Полупроводниковые соединения эффективные заряды

Значения эффективных зарядов часто используются для того, чтобы охарактеризовать полярность связи и степень ионности полупроводникового соединения. Величины q могут быть определены экспериментально из спектров ИК-поглощения и рамановского рассеяния, неупругого рассеяния нейтронов могут быть теоретически рассчитаны. Однако понятию эффективный заряд атомов в соединениях с преимущественно [c.64]

Если атомы компонентов соединения идентичны (элементарные вещества), то С2 = О и связь — чистая ковалентная . В этом случае обменное электронное облако полностью симметрично относительно центра между атомами, а взаимодействующие атомы нейтральны. Если атомы компонентов соединения различны, но С2 < . С , то связь будет преимущественно ковалентной, а атомы компонентов соединения заряжены антиионно и электронная плотность смещена в сторону компонента А. С ростом ионной составляющей связи С2 антиионный заряд будет уменьшаться благодаря смещению электронного облака в сторону более электроотрицательного атома компонента В. Таким образом, при смешанной кова-лентно-ионной связи электронное облако является подвижным и асимметричным. Это свойство полупроводниковых соединений составляет их важнейшую особенность. При сохранении кристаллической структуры с Zk = 4 подвижное электронное облако с увеличением разности электроотрицательностей компонентов соединения может смещаться к более электроотрицательному элементу, в результате чего могут не только полностью исчезать антиионные заряды, но и создаваться эффективные заряды, соответствующие ионным, и тем не менее соединение будет оставаться полупроводником. [c.63]

В соединениях А "В максимум подвижности /х 78000 см /В с наблюдается у InSb, в А"В максимум /х 2300 см /В с наблюдается у HgTe, в А В " максимум /х 50 см /В с наблюдается у Agi. Во всех этих трех соединениях q оказывается минимальным или близким к минимальному значению эффективных зарядов, характерных для соответствующей группы соединений, поэтому полярное рассеяние в них минимально. Таким образом, в каждой из групп соединений А В - максимум подвижности наблюдается вблизи минимального значения q, а при переходе от А В к А В и далее к А В величина максимальной подвижности падает с увеличением равновесной ионности соединения, так что и относительная полярность связи q, я равновесная ионность определяют величины подвижности электронов в полупроводниковых соединениях с ковалентно-ионной межатомной связью. [c.71]

Ответ. Свойства веществ, рассматриваемых в задачах 5-9— 5-12, объясняются теорией выпрямления Мотта. В момент опубликования эта теория была весьма эффективна, однако в дальнейшем она обнаружила много противоречий с резу.яьтатами экспериментоп. Если основываться на теории Мотта, то при выпрямлении работа выхода должна играть решающую роль, однако в случае диода с точечным контактом, образованным в месте соединения тонкой проволоки с германием, независимо от материала проволоки (независимо от величины срт) обратный ток насыщения почти не изменяется. Для объяснения этого явления Бардиным была введена гипотеза о поверхностных уровнях, сущность которой заключается в предположении, что барьер в полупроводниковой области полностью экранирует контактное влияние металла, т. е. в учете энергетических состояний, которыми характеризуются электроны на поверхности полупроводника. В этом случае после ухода электронов, расположенных вблизи поверхности, на ней возникает положительный заряд (см. рис. 5-2-14). Когда плотность заряда на этом поверхностном уровне большая, не наблюдается ни изменения формы барьера в место контакта, ни изменения направления выпрями ления, ни обратного тока насыщения. [c.331]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...