Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Применение ДОЭ для коллимации излучения полупроводникового лазера

Указанная специфика излучения лазерного диода приводит, как правило, к большим или меньшим (в зависимости от задачи) потерям световой энергии, достигающем в ряде случаев 80%. Таким образом, узкий (ДА < 1 нм) спектральный диапазон с одной стороны, сложный асимметричный характер амплитудно-фазового распределения и, как следствие, высокие потери в традиционных оптических элементах с другой, делают дифракционную оптику в данном сл чае вполне конкурентоспособной. Известен дифракционный микрообъектив [81], предназначенный для лазерного проигрывателя, представляющий собой бинарную микролинзу, однако такая линза не устраняет асимметрию пучка, имеет низкую эффективность и весьма ограниченное применение. Более совершенная линза Френеля для коллимации излучения полупроводникового лазера [82] имеет непрерывный профиль и учитывает изменения  [c.463]



Смотреть главы в:

Методы компьютерной оптики Изд2  -> Применение ДОЭ для коллимации излучения полупроводникового лазера



ПОИСК



Излучение лазера

Л полупроводниковый

Лазер

Лазер полупроводниковый

Лазер применения

ОГС-лазеров в ДГС-лазерах

Полупроводниковые лазеры применение



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте