Источники излучения полупроводниковый

I — источник излучения (полупроводниковый диодный лазер) 2, [c.214]

В левой части рисунка приведена схема аппаратуры, располагаемой на корабле-А. В нее входят два источника излучения (полупроводниковый диод и лазерный диод), приемная оптическая система с диссектором, система обнаружения и сопровождения, а также система ближнего и дальнего действия. Излучение полупроводникового диода сосредоточено в угле 2,5-1,74-lO- рад Z2,5°, а излучение лазерного диода распределено в угле 0,5-1,74-10- рад, т. е. в угле всего 0,5 . Мощность излучения полупроводникового диода 300 Вт и работает он в импульсном режиме. [c.185]

Диффундируя в глубь полупроводника, неравновесные носители рекомбинируют, проникая в среднем на расстояние диффузионной длины от слоя объемного заряда р — п-перехода. Если при этом существенная доля актов рекомбинации происходит с излучением света, то, создав условия для выхода этого света наружу, полупроводниковый диод можно использовать как источник излучения. Такой диод называют светодиодом. [c.331]

В фазовых С.в качестве источников излучения применяются, как правило, светодиоды, непрерывные газовые лазеры (Не — Ne, Не — d, СО ) либо полупроводниковые лазеры с мощностью излучения в единицы мВт. [c.464]

Съемка ЯГР-спектра поглощения осуществляется с помощью источника излучения и поглотителя, содержащих мессбауэровские ядра соответственно в возбужденном и основном состояниях. Прошедшие через поглотитель у-кванты регистрируются детектором (пропорциональный счетчик или сцинтилляционный кристалл с фотоэлектронным умножителем, а также полупроводниковые детекторы излучений), сигнал которого должен быть пропорционален энергии детектируемых частиц. Выход детектора соединен с одноканальным амплитудным анализатором, который выделяет из числа излучаемых 7-квантов те, энергия которых близка к Eg (участок спектра, соответствующий резонансному переходу). [c.136]

Из лазерных сред в последующем более детально рассматриваются твердотельные материалы для генерации когерентного излучения во всех трех эксплуатационных режимах импульсном, квазинепрерывном и непрерывном. Однако жидкостные и газовые лазерные среды, как и полупроводниковые лазеры всех видов, а также лазеры на парах металлов и органических молекул не рассматриваются из-за несоответствия профилю книги (в ряде случаев они упоминаются как источники излучения). [c.193]

В технологии изготовления полупроводников на специальные подложки наносят эпитаксиальные и диэлектрические пленки. Одним из параметров, влияющих на качество работы полупроводникового прибора, является толщина пленки. В устройствах контроля толщины пленок с применением лазера используют интерференционный метод (явление Интерференции), а в качестве источника излучения - лазер. [c.192]

Наилучшим образом этим условиям соответствуют полупроводниковые источники излучения — светоизлучающие диоды (СИД) и инжекционные лазеры (ИЛ). Они и представляют собой основной вид излучателей в волоконно-оптической связи. [c.107]

ВОЛС, рассчитанных на широкое применение, используются в качестве источников света полупроводниковые светоизлучающие устройства, в которых механизмом излучения служит излучательная рекомбинация инжектированных в активную область носителей. Длина волны излучаемого света при этом зависит от ширины запрещенной зоны (Ед) активной области полупроводника и определяется выражением [c.108]

Полупроводниковые источники излучения на ДГ представляют собой сложные многослойные структуры, в которых геометрические размеры и состав слоев должны выдерживаться с большой точностью. Современный уровень, достигнутый в области полупроводниковых источников излучения, во многом определяется прогрессом в их технологии. Все многослойные структуры выращиваются эпитаксиальными методами. Технология излучательных структур располагает тремя основными методами эпитаксиального выращивания слоев эпитаксией из жидкой фазы (ЭЖФ), газовой фазы (ЭГФ) и молекулярного пучка (ЭМЛ) [5, 14]. [c.110]

Интегральное исполнение волноводных фотоприемников накладывает ограничения на выбор их материалов и технологий. Проще всего технологическая интеграция осуществляется в случае полупроводниковых интегрально-оптиче-ских схем, в которых для источников излучения и фотоприемников сохраняется однотипность материалов и структур. При этом волоконный ввод обусловливает коаксиальную конструкцию фотоприемника. В интегральных волоконных фотоприемниках осуществляется, как [c.132]

Приведенная структурная схема одинаково пригодна как для аналоговых, так и цифровых систем связи, использующих направленную или открытую передачу оптического излучения. Применение оптических волокон для передачи оптических сигналов позволяет реализовать очень ограниченное число комбинаций разумно сочетаемых источников излучения и фотоприемников различных типов. В качестве излучателей можно назвать полупроводниковые источники излучения, а в качестве фотоприемников — полупроводниковые фотодиоды. Большим достоинством полупроводниковых светодиодов и лазеров как источников излучения является простота осуществления прямой модуляции излучаемой мощности. [c.28]

При использовании оптического излучения, распространяющегося в свободном пространстве, число возможных комбинаций источников излучения, фотоприемников и методов модуляции значительно больше, и в гл. 16 приводится краткий обзор некоторых систем связи этого типа. Основное требование для излучателей — высокая интенсивность излучения, а это обычно означает, что требуется использовать лазер. В таком случае возникает необходимость во внешних устройствах модуляции лазерного излучения, если только не применен полупроводниковый лазер. Затухание оптического сигнала на пути [c.28]

Прежде чем перейти к рассмотрению вопросов изготовления волокна, имеет смысл оценить с точки зрения свойств волокна достоинства использования различных длин волн в оптических системах связи. Сделаем это в предположении, что, если потребуется, соответствующие полупроводниковые источники излучения и фотодетекторы могут быть изготовлены. Основными характеристиками системы связи являются полоса пропускания и расстояние между ретрансляторами, а определяющими параметрами волокна — дисперсия и потери. Из приведенных на рис. 3.3 кривых видно, что в волокне с малыми потерями минимальное затухание имеет место на длинах волн 0,9 1,0 1,2 [c.85]

При освещении П., облучении быстрыми частицами, наложении сильного электрич. поля и т. д. в П. появляются дополнит, неравновесные носители, что приводит к повышению электропроводности (см. Фотопроводимость). Наряду с генерацией неравновесных носителей существует обратный процесс — рекомбинация эл-нов и дырок — переход эл-на из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего происходит исчезновение эл-на и дырки. Рекомбинация может сопровождаться излучением, что лежит в основе полупроводниковых источников света (полупроводниковый лазер, светоизлучающие диоды). [c.566]

В корреляторе с временным интегрированием, изображенном на рис. 5.23, входной сигнал g t) используется для временной модуляции светового пучка посредством, например, внутренней модуляции источника излучения (полупроводникового лазера, светодиода )или внешней модуляции с помощью отдельного (тотечио- [c.294]

Основными требованиями, которым должны отвечать управляемые транспаранты, являются быстродействие (время перезаписи информации должно быть не более 1 мкс) больша з емкость и память, достаточные для хранения информации в процессе записи страницы оптическая и энергетическая эффективность. В настоящее время рядом фирм Японии, США, Франции и некоторыми отечественными лабораториями созданы МОУТ, которые удовлетворяют этим требованиям. Разработка быстродействующих МОУТ сделала реальным создание оптических процессоров, в которых в качестве источника излучения предполагается использовать доступные и дешевые полупроводниковые лазеры. Ожидаемое быстродействие таких оптических процессоров должно на два порядка превышать быстродействие современных полупроводниковых процессоров. [c.38]

Увеличение числа каналов регистрации выдвигает некоторые дополнительные трудности при разработке радиометрических дефектоскопов. Должна быть значительно повышена надежность работы каналов регистрации. Использование сцин-тилляционных детекторов обусловливает очень громоздкое выполнение блока приемников излучения. Трудности, связанные с юстировкой осей всех приемников излучения на источник, значительно возрастают. Поэтому ставится вопрос о разработке мозаики малогабаритных детекторов, каждый из которых имеет самостоятельный выход в цепи обработки сигнала [58J. Представляет интерес использование в такой мозаике полупроводниковых детекторов излучения. Кроме значительного сокращения габаритов применение этих детекторов значительно упростило бы вопрос, связанный с источниками питания для многоканальных систем. Препятствием на пути распростраиения полупроводниковых детекторов в радиометрической дефектоскопии является большой разброс их параметров даже Б одной партии. Для работы в мозаике требуется их почти полная идентичность, сохраняющаяся в течение длительного времени и в широком диапазоне климатических воздействий. Если бы этот вопрос удалось решить, то в целом применение полупроводниковых детекторов было бы предпочтительным, несмотря на то что эффективность регистрации у-излучения низка и поэтому требуется увеличение активности источника излучения. [c.166]

Один из вариантов реализации метода ИК интроскопии заключается в просвечивании объектов исследования ИК излучением и визуализации прошедшего через объект излучения с помощью электронно-оптического преобразователя или телевизионной системы [40, 226]. Примером подобного прибора является микроскоп МИК-1, позволяющий осуществлять видение в таких полупроводниковых материалах, как Si и GaAs, выявлением дефектов в объеме полупроводника. Однако использование в качестве источника излучения широкополосных тепловых излучателей значительно ухудшает качество изображения и затрудняет количественную интерпретацию получаемой информации. [c.181]

Для увеличения точности В.-о. г. используется ряд методов. Так, напр., флуктуации интерференционных полос из за рэлеевского рассеяния и невзаимные сдвиги фаз за счёт разности интенсивностей встречных волн могут быть уменьшены при использовании источников излучения с широким спектром — полупроводниковых лазеров или суперлюминесцентных диодов. Влияние невзаимных эффектов из-за изменения двойного лучепреломления в волокне при разл. внеш. воздействиях (механич., тепловых, акустических и пр.) может быть ослаблено при использовании одномодовых световодов (см. Волоконная оптика). Т.к. прямое измерение сдвига интерференционной полосы сильно ограничивает точность и динамич. диапазон, в реальных В.-о. г. применяются более сложные методы регистрации, использующие фазовую модуляцию, фазовую компенсацию, гетеродинные методы и т. д. [c.336]

Применения, р — п-П. обладает нелинейной ВАХ с большим коэф. выпрямления, на чём основано действие выпрямительных (полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слоя с изменением напряжения U он имеет управляемую нелиней-I ную ёмкость (см. Варикап), Включённый в прямом направлении, он инжектирует носители из одной своей области в другую. Инжектиров. носители могут управлять током др. р — П П., рекомбинировать с излучением света, превращая р — п-П. в электро люминесцентный источник излучения (см. Светоиялукающий диод), инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключениях напряжения на р — я-П. Ток р — я-П. управляется светом или др. ионизирующими излучениями (см. Полупроводниковый детектор). [c.644]

В импульсных С. источником излучения обычно являются твердотельные. и полупроводниковые лазеры, работающие в ближнем ИК-диапазоне (0,8- -1,06 мкм), излучение к-рых формируется в виде коротких импульсов. Медленно меняющиеся расстояния измеряются с помощью одиночных импульсов при. быстро меняющихся расстояниях применяется непрерывно-импульсный режим излучения. Твердотельные лазеры допускают частоту следования импульсов излучения до 50—100 Гц, полупроводЕШКОвые — до 10 —10 Гц, Короткие импульсы (20—40 нс) твердотельных лазеров формируют в режиме модуляции добротности с помощью различного рода оптических затворов. В полупроводниковых лазерах генерация коротких импульсов мощностью до сотен Вт осуществляет- ся путём формирования коротких импульсов тока накачки. [c.464]

Развитие и дальнейшие перспективы квантовой э пектроники связаны с созданием эффективных, перестраиваемых по частоте источников излучения в различных областях оптического диапа-зона, работающих в разных режимах непрерывном, импульсном, импульсно-периодическом. Одним из перспективных путей создания таких лазеров является преобразование лазерного излучения. Лазер, использующий принцип такого преобразования, содержит две ступени. Первая—лазерный источник накачки, который возбуждает вторую ступень — активную среду (твердую, жидкую или газообразную). Возбуждение может быть резонансным и нерезонансным. Первыми преобразователями с резонансным возбуждением были полупроводниковые лазеры с оптической накачкой [121. В дальнейшем резонансная накачка была осуществлена в жидких активных средах, что привело к созданию лазеров на красителях. С появлением мощных лазеров в ИК-диапа-зоне (прежде всего СОг-лазеров) в качестве активных сред преобразовательных лазеров стали применяться молекулярные газы. К настоящему времени теоретические и экспериментальные исследования полностью подтвердили перспективность ГЛОН как источников излучения в среднем, дальнем ИК и субмиллиметро-вом диапазоне. [c.126]

Серьезными недостатками структуры являются необходимость глубокого охлаждения полупроводника (около 90 К) и связанное с иим вакуумирование, недостаточно высокий оптический контраст, узкий спектральный диапазон чувствительности и трудность подбора рабочей пары — источника излучения и соответствующей линии экситонного поглощения. Заметим, что последний недостаток частично может быть ослаблен при использовании полупроводниковых иижекционных лазеров и близких к ним по составу полупроводниковых пластин, например на основе тройного соединения GaAiAs. Кроме того, некоторые полупроводники, например селенид галлия, имеют интенсивные линии экситонного поглощения при комнатной температуре. [c.205]

Следует обратить внимание на относительную доступность источников накачки для лазеров на гранате. Ими могут быть вольфрамойодные или мощные ксеноновые дуговые лампы. Во многих промышленных образцах лазеров используются лампы накаливания с вольфрамовой нитью. Эти лазеры имеют относительно низкую стоимость. Иногда [87] для накачки лазеров на гранате применяют некогерентное излучение полупроводниковых люминесцентных светодиодов, например, на Ga As vPi-x(a 0,87). Видимое и инфракрасное излучение весьма эффективно возбуждает лазерный уровень в кристалле граната. [c.169]

Этот принцип положен в основу отечественного геодезического дальномера КДГ-3. Функциональная схема дальномера приведена на рис. 22. Назначение блоков понятно из рисунка. Источником излучения служит полупроводниковый диод из арсенида галлия. Его излучение модулируется задающим генератором и направляется на зеркальный отражатель, установленный на противопо- ложном конце измеряемой линии. Отраженное излучение принимается приемной системой и фокусируется на фотоэлектронном умножителе. Особенностью дальномера является то, что процессы фазового детектирования и гетеродинирования сигналов происходят непосредственно в околокатодном пространстве ФЭУ. Эти процессы осуществляются таким образом. Часть напряжения от задающего генератора подается на смеситель. Одновременно на него же подается напряжение от стабилизированного кварцами гетеродина. На выходе смесителя образуется промежуточная частота 100 кГц, которая через фазовращатель подается на специальный электрод у фото- [c.57]

Horo лучистого потока в сторону корабля А была максимальной, поскольку это увеличивает дальность действия локатора, расположенного на корабле. На языке радиолокации это явление носит название искусственного увеличения эффективной площади цели аппарата В. Для такого зеркального отражателя необходимо строгое выполнение его формы. Так, в сообщении подчеркивается, что точность изготовления призм такова, что угол между падающим и отраженным лучами не должен превышать 9,6-10 рад. В изготовленном блоке расстояние между параллельными сторонами шестиугольной входной грани одной призмы равно 6 см, а всего блока — 18 см [29]. Здесь же находится приемная оптическая система с диссектором (фотоэлемент, обеспечивающий определение координат светового пятна, падающего на его поверх ность). Подчеркивается, что это устройство нужно для того, чтобы принимать излучение лазера, установленного на аппарате А, и удерживать направление оптической оси приемного устройства, аппарата В строго по лучу лазера, что и обеспечивает следящая система корабля В. В левой части рисунка расположена схема аппаратуры, находящейся на корабле А. В нее входят два источника излучения — лазер и полупроводниковый диод, приемная оптическая система, два приемника излучения ФЭУ и диссектор, система обнаружения и сопровождения, а также системы ближнего и дальнего действия. Излучение полупроводникового диода сосредоточено в угле 2,5-1,74-10 2 рад, т. е. примерно 2,5 углового градуса, а излучение лазера сосредоточено в угле 0,5-1,74-10 рад т. е. в угле 0,5 углового градуса. Система углового сопровождения — по существу оптико-электронное следящее устройство с электронным сканированием, схема которого рассчитана на работу от импульсного источника. Для уменьшения влияния фоновых засветок в оптическую систему разработчики включили интерференционный фильтр, не показанный на рисунке. Поле зрения приемного устройства углового сопровождения формируется объектом с фокусным, расстоянием 90 мм и относительным отверстием 1 0,95 и составляет 10-1,74-10 рад, т. е. примерно 10 угловых градусов. Система обнаружения и сопровождения должна обеспечивать первоначальное обнаружение корабля В по его маячку и слежения за ним вначале по излучению маяка, а впоследствии по излучению собственного лазера, отраженного блоком [c.91]

Измерение температуры полупроводниковой пластинки путем регистрации спектров отражения или пропускания света удобнее всего проводить в области края собственного поглощения. Для слаболегированных кристаллов наиболее существенные температурные изменения в регистрируемых спектрах происходят именно в этой области. Зарегистрировав спектр Т[ ) или Я(Л), можно рассчитать коэффициент поглощения (Л) и определить ширину запрещенной зоны кристалла, связанную с температурой известным образом. Оптическая схема включает перестраиваемый по спектру источник излучения (например, лазер на красителях или нелазерный источник сплошного спектра и монохроматор). [c.114]

Широкое использование полупроводниковых лазеров в оптической связи, аппаратуре для записи-считывания с компакт-дисков, лазерных целеуказателж делает весьма актуальной задачу совершенствования соответствуюш,ей оптики. Специфика оптических свойств полупроводниковых лазеров состоит, как известно, в суш,ествеп-ной асимметрии диаграммы направленности излучения, а также в весьма высокой числовой апертуре по одному из сечений пучка. Особую актуальность эта проблема приобретает при построении линий связи с использованием одномодовых волокон. В качестве источников излучения в волоконно-оптических системах связи используются, как правило, лазерные диоды или линейки лазерных диодов видимого или ИК-диапазона. На рис. 6.58 представлен результат измерения распределения интенсивности, формируемого лазерным диодом мощностью 5 мВт и длиной волны 0,67 мкм. [c.463]

При создании излучательных гетероструктур используется принцип изопе-риодического замещения в многокомпонентных твердых растворах полупроводниковых соединений. С ним связано широкое применение сложных по составу тройных и четверных систем, перекрывающих практически важный спектральный диапазон от 0,8 до 1,7 мкм. Широкий спектр задач, решаемых ВОЛС, и постоянное совершенствование источников излучения привели к созданию большого числа разновидностей этих источников, различающихся конкретной структурой и используемыми материалами. [c.107]

Основные материалы для источников излучения ВОЛС — это полупроводниковые соединения А В . Среди них имеются бинарные (двухкомпонентные) ОаАв, тройные (трехкомпонентные) (АЬОа[ А8, ОаА8х8Ь1 х) четырехкомпонентные Оа Хп1 хА8уР1--у. [c.109]

Элементная база ИОЭС развивается главным образом на основе полупроводниковых материалов А В — базовых для источников и приемников излучения. На основе этих материалов в ИОЭС создают также электронные компоненты оптоэлектронных схем — высокодобротные, широкополосные и низкошумящие полевые и биполярные транзисторы, диоды, образующие управляющие цепи источников излучения и фотопреобразователей. [c.158]

Вид сигналов в линейном тракте ВОСС выбирают с учетом особенностей оптических элементов. Шумовой характер излучения источников света, как правило, ограничивает применяемые виды модуляции излучателей и в практически используемых системах находит место модуляция по интенсивности [3, 6]. Однако развитие технологии компонентов ВОСС обусловило перспективность применения в оптических системах и когерентных систем связи [32, 42]. Когерентные ВОСС, основанные на модуляции параметров несущей оптической волны, а не интенсивности света, позволяют максимально использовать преимущества оптической связи. В таких системах используются модуляция — демодуляция оптической несущей, оптический гетеродинный прием с оптическим предусилением, оптическое усиление. Передающей средой в когерентных ВОСС является одномодовое ВС, предпочтительно с одной поляризацией излучения особые требования накладываются и на источник излучения — одномодовые полупроводниковые лазеры, ширина спектра излучения которых должна быть мала и стабильна. [c.194]

Типичный уровень мощности, который может быть введен в ступенчатое волокно с помощью светодиода, составляет 50 мкВт (—13 дБм). При использовании полупроводникового лазера он может быть увеличен до 1 мВт (О дБм). Минимальная мощность на входе приемника, обеспечивающая достаточно низкий коэффициент ошибок, обычно равна 0,1 нВт/(Мбит/с). В качестве примера рассмотрим систему связи с яиформационной пропускной способностью 10 Мбит/с. В этом случае требуемый уровень мощности на входе приемника должен быть порядка 1 иВт (— 60 дБм). Мы должны предусмотреть дополнительную мощность на потери в волокне и на системный запас по мощности. Последний, равный 10 дБ, вполне достаточен. При этом получается следующее распределение мощности источника излучения [c.30]

В гл. 8 и 12 подробно описываются наиболее эффективные полупроводниковые источники и детекторы. Как будет видно, наилучшее согласование достигается, если ширина запрещенной зоны детекюра немного меньше ширниы запрещенной зоны источника, В первых системах оптической связи использовались источники на основе арсенида галлия СОаАз) и детекторы нэ основе кремния (51), Необходимо отметить, что еще требуются серьезные исследования, чтобы получить идеальный для оптической связи источник излучения. Указанные материалы хорошо работают на длинах волн 0,8,,.0,9 мкм, но для волокна предпочтительнее более длинные волны. Поэтому требуется исследование других полупроводниковых материалов для использования в качестве источника излучения в детекторе. Уже разработаны германиевые (Ое) детекторы, работающие на длинах волн порядка 1,7 мкм. Имеются совершенно новые полупроводниковые материалы, позволяющие разработать как источники, так и детекторы для длин волн более 1 мкм. [c.191]

Для уменьшения дифракционной расходимости лазерного источника излучения можно использовать расширитель пучка (рис. 16.3). В результате апертура, на которой происходит дифракция, увеличивается. В 11.2 было показано, что расходимость излучения полупроводниковых лазеров обычно не имеет круговой симметрии. Для эффективного введения нх излучения в волокно используются цилиндри ческие линзы. Такие же линзы можно применить и в системе расширения пучка и тогда, как обычно, пользуются (16.2.7). В качестве примера допустим, что излучение полупроводникового лазера мощностью 10 мВт коллимируется и заполняет объектив расширителя пучка диаметром 10 мм. Тогда, приняв, как и раньше, к — 1 мкм и Л = 10 м , находим, что мощность иа расстоянии / = 10 км [c.401]

В 16.2 показано, что при хороши.х атмосферных-условиях полупроводниковые светодиоды и лазеры пригодны для использования в наземных оптических линиях связи протяжепностью 1..,Ю км. Достой нет в а.ми этих источников излучения является компак ность. легкость, прочность и простота осуществления модуляции. Лля оптических систем связи больп1ей дальности требуются более мощные лазерные источники излучения. Обычно они бывают громоздкими, хрупкими и малоэффективными и требуют сложных и мощных источников питания для их возбуждения и модуляции. Наиболее подходящими для оптической связи считаются два из самых совершепных типов лазеров. Это лазер ма стекле с неодимом. работающий на длине волпы 1,06 мкм или на второй гармонике — 0.53 мкм, и лазер на углекислом газе, работающий на длине волны 10,6 мкм. Время от времени предлагаются и другие лазерные источники, например более коротковолновые лазеры для систем связи между спутниками и подводными лодками. но здесь рассматриваются только два вышеуказанных. Ясно, что их использование приведет к созданию двух различных лазерных систем связи. [c.405]

Волоконно-оптические системы связи первого поколения — этс такие системы, в которых используются многомодовое градиентное волокно, полупроводниковый лазер на GaAs илн светодиод в качестве источника излучения и кремниевый лавинный фотодиод в качестве фотодетектора. Во многих странах были созданы подобные экспериментальные системы связи, используемые в качестве неотъемлемых участков действующей теле( юииой сети. Другими словами, волоконные кабели. были проложены по обычиым телефонным трассам, соединялись [c.438]

Для измерения ряда физических величин успешно применяют ионизирующие излучения, используя общие закономерности, связывающие изменения характеристик радиационного поля, создаваемого источником излучения. Эти характеристики (например, интенсивность потока частиц) измеряют детектором излучения. В качестве детекторов используют комбинации сцинтиллирующий кристалл — фотоэлектронный умножитель, полупроводниковые структуры, ионизационные камеры. Как правило, детектор необходимо экранировать или коллимировать. Однако, поскольку экран или коллиматор изготовляют из тяжелых материалов, то размеры и масса устройства увеличены. [c.76]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...