Полупроводниковые и электронные приборы

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ и ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ [c.136]

Полупроводниковые и электронные приборы 139 [c.139]

Полупроводниковые и электронные приборы 145 [c.145]

Полупроводниковые и электронные приборы 149 [c.149]

Полупроводниковые и электронные приборы 153 [c.153]

Полупроводниковые и электронные приборы 157 [c.157]

Полупроводниковые и электронные приборы 161 [c.161]

Полупроводниковые и электронные приборы 137 [c.137]

Полупроводниковые и электронные приборы 141 [c.141]

Полупроводниковые и электронные приборы 143 [c.143]

Полупроводниковые и электронные приборы 147 [c.147]

Полупроводниковые и электронные приборы 151 [c.151]

Полупроводниковые и электронные приборы 155 [c.155]

Полупроводниковые и электронные приборы 159 [c.159]

Совершенно очевидно, что специалисты, заканчивающие университеты по специальности Физика , Полупроводники и диэлектрики и некоторым другим, а также технические вузы по специальности Технология материалов электронной техники , Полупроводниковые и микроэлектронные приборы и т. п., должны обладать глубокими знаниями в области физики твердого тела. [c.6]

Свойства р — п-перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р — га-перехода. [c.157]

Диапазон изменения электросопротивления у полупроводниковых материалов весьма широк (р = 10 - - 10 ом-см) однако материалы характеризуются некоторыми другими специфическими свойствами, отличающими их от металлов и изоляторов, Например, если электросопротивление металлов возрастает с повышением температуры, то у полупроводниковых материалов оно падает, т. е. полупроводники в большинстве случаев обладают отрицательным температурным коэффициентом электросопротивления примеси уменьшают электропроводность металлов, но увеличивают проводимость полупроводниковых материалов. Полупроводники обладают фотопроводимостью, т. е. при действии излучений у них возникают дополнительные свободные носители заряда. В приборной технике полупроводники нашли широкое применение, поскольку они могут служить выпрямительными элементами, генерировать огромные термо-э. д. с., усиливать ток, позволяют увеличить ресурс и надежность электронных устройств, уменьшить размеры и вес приборов, а также сократить потребление электрической энергии. [c.279]

Разнообразие и особенности свойств полупроводниковых стекол открывают широкие возможности для их применения в электронных приборах и устройствах, например в термосопротивлениях, в [c.238]

Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник и-типа (в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны — основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки и электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия. [c.283]

Много опытов было проведено с целью оценки работоспособности солнечных элементов, облученных электронами или протонами высоких энергий или и теми и другими вместе, как это имеет место в радиационных поясах Ван Аллена. В этих исследованиях подняты интересные вопросы, касающиеся природы радиационных нарушений и их влияния на работу солнечных элементов. Излучение в области поясов Ван Аллена может представлять реальную угрозу для полупроводниковых приборов в случае их работы в этой части космического пространства. Поэтому в некоторых лабораториях были проведены исследования влияния излучения на полупроводниковые приборы, в большинстве случаев на кремниевые солнечные элементы. Чтобы оценить опасность повреждений и наметить пути их предотвращения, облучение проводили в условиях разной интенсивности и энергии протонов и электронов. Большинство испытаний солнечных элементов проведено в приблизительно одинаковых условиях, что дает возможность сравнить полученные результаты. [c.307]

В ходе технического прогресса непрерывно создавались и выделялись новые отрасли машиностроения. За предвоенный период были созданы станкостроение, автомобильная и тракторная промышленность, тяжелое, энергетическое и многие другие отрасли машиностроения, которых в дореволюционной России вовсе не было. В послевоенный период были созданы многие другие отрасли, в частности радиоэлектронная промышленность и приборостроение. На их примере можно отчетливо видеть весьма характерный для современной стадии технического прогресса процесс последовательной отраслевой дифференциации. Так, радиоэлектронная промышленность была подразделена на радиопромышленность и электронную промышленность. По мере расширения номенклатуры изделий, увеличения масштабов их производства и роста необходимых для этого производственных мощностей назревала необходимость дальнейшей внутриотраслевой специализации. Такими специализированными производствами являются, например, производства электровакуумных и полупроводниковых приборов, радиокомпонентов. [c.16]

Принципиальная электрическая схема прибора приведена на рис. 57. Прибор состоит из следующих узлов блока питания с ферромагнитным и электронным стабилизатором и выпрямителем, собранным на полупроводниковых диодах [c.69]

Закон распределения Вейбулла при m = 1,4 20 употребляется для механического оборудования и электронных ламп. Работа полупроводниковых приборов лучше описывается распределением Вейбулла (при т < 1), чем экспоненциальным [24, 45]. [c.48]

ВА А Черная От 10 до 1500 Спирали ламп накаливания и других источников света. Спиралеобразные катоды и подогреватели электронных приборов пружины полупроводниковых приборов [c.263]

Электронными приборами называются устройства, принцип работы которых основан на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, управления движением этих потоков и их преобразования. В зависимости от свойств пространства, в котором происходит движение электронных потоков, электронные приборы разделяются на вакуумные, газоразрядные и полупроводниковые. [c.341]

Германий — важный полупроводниковый материал для различных электронных приборов (диоды, транзисторы, фотодиоды, фоторезисторы и др.). Из него изготовляют линзы для ИК оптики, фотодиоды, фоторезисторы, дозиметры рентгеновской спектрометрии, преобразователи энергии радиоактивного распада в электрическую энергию и т.д. Некоторые сплавы германия с другими химическими элементами являются сверхпроводниками. [c.380]

Общие технические требования к автомобильному электрооборудованию, приборам и автомобильным электронным изделиям оговорены в ГОСТ 3940—84, ГОСТ 17822—91 и РТМ 37.003-83 . Кроме того, технические требования могут быть изложены в стандартах и технических условиях на изделия конкретного вида, а также в конструкторской документации. ГОСТ 3940—84, ГОСТ 17822—91 распространяются на электрические аппараты, сигнализирующие устройства, светосигнальные и осветительные приборы, контрольно-измерительные приборы, вспомогательное оборудование, коммутационную и защитную аппаратуру и установочные электроизделия, РТМ 37.003.031-83 — на автомобильные электронные изделия, а также на автомобильное электрооборудование и приборы, содержащие встроенные изделия электронной техники радиокомпоненты, полупроводниковые диоды, транзисторы и микросхемы различной степени интеграции. [c.7]

Нормальная работа и надежность средств измерения и автоматизации зависят от условий окружающей среды в месте их установки. Так, при повышенной температуре окружающего воздуха значительно изменяются характеристики элементной- базы аппаратуры (полупроводниковых и логических элементов, резисторов, конденсаторов, электронных ламп). Это приводит к увеличению погрешности приборов, а иногда и к выходу их из строя. [c.202]

Электроника представляет собой науку, которая изучает принципы действия и технику использования приборов, основан- ых на свойствах электрического тока в пустоте, т. е. в вакууме (электронные приборы), в разреженных газах (ионные приборы) и в электронных полупроводниках. Промышленная электроника занимается применением электронных, ионных и полупроводниковых приборов с целью преобразования электрического тока в приводах и механизмах для контроля управления и автоматизации технологического процесса. [c.72]

В процессе сварки приходится периодически, а часто с весьма большой частотой включать и выключать ток. Для этой цели применяют прерыватели тока нескольких типов простые механические контакторы, электромагнитные, электронные приборы (тиратронные и игнитронпые), полупроводниковые приборы (тиристоры). Механические контакторы применяют главным образом на стыковых и точечных машинах неавтоматического действия небольшой мощности. Электромагнитные контакторы применяют для стыковой, точечной и шовной сварки на машинах малой и средней мощности. [c.220]

Электроэрозионная обработка — повышение точности за счет снижения износа инструмента, расширение на этой базе номенклатуры эффективных операций расширение области применения операций по высокоточному сопряжению деталей изыскание новых и расширение существующих процессов обработки методом копирования и вырезки непрофилированным электродом разработка принципиально новых процессов электроэрозионной обработки материалов для применения их в производстве микромо-дульных и интегральных схем деталей полупроводниковых и микроминиатюрных электронных приборов. [c.106]

С. Ерохин, Л. М. Земпый. ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх р—п-пере.ходов, взаимодействие между к-рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний выключенном—с высоким сопротивлением и включённом — с низким. Полупроводниковая структура Т. состоит из четырёх слоев чередующегося типа проводимости ( г рпр рис. 1), образующих три расположенных друг над другом р—и-псрехода. Внутренний базовый / -слой обычно выполняется сильнолегированным (концентрация примеси / =10 —10 см" )и тонким, чтобы обеспечить достаточно высокий (0,7—0,9) коэф. переноса (3 п рп-транзистора (см. Транзистор биполярный). Базовый л-слой выполняется относительно толстым и слаболегированным (Л = 10 —10 см ). При приложении внеш. напряжения указанной на рис. I полярности (прямое смешение) крайние переходы 3i и Эг (эмиттеры) смещены в проводящем, а центральный К, (коллектор)—в запорном направлениях его область пространственного заряда (ОПЗ) расположена почти полностью в п-базе. Эмиттер Э обычно имеет распределённые по всей площади шунтирующие каналы, выполненные в виде выходов р-слоя сквозь п" -слой к ме-таллич. контакту. Процессы, определяющие возможность переключения, протекают след, образом. Электронно-дырочные пары, генерируемые, напр., теплом в ОПЗ, разделяются полем дырки и электроны выбрасываются в /г- и л- [c.114]

Дробовой Ш.—специфич. и наиб, важный вид внутр. естеств. Ш. в электронных приборах. В ЭВП он возникает на поверхности катода вследствие статистич. характера эмиссии электронов и дискретности их заряда. Спектральная плотность тока катода S I) дробового Ш. при работе ЭВП в режиме насыщения определяется соотношением (Шоттки формула) S (/) = e/o, где е—заряд электрона, /о — постоянная составляющая тока. Спектр дробовых Ш. флуктуаций анодного тока, обусловленных дробовым Ш. тока катода, равномерен до весьма высоких значений частот (на к-рых становится существенной конечность времени пролёта электрона от катода к аноду). В силу теплового разброса скоростей эмитируемых электронов дробовой Ш. всегда сопровождается флуктуациями не только тока, но и др. характеристик электронного потока. Элек-трнч. Ш., родственные дробовому III. в ЭВП, наблюдаются и в полупроводниковых приборах. В последних различают Ш., вызванные дрейфом носителей заряда, и Ш., вы- ванные диффузией носителей заряда. [c.479]

Электронные приборы на автомобиле работают в сложных условиях большой диапазон температуры, воздействие агрессивных сред, высокий уровень вибраций, тряска и т.д. В то же время срок службы таких приборов должен быть равен сроку службы автомобиля, а стоимость сравнима со стоимостью электромеханических устройств. Электронные устройства автомобильного электрооборудования, удовлетворяющие этим требованиям, выполняются на полупроводниковых приборгк. Дальнейший прогресс в этой области с целью уменьшения стоимости и сложности электронных приборов связан с развитием микроэлектроники. [c.3]

Температура цилиндров, вкладышей замерялась хромель-копе-левыми термопарами и электронным потенциометром, масла — полупроводниковым прибором с термистером ММТ, газов — термометром ТВГ-11, давление масла в магистрали — манометром ТМЗ. [c.173]

Во второй класс входят две группы продукции 1) перемонтируемые изделия, например электровакуумные н полупроводниковые приборы, резисторы, конденсаторы, болты, гайки, подшипники, шестерни и т. п. 2) ремонтируемые изделия, например технологическое оборудование, автоматические линии и автоматизированные комплексы, сельскохозяйственные, транспортные машины, измерительные приборы, средства автоматизации и систем управления, радиоэлектронные и электронные устройства, кино- и фотоаппаратура, медици1г-ские, бытовые приборы и аппараты, пушно-меховые, швейные и трикотажные изделия и др. [c.460]

Полупроводниковые приборы обладают рядом существенных преимуществ по сравнению с ионными и электронными лампами отсутствие цепи накала, исключительно малые размеры, высокая иадежность. Рашьше в качестве полупроводниковых приборов применялись диоды меднозакисный (купрокс-ный) и селеновый. В настоящее время для изготовления полупроводниковых диодов и триодов используют главным образом кремний и германий, которые отличаются тем, что даже при комнатной температуре сообщаемая им тепловая энергия достаточна для отрыва некоторых электронов от атома. Такие электроны перемещаются в кристалле. В том месте, з которого под действием внешней энергии вырван электрон, появляется положительный заряд, равный по величине заряду электрона. Это место может быть занято соседним электроном, а место соседнего электрона — следующим электроном и т. д. Место, в котором отсутствует электрон, может независимо перемещаться в кристалле, что соответствует перемещению частицы, имеющей положительный заряд, равный по величине заряду электрона. [c.76]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...