой цепи к замкнутой достигает 10 , в то время как для полупроводниковых устройств оно редко превышает 10 . Эти контакты также малочувствительны к изменениям температуры, что очень важно, поскольку многие из управляющих устройств расположены непосредственно на трассе трубопровода. [c.224]

В настоящее время, по-видимому, наиболее широко тепловые трубы используются для охлаждения элементов электронного оборудования, таких как транзисторы или другие полупроводниковые устройства, а также интегральных модулей. [c.212]

Халькогениды таллия в твердой фазе обладают высокой фоточувствительностью и имеют термоэлектрические свойства, приемлемые для практического использования в полупроводниковых устройствах. Плавление большинства из этих соединений не приводит к суш ественному изменению полупроводниковых свойств характер температурной зависимости электропроводности в жидкой фазе остается типичным для полупроводников [1—4]. Наблюдающаяся в ряде сплавов системы Т1 — Те проводимость ге-типа, крайне редко встречающаяся в проводящих расплавах, позволяет рассматривать соединения таллия с теллуром как перспективный материал для отрицательных ветвей жидких термоэлектрических генераторов. Попытки легирования расплавленных соединений систем Т1 — Se, TI — Те показали принципиальную возможность направленного изменения термоэлектрических свойств расплавленных полупроводников [5—6]. Однако для характеристики расплавленных халькогенидов таллия как возможного материала для жидких термоэлектрических генераторов необходимы сведения о важном параметре — коэффициенте теплопроводности. Этот параметр не только определяет термоэлектрическую добротность материала, но и является одной из важнейших характеристик жидкости, зависящей от ее структуры и характера движения ее структурных элементов. За исключением отдельных данных, для системы Т1 — Те [7] обнаружить в литературе сведения о теплопроводности расплавленных халькогенидов таллия не удалось. [c.34]

В настоящее время исследование сложных полупроводниковых соединений и систем приобрело большое теоретическое и практическое значение. Это обусловлено тем, что благодаря возможности изменения соотношения компонент у соединений можно управлять физическими параметрами вещества, необходимыми для создания различных полупроводниковых устройств. [c.100]

Электронными и полупроводниковыми устройствами обычно называют устройства, действие которых основано на использованни в них электронных или полупроводниковых приборов. Эти виды устройств являются преобразователями электрической энергии одного вида или какой-либо другой энергии в электрическую энергию другого вида. В зависимости от вида энергии на входе и выходе этих устройств различают [c.165]

Полупроводниковые устройства стали заш,ищать от перенапряжений и грозовых разрядов линии высоковольтных передач. [c.320]

В противоположность компрессионным полупроводниковые устройства весьма просты по конструкции и не имеют перечисленных выше недостатков. В настоящее время. полупроводниковые вариаторы уже используются в микротермостатах для радиоэлектронных устройств, условия ра1боты которых требуют поддержания температуры в пределах 4-30 -н- -50°С для охлаждения дио-дов, триодов в приборах для тарировки термометров сопротивлений и в других случаях. [c.169]

Импульсные составляющие роторных токов генератора связаны с внедрением полупроводниковых, тиристорных и высокочастотных систем возбуждения. Коммутационные явления, обусловленные выпрямлением тока возбуждения с помощью полупроводниковых устройств, индуцируют в обмотках, в железе ротора, статора и окружающих генератор и возбудитель металлических конструкциях импульсы напряжений, амплитуда которых может превышать 150 В, скважность составляет до 95%, частота следования импульсов 300 Гц для тиристорных, 900 Гц для диодных бесщеточных и 3000 Гц для высокочастотных систем возбуждения при собственной частоте импульса от 3000 Гц для высокочастотных систем возбуждения при собственной частоте импульса от 3 кГц и выше. [c.239]

Рис. 7. Пруток монокристалла германия, полученным зонной плавкой ( Игл-Пичср компания). Таким методом полупают германнА очень высокой степени чистоты для полупроводниковых устройств.

Структура и свойства тонких пленок, полученных путем конденсирования а вакууме, иные, чем массивных образцов. Поэтому результаты наблюдений, проводимых на таких пленках, имеют значение прежде всего для пленочных. материалов (используемых в блоках памяти ЭВМ, полупроводниковых устройствах и т. д.). На тонких пленках получены фундаментальные данные о явлении эпитаксии и характере сопряжения кристаллов различных материалов при последовательной их конденсации один на другом. Подробно результаты электронно-микроскопических исследований тонких конденсированных пленок приведены в работе [4], На рис. 2.2 приведен типичный пример электронной микрофотографии тонкой пленки, полученной испарением в вакууме. [c.51]

В качестве регулируемого элемента использованы два тиристора Дх и Дг, соединенные друг с другом встречнопараллельно и включенные последовательно первичной обмотке I силового трансформатора ТР. Полупроводниковое устройство для управления углом открывания тири- [c.12]

В работе [54] сообщено о применении УЗС для получения непрерывных герметичных кольцевых, овальных, прямоугольных и другой формы швов нахлесточных соединениях элементов малогабаритных корпусов полупроводниковых устройств, монтажных узлов электрических микроцепей и контейнеров с двухкомпонентным ракетным топливом. Обеспечиваются минимальные деформации и нагрев соединяемых деталей без повреждения или воспламенения материалов внутри корпуса. При этом металл нагревается лишь до температуры, составляющей 40% температуры плавления свариваемых металлов. При УЗС изделие зажимается между опорой и рабочим наконечником вертикального цилиндрического стержня. Прочность сварных соединений разнородных металлов при испытаниях на срез растяжением достигает 90—95% от прочности менее прочного из свариваемых металлов. Отношение длины к ширине при выполнении швов овальной формы равно 2,5 1 и более. Герметичные швы по замкнутому периметру в указанных изделиях выполняют на машинах для кольцевой УЗС мощностью [c.142]

Для цифровых и микропроцессорных систем применяют полупроводниковые датчики вакуума. Полупроводниковые устройства/ основаны на явлениях, связанных с деформацией кремниевой пластины, на которую методами интегральной полупроводниковой технологии нанесены пьезорезисторы. Пьезорезисторы соединены мостовой схемой. Деформация пластины вызывает разбалансировку моста и появление на его выходе напряжения, пропорционального давлению. В качестве законченного конструктивного изделия фирмой Хоневел (США) выпускаются полупроводниковые датчики вакуума в виде монолитного корпуса с вмонтированным чувствительным элементом и стабилизированным усилителем. Характеристика датчиков линейная, в диапазоне температур окружающей среды — 40. . . 125 °С. [c.224]

При работе полупроводниковых устройств следует всегда иметь в виду, что при чрезмерно высоком напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Меднозакисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя амфорной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [c.279]

Устройства автоматики — магнитный усилитель, трансформатор постоянного тока и напряжения, трансформатор, датчики частоты и перемещения — питаются переменным током при выполнении условия i//f = onst. Питающее напряжение этих устройств легко устанавливается с помощью распределительных трансформаторов. Такие устройства автоматики, как радиостанция, локомотивная сигнализация, некоторые полупроводниковые и особенно перспективные полупроводниковые устройства, требуют для питания постоянное напряжение с различной частотой. Это не позволяет унифицировать источник питания для этих устройств, и так как они имеют малую мощность, то, как правило, питаются от индивидуальных статилеских преобразователей. [c.264]

Основными партнерами микропроцессора в структуре ПЭВМ являются полупроводниковые устройства памят . В постоянной памяти (ПЗУ) хранится информация, которая обеспечивает готовность ПЭВМ к немедленному использованию сразу же после включения питания. Такая информация состоит, естественно, в основном из программ эти программы образуют ядро операционной системы и часто дополняются хранимым в ПЗУ интерпретатором кжого-либо диалогового языка программирования или текстом наиболее часто используемой прикладной программы. Информация, находящаяся в постоянной памяти, не может быть изменена пользователь может лишь заменить микросхемы или специальные кассеты ПЗУ, если ему необходимо изменить набор врожденных инстинктов своей ПЭВМ. В современных моделях ПЭВМ емкость ПЗУ достигает сотен килобайт, и во многих случаях съемные кассеты ПЗУ оказываются более удобным носителем текстов программ, чем наиболее распространенные магнитные носители информации. [c.34]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...