Полупроводниковые соединения других групп

Полупроводниковые соединения других групп Соединения А В [c.81]

Характерной особенностью современного этапа развития электронной техники является вовлечение в сферу ее непосредственных интересов широкой номенклатуры полупроводниковых материалов. Важнейшими из них являются кремний, арсенид галлия и большая группа других бинарных соединений и многокомпонентных твердых растворов на основе [c.38]

Полупроводниковые кристаллические соединения типа А " В представляют собой химические соединения, образующиеся при взаимодействии элементов В и В подгрупп периодической системы элементов Менделеева. Эти соединения характеризуются наличием у А на внешних оболочках по 3 валентных электрона в состоянии а у В по 5 электронов в состоянии и, вследствие этого, в химических соединениях А В на каждый атом приходится такое же, как и в элементах IV группы, количество электронов, а отсюда идентичность в кристаллической структуре и электронных свойствах этих соединений с алмазом, кремнием, германием и другими элементами IV группы. Однако в отличие от элементов IV группы, имеющих в кристаллической структуре только гомеополярные связи, соединения типа А В имеют как гомеополярные, [c.249]

Соотношения размеров атомов играют большую роль в результатах замещения. Так, например, если примесный атом РЬ, имеющий сравнительно большие размеры, замещает в решетке 1п8Ь атом 1п, то он ведет себя как донор попадая в решетку А15Ь и занимая место атома 5Ь, он является акцептором. Замещение элементов, входящих в состав полупроводниковых соединений, другими из тех же групп периодической системы (III и V) не вызывает заметного изменения проводимости этих полупроводников. [c.328]

Разность электроотрицательностей уменьшается в ряду соединений, образованных между данным элементом одной группы и элементами другой группы по мере увеличения их атомного номера. Однако это уменьшение не означает усиления ковалентной составляющей связи. На самом деле ковалентный характер связи по мере увеличения атомного номера элемента становится менее ярко выраженным за счет уменьшения энергии ионизации более тяжелых атомов, что вызывает ослабление связей и уменьшение ширины запрещенной зоны. Другими словами, волновые функции электронов, или орбитали, простираются на большие области кристалла, в результате чего связь по своей природе становится более металлической. В рядах таких соединений по мере увеличения молекулярного веса обычно наблюдается уменьшение температуры плавления. В табл. 9 приведены некоторые полупроводниковые соединения и их свойства (в сравнении с германием и кремнием), иллюстрирующие высказанные выше соображения. Исключением является ряд соединений— PbS, PbSe, РЬТе — [c.265]

Прежде чем продолжить обсуждение границ между жидкими полупроводниками и другими классами жидкостей, укажем приближенно, какого рода вещества обычно считают жидкими полупроводниками. Из элементов в эту категорию попадают расплавленный селен и расплавленный теллур. Другие элементы, такие, как германий и кремний, являющиеся полупроводниками в кристаллическом состоянии, при плавлении становятся металлами. То же самое справедливо для многих полупроводниковых соединений, например соединений элементов П1—V групп. Такой переход полупроводник — металл Иоффе и Регель [144] связали с уменьшением атомного объема. Таким образом, хорошо известная корреляция поведения кристаллических полупроводников с большим атомным объемом, по-видимому, сохраняется и в жидком состоянии. Многие другие соединения, например. ТпгТез, обнаруживают увеличение объема при плавлении или же относительно малые уменьшения объема, но тем не менее имеют электрические свойства, подобные свойствам полупроводниковых жидкостей. Взаимосвязь между электрическими свойствами и объемом более детально обсуждается в гл. 3, 2. [c.14]

Далее следует обратить внимание на то, что в правиле Музера-Пир-сона оговаривается только число В атомов элемента, входящего в состав полупроводника, а роль А атомов сводится к добавлению электронов в суммарное число валентных электронов Пд. Это позволяет предполагать, что можно посредством замены компонента А в исходном соединении получать не только полупроводниковые твердые растворы, производные от соединений А В - , но и другие бинарные, тройные и более сложные полупроводниковые соединения, но уже, возможно, со структурой, производной от алмазоподобной. В этом случае замещающие элементы выбираются из групп периодической таблицы, отличных от той, в которой расположен замещаемый атом А, однако при этом должны удовлетворяться общие закономерности образования полупроводников (см. выше). [c.77]

Из этой группы сплавов наиболее широко применяется в промышленности сплав 29НК (ковар). Его используют для соединения с термостойкими стеклами С52-1, С49-2 и др. в радиолампах, полупроводниковых приборах, электроннолучевых трубках и других электровакуумных приборах. Сплав технологичен, хорошо обрабатывается резанием, сваривается, штампуется. Изготовляется в виде поковок, прутков, полос, ленты толщиной от 0,02 до 2,5 мм, проволоки диаметром от 0,02 до 3,5 мм, трубок диаметром от 10 до 1 мм. [c.271]

Халькогены - химические элементы VIb подгруппы периодической системы Д.И. Менделеева (см. табл. 1.1). К ним относятся кислород, сера, селен, теллур и полоний. Халькогенидами называются соединения халькогенов с другими химическими элементами. Многие из халькогенидов обладают полупроводниковыми свойствами. Отметим, что оксиды выделяются в отдельную группу в соответствии с их распространенностью, а следовательно, и особым значением. [c.387]

Имея это в виду, мы рассмотрим, почему полупроводниковые свойства обнаруживают в основном, по-видимому, сплавы, содержащие элементы, группы VIB (халькогены), а также почему роль электроотрицательных элементов редко играют элементы групп IVB, VB и УИВ. Часть ответа состоит в том, что элементы групп IVB и VB, особенно более тяжелые из них, имеют сильную тенденцию принимать альтернативную валентность, которая меньше на 2. Это соответствует тому, что при образовании связей не используются (ns) валентных электронов в более низких состояниях. Например, такие элементы, как олово и сурьма, имеют альтернативные химические свойства, подобные химическим свойствам кадмия и индия соответственно, и имеют тенденцию при соединении с другими металлами образовывать типичные металлические сплавы. Что касается элементов группы VIIB, то их большая электроотрицательность является причиной, по которой такие элементы образуют ионные соединения. Однако ряд систем сплавов М—X, где X — галоген, существует в широкой области стехиометрии. Эти системы обладают многими свойствами жидких полупроводников, как отмечалось в гл. 1. [c.50]

В настоящее время ведутся лоискн и серьезные исследования других полупроводниковых материалов, в первую очередь элементов четвертой группы периодической системы Менделеева и соединений элементов третьей и пятой группы — интерметаллических соединений арсенида галлия, фосфида индия, фосфида галлия и др. Эти интерметаллические соединения обладают ценными свойствами. Благодаря больщой ширине запрещенной зоны, превышающей ширину запрещенной зоны кремния, они допускают более высокую рабочую температуру вентиля фосфид индия — 400° С, арсенид галлия — 450° С, фосфид галлия — 1 ООО" С. Арсенид галлия также обладает значительно большей подвижностью носителей заряда, чем кремний. Эта большая подвижность даст возможность создать вентили на высокие напряжения, несмотря на оТ1К)снтель 1о малое время жизни [c.294]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...