Другие полупроводниковые фотоприемники

ДРУГИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ [c.123]

Для измерения геометрических характеристик линии сварки и самого шва в зоне сварки применяется способ сканирования луча лазерного дальномера вокруг точки сварки. Этот способ адаптивной сварки иллюстрируется рис. 5.18. В качестве излучателя здесь используется полупроводниковый лазер с мощностью импульса от 1 до Ш Вт, работающей в инфракрасном диапазоне. На свариваемые поверхности оптическая система лазера проецирует световое пятно диаметром 0,3 мм. Другая оптическая система воспринимает отраженный луч и фокусирует изображение пятна на фотоприемники прибора с зарядовой связью (ПЗС) с разрешающей способностью порядка 10 мкм. [c.175]

Существуют и другие применения сверхпроводимости, с которыми читатель может познакомиться в специальной литературе. Однако область применения низких температур в радиоэлектронике не исчерпывается-только-использованием явления сверхпроводимости. Более или менее глубокого-охлаждения требуют парамагнитные усилители, некоторые типы твердотельных и полупроводниковых лазеров (см. 12.5), полупроводниковые фотоприемники для ИК области спектра (см. 12.2) и ряд других приборов, которые-будут рассмотрены в последующих главах. Снижение рабочей температуры обычных элементов радиоустройств позволяет, как правило, резко снизить, шумы в них и, следовательно, увеличить обнаружительную способность приемных устройств. [c.208]

Увеличение числа свободных носителей под действием света ведет к возрастанию электропроводимости (фотопроводимость). Основанные на этом явлении приемники излучения называются фотосопротивлениями. Фотосопротивления в виде тонких пленок на основе 1пА5, РЬ5, РЬТе и других полупроводниковых соединений обладают чувствительностью вплоть до длин волн 7—8 мкм. Для видимой и ближней инфракрасной области спектра большей эффективностью обладает другой тип фотоприемника — фотодиод. Фотодиод представляет собой полупроводниковую пластинку, внутри которой благодаря различным примесям имеются две области с электронной и дырочной проводимостями (рис. 9.13, а). Напряжение от внешнего источника приложено к п-р-переходу в запирающем направлении, для которого сопротивление перехода велико. При освещении области п-р-пере.хода в ней появляются неосновные носители (электроны в р-области и дырки в п-области), что приводит к возникновению тока в цепи. Обычно фотодиод изготавливается так, чтобы свет падал перпендикулярно границе раздела, проходя через тонкий р-слой (рис. [c.465]

Поразительные возможности современной полупроводниковой электроники и особенно микроэлектроники реализуются только по мере разработки и освоения выпуска полупроводниковых материалов с разнообразными физическими свойствами. Эти материалы позволили создать на их основе миниатюрные усилители и генераторы электрических сигналов, работающие в широком диапазоне частот интегральные микросхемы для современных компьютеров преобразователи одного вида энергии в другой полупроводниковые светодиоды, лазеры и фотоприемники, работающие в ИК- и видимом диапазонах (полупроводниковые лазеры и фотоприемники — составляющие элементной базы волоконно-оптических линий связи) детекторы излучений и частиц магнитные, пьезо-, сегне-тоэлектрические и многие другие устройства. В то же время открытие новых явлений и потребность создания более совершенных приборов для научных исследований стимулируют поиск, разработку и освоение производства новых материалов с требуемыми свойствами. Между физикой и технологией полупроводников существует тесная взаимосвязь, и часто оказывается, что получение новых физических результатов становится невозможным без постоянного прогресса в технологии. [c.3]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...