Датчик полупроводниковый

Термодатчики с р-п переходом. Высокая чувствительность, различные методы включения, малые габариты, виброустойчивость, воспроизводимость характеристик, дешевизна определяют перспективность этого типа датчиков. Полупроводниковые приборы имеют лучшие па- [c.250]

Холла датчик — магнитоэлектрический полупроводниковый прибор, основанный на использовании эффекта Холла. [c.164]

Датчики для измерения температуры. Для измерения температуры на вращающихся объектах используют термопары, термометры сопротивления, термочувствительные элементы из полупроводниковых объемных сопротивлений, которые называют термисторами. Эти датчики удовлетворяют в основном перечисленным выше требованиям. Для локальных измерений температуры лучше подходят термопары, так как термометры сопротивления имеют наибольший линейный размер—10 мм и более. Однако в области низкой (криогенной) температуры чувствительность термопар существенно уменьшается, что при необходимости передачи информации через токосъемник снижает точность измерения температуры, а иногда делает эти измерения вообще невозможными. [c.313]

Тензодатчики. Измерение деформаций и напряжений на вращающихся объектах осуществляется с помощью тензодатчиков, которые представляют собой тензочувствительные преобразователи (тензорезисторы). Для измерения на вращающихся объектах можно применять проволочные, фольговые и полупроводниковые тензодатчики, но фольговые датчики имеют преимущества они допускают значительно большую токовую нагрузку, чем проволочные, из-за большей поверхности охлаждения и позволяют обеспечить более жесткую связь с деформируемой поверхностью. Используемая для датчиков фольга имеет толщину от 1 до 10 мм. [c.314]

Кремний применяют для изготовления различных диодов и транзисторов, тиристоров, стабилитронов, фотодиодов, датчиков Холла, тензометров и других полупроводниковых приборов, а также интегральных схем. [c.80]

Для измерения перемещений звеньев применяют потенциометрические и индуктивные датчики, для измерения относительных деформаций — проволочные и полупроводниковые тензодатчики. [c.441]

В области ниже —196 С дислокационный характер деформации постепенно вырождается и при температуре —269°С накопление деформации при циклическом нагружении происходит только за счет прерывистой текучести в локальных объемах. Прерывистая текучесть имеет дискретный характер и связана с адиабатическим деформационным двойникова-нием, в соответствии с которым всплески деформации сопровождаются резким повышением температуры в локальных объемах. На рис. 67 приведены экспериментальные данные, показывающие взаимосвязь деформационных и температурных всплесков при растяжении сплава АТ2 при —269°С, полученные с использованием полупроводникового германиевого датчика. [c.112]

На рис. 132 показана блок-схема автоматической установки для испытания на усталость по многоступенчатым программам образцов при изгибе на резонансных частотах в диапазоне 100—400 Гц с электродинамическим вибратором. Индукционный датчик обратной связи 1, воспринимающий колебания нагружаемого образца 10, выдает переменный сигнал, зависящий от амплитуды колебаний. После прохода усилителя 2 через диодный ограничитель напряжения 3 он поступает на регулирующий элемент 4, включенный на входе усилителя мощности 5, питающего вибратор 5. Во второй контур, предназначенный для стабилизации амплитуды колебаний в пределах одной ступени программного блока и для изменения амплитуды по программе, входят выпрямитель 7, собранный по мостовой схеме на полупроводниковых диодах, и источник высокостабильного напряжения 8, программное устройство 9. [c.234]

Автоматическое регулирование температуры применялось ранее других систем. Еще при наладке процессов термической обработки на автомобильных, тракторных и самолетостроительных заводах в первые пятилетки применялось автоматическое регулирование температур по схеме датчик (термопара) — потенциометр — исполнительный механизм (регулятор подачи топлива или электроэнергии), интервал регулирования температур составлял ilO — +15°. В настоящее время, в связи с развитием новых производств и повышением требований к точности выполнения тепловых процессов, например в производстве электровакуумных и полупроводниковых приборов, интервал регулирования температур достиг величины +0,5°. В свою очередь, требование столь высокой точности регулирования температур привело к созданию безынерционных печей, с заменой огнеупорной и изоляционной кладки в рабочем объеме металлическими экранами. В настоящее время такие печи работают вплоть до температур 3000° С. [c.154]

Прибор ЭМТ-2 разработан на основе прибора ЭМТ. Принципиальная электрическая схема прибора показана на рис. 69. Она состоит из генератора на частоту 200 или 1000 кгц, служащего для питания катушки датчика переменным током колебательного контура, в качестве индуктивности которого используется катушка датчика дифференциального лампового индикатора Jli с полупроводниковыми диодами на входе и стрелочным прибором на выходе, который служит для измерения переменного напряжения на контуре, изменяющегося в зависимости от контролируемой толщины блока питания с феррорезонансным стабилизатором. [c.79]

Рис. 21. Датчики силы с наклеиваемыми мостовыми полупроводниковыми структурами

В отечественной практике изготовления датчиков силы применяют наклеиваемые мостовые полупроводниковые структуры (рис. 21), получаемые путем вырезки из монокристалла и травления. У прямоугольных структур (рис. 21, а) выводы приваривают в точке [c.365]

Применение температурной компенсации необходимо в датчиках с полупроводниковыми тензорезисторами, поскольку их температурные погрешности на порядок больше, чем для металлических, и достигают 10 % от измеряемой величины на каждые 10 °С. [c.366]

Возможность увеличения жесткости упругих элементов датчиков с полупроводниковыми тензорезисторами при одинаковом выходном сигнале с датчиками, оснащенными металлическими тензорезисторами, позволяет уменьшить осадку первых на порядок. [c.369]

Зарубежные датчики силы с полупроводниковыми тензорезисторами [c.376]

Для питания прибора напряжением, имеющим частоту 425 Гц, предусмотрен полупроводниковый генератор 7 с усилителем 6, от которого питаются компенсационные цепи 1 и 8, датчики и полупроводниковый усилитель мощности 5, питающий сельсин-датчик. Для питания обмотки возбуждения двигателей 12—14 предусмотрены усилители мощности 4 и И. [c.436]

Для регистрации изменения давления в гидросистему встраивают полупроводниковый датчик давления с рабочей частотой до 20 кГц без остановки работы оборудования с помощью специального крана [4]. Причем для параллельно включенных насосов предусматривается необходимое количество датчиков. Тарировка последних производится автономно одновременно с установлением масштаба. Запись изменения давления в гидросистеме осуществляется с помощью магнитографа, дающего возможность записывать аналоговые сигналы с рабочей частотой до 20 кГц. На ленте записываются начальные условия для исследуемой гидросистемы 1) завод, корпус, цех, АЛ, станок 2) год, месяц, число, часы [c.33]

Наиболее полную и достоверную информацию о состоянии машин и механизмов обеспечивают автоматизированные многоканальные системы технической диагностики. Их характерной особенностью является оснащение датчиками бесконтактного контроля, аналого-цифровыми регистраторами с полупроводниковыми запоминающими устройствами, микропроцессорами и ЭВМ. Одним из важных звеньев в таких системах являются регистрирующие устройства . [c.127]

Такие наиболее распространенные преобразователи, как тензорезисторные (проволочные и полупроводниковые), индуктивные и емкостные имеют малую величину коэффициента преобразования ( пр 200), поэтому создание высокочастотного датчика с достаточной чувствительностью на основе этих преобразователей вызывает определенные трудности. При сохранении принципа преобразования любое увеличение верхнего частотного диапазона влечет за собой уменьшение коэффициента чувствительности согласно (1). [c.27]

ХОЛЛА ДАТЧИК — полупроводниковый прибор, преобразующий на основе Холла эффекта индукцию внеш. магн. поля в электрич. напряжение. Представляет собой тонкую пластинку (или плёнку) полупроводника (напр., Si, Ge, GaAs, InSb), укреплённую (напылённую) на прочной подложке из диэлектрика (слюды, керамики, феррита), с четырьмя электродами для подведения тока и съёма эдс Холла (Fx). [c.413]

Раздел технической физики — дозиметрия имеет своим содержанием 1) измерения и расчеты дозы в полях излучения 2) измерения активности радиоактивных препаратов (радиометрия). Дозы ионизирующего излучения измеряются с помощью специальных приборов — дозиметров (рентгенометров). В качестве датчиков служат небольшие ионизационные камеры, газоразрядные, сцинтил-ляционные и полупроводниковые счетчики (см. 6, 7). Отсчет дозы обычно производится по выходному стрелочному прибору. [c.218]

Структурная схема системы представлена на рис. 17.7, где приняты следующие обозначения ТА1, ТА2 — термоанемометры фирмы DISA ДС, ДУ — датчики скорости и углового положения, входящие в тарировочные устройства 55D90 для термоанемометра DISA ДД — полупроводниковый датчик давлению [c.350]

Для измерения перемещений применяют потенциометрические (реостатные) датчики, основанные на изменении под влиянием входного перемещения включенного в цепь омического сопротивления. К ним относятся реохордные и полупроводниковые реостатные датчики. [c.427]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Действие абсорбционных оптических датчиков основано на функциональной зависимости поглощенного пучка света от температуры. Это свойственно полупроводниковым материалам, в частности арсениду галлия (GaA.s). Датчик на основе арсенида галлия имеет форму призмы небольших размеров. На входе и выходе датчика расположено по одному или по два оптических световода, обеспечивающих минимальные потери в диапазоне длин волн, соответствующем спектру поглощения QaAs. Разрешающая способность такого датчика 0,2 °С в диапазоне температур 33—47 °С. [c.127]

Помимо использования фотоэлементов как преобразователей солнечной энергии в электрическую, они применяются также в качестве чувствительных датчиков, реагирующих на изменение интенсивности светового потока. Широкое применение для этой цели получили германиевые, меднозакисные, селеновые, сернистосеребряные, сернистоталлиевые и другие элементы. Интегральная чувствительность их примерно на 2—3 порядка выше, чем у элементов с внешним фотоэффектом. Для ее повышения фотоэлементы конструируют так, чтобы возможно большее число носителей, возникающих при освещении, достигало р — -перехода. С этой целью базу элемента w (рис. 12.10, а) делают как можно тоньше, а полупроводниковый материал выбирают с возможно большей диффузионной длиной носителей L, чтобы выполнялось соотношение w< L. [c.330]

При ударном нагружении с малой скоростью обеспечение достаточной жесткости динамометра, необходимой для поддержания заданного параметра испытания e== onst, требует увеличения сечения динамометра, что ведет к понижению в нем уровня напряжений и деформаций, а следовательно, и к снижению величины сигнала с датчика. Последнее существенно затрудняет регистрацию в связи с возрастанием уровня (относительного) помех. Методика регистрации малых величин деформации с помощью полупроводниковых, пьезоэлектрических [416] или емкостных датчиков [267] (рис. 40) обладает рядом преимуществ. [c.105]

Электронные и полупроводниковые системы в современных производственно-технологических машинах не могут применяться для механизации машинных технологических процессов вследствие их маломощности. Они весьма распространены для автоматизации контроля, управления и регулирования технологических процессов, а также в качестве датчиков для составления логических схем, для полутригеров (электронных реле), как усилители систем и т. п. [c.27]

На рис. 3 приведены расчетные и экспериментальные величины размаха пульсаций давления, полученные для исходной гидросистемы, подсчитанные с учетом (14) (кривые К и 3). В эксперименте запись высокочастотных пульсаций проводилась датчиком давления с полупроводниковыми тензоэлементами с выходом сигнала на электронный осциллограф. Из сравнения экспериментальных и [c.20]

Принципиальная электрическая схема прибора приведена на рис. 75. Прибор состоит из блока питания с электронной стабилизацией, генераторного блока, измерительного блока с датчиком, блока усиления я индикаторного блока. Блок питания включает в себя трансформатор Тр, полупроводниковый мостовой выпрямитель ВС с электронной стабилизацией на лампах Л , а Jig и барретор Л, для питания ламп генератора и усилителя. Стабилизированное анодное напряжение равно 250 в, напряжение накала 6,3 в. [c.84]

Для измерения параметров удара чаще всего применяют пьезоэлектрические, емкостные, тепзометрические полупроводниковые н проволочные типы датчиков (табл. 3), Наибольшее распространение получили пьезоэлектрические датчики. [c.348]

Включение тензорезисторов во все плечи моста снижает погрешность примерно в 30 раз, т. е. до 0,3 % на 10 °С, если разброс сопротивлений тензорезисторов не превышает 1 %, а тензочувствительности 2%. Включение в цепи моста термосопротивлений снижает температурные погрешности еще в 10—20 раз. Таким образом, температурная погрешность датчиков силы с полупроводниковыми тензорезисторами может быть не более 0,05—0,1 % на 10 °С, т. е. может достигать величины, соответствующей высококаче- [c.366]

Фирма BLH (США) выпускает датчики с полупроводниковыми тензорезисторами с температурной погрешностью нуля 0,05—0,09 % и чувствительностью 0,09% на 10 С. Лучшие датчики с полупроводниковыми тензорезисторами фирмы НВМ (ФРГ) имеют температурные погрешности нуля и чувствительности 0,1—0,2%. Фирма S hwingungste hnik und Akustik (ГДР) выпускает датчики серии HLW с полупроводниковыми тензорезисторами, температурная погрешность которых в диапазоне 20 С составляет 0,1 % по уходу нуля и 0,15—0,2 % по чувствительности на каждые 10 °С. [c.367]

ОНИ претерпевают деформации не только в направлении наибольшей тензочувствительности тензорезисто-ров, но и в иных направлениях. Нелинейность датчиков силы с полупроводниковыми тензорезисторами определяется в основном зависимостью тензочувствительности тензорезисторов от уровня деформации и по величине на порядок больше нелинейности упругих элементов, достигая 1—3%. [c.368]

Для уменьшения нелинейности датчиков силы с полупроводниковыми тензорезисторами уменьшают уровень деформации упругого элемента при относительных деформациях до 5-10" нелинейность тензорезисторов составляет несколько десятых долей процента. Иногда тензорезисторы наклеивают на упругий элемент, зане-воленный на половину предполагаемой деформации. Однако заневоливание ухудшает стабильность датчика силы во времени. Заневоливание применяют в датчиках для тех силоизмерительных устройств, в которых возможно введение поправки на уход нуля или в датчиках, находящихся под нагрузкой, снимающей заневоливание. [c.368]

Зарубежные датчики силы с металлическими тензорезисторами представлены в табл. 8, а в табл. 9 — с полупроводниковыми. Величины погрешностей нелинейности, которые оценива- [c.368]

Народное предприятие S hwingung-ste hnik und Aku.stik (ГДР) выпускает аппаратуру HLW для датчиков с полупроводниковыми тензорезисторами для лабораторной практики (восемь типоразмеров и из них два многоканальных) и для промышленного контроля (пять типоразмеров и из них один многоканальный). Аппаратура включает два типа источников питания, усилитель постоянного тока ((/вых = Го В, /вых = 5мА), два стрелочных индикатора и два селектора-переключателя. [c.380]

В приборах иностранных фирм наибольшее распространение получила схема включения контактов, показанная на рис. 29. Контакты датчика включены в цепь моста, собранного на полупроводниковых элемёнтах, которые обеспечивают питание реле постоянным током и при размыкании контактов датчика выполняют роль искрогасящих цепочек [c.60]

В большинстве случаев в качестве первичных преобразователей деформации упругого элемента в электрический сигнал используются фольговые или полупроводниковые тензорезисторы, закрепляемые на упругом элементе. Возможно применение и других типов первичных преобразователей индуктивных, емкостных, пьезоэлектрических, магниторезисторных, оптических, струнных и других. Деформация упругого элемента датчика (например, стальной балочки прямоугольного сечения), пропорциональная воздействующей на него силе, однозначно определяет изменение электрического сопротивления тензорезистора. [c.177]

Совместно с МВТУ им. Н. Э. Баумана разработан силомомент-ный датчик, измеряющий три компоненты вектора силы и устанавливаемый в запястье робота. Диапазон измеряемых сил от 5 до 500 Нм. Применение полупроводниковых тензорезисторов, отличающихся большой чувствительностью, позволило отказаться от МДМ-усилителя. Усилитель представлет собой УПТ с дифференциальным входом, чем обеспечивается достаточный уровень подавления синфазных помех. Коэффициент усиления не более 100, уровень выходного сигнала 10В, сопротивление нагрузки >2 кОм. [c.179]

Совершенствование силомоментных датчиков должно идти по линии создания новых конструкций упругого элемента, допускающих максимальную развязку сигналов, соответствующих разным координатным направлениям, а также путем разработки алгоритмов, учитывающих необходимость получения раздельных, взаимонезависимых сигналов. Перспективным направлением в развитии силомоментных датчиков следует считать использование полупроводниковых тензорезисторов, имеющих высокий коэффициент тензочувствительности при применении специальных методов стабилизации их параметров. [c.179]

Значительно повышена стабильность электронноламповых усилителей, работающих от О гц (или от малых долей 1 гц) [37]. Специально для виброизмерений созданы низкочастотные усилители на полупроводниковых элементах [38], [39 ]. Эта аппаратура питается низковольтными батареями, совершенно не создает микрофонного эффекта и весьма портативна. Вошли в практику осциллографы с непосредственной записью чернилами или оптическим путем на фотобумаге, не требующей лабораторной обработки [40]. Продолжается разработка автоматических анализаторов спектра, выдающих вместо виброграммы готовую спектрограмму [41 ]. Появились публикации о телеметрической аппаратуре, предназначенной для регистрации на земле вибрации, воспринимаемой датчиками, установленными на летящей ракете [42]. [c.406]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...