Полупроводниковые соединения бинарных соединений

Характерной особенностью современного этапа развития электронной техники является вовлечение в сферу ее непосредственных интересов широкой номенклатуры полупроводниковых материалов. Важнейшими из них являются кремний, арсенид галлия и большая группа других бинарных соединений и многокомпонентных твердых растворов на основе [c.38]

Проследим, каким образом реализуется ковалентная связь в полупроводниковых бинарных соединениях у которых АХ < 1. Было установлено, что неполярная ковалентная связь, приводящая к формированию алмазоподобной структуры (Zk = 4), наблюдается в гомеополярных кристаллах при образовании в них sp -гибридных связей. Такие гибридные связи могут образовываться и в соединениях поскольку во всех них среднее число валентных электронов на атом компонента соединения равно 4, как и у элементов IVA подгруппы. [c.62]

Материалы для полупроводниковых лазеров. В качестве активных сред полупроводниковых лазеров используются в подавляющем большинстве случаев бинарные полупроводниковые соединения или многокомпонентные твердые растворы на их основе, так как элементарные полупроводники не являются прямозонными. В табл. 34.6 представлены полупроводниковые материалы, используемые в качестве рабочего вещества лазеров, и указан способ накачки. [c.946]

Среди бинарных полупроводников выделим наиболее изученные и широко используемые группы полупроводниковых соединений. В одну группу обычно включают соединения с одинаковой стехиометрической формулой, то есть образованные из элементов, расположенных в одних и тех же группах периодической системы элементов Д. И. Менделеева. [c.12]

Приведенные простые эмпирические закономерности оказались полезными с точки зрения прогнозирования полупроводниковых производных от известных полупроводниковых соединений, в частности большой группы полупроводников сложного состава (твердые растворы, бинарные, тройные и др. соединения), производной от А В - . [c.73]

Рассмотрим Р — Т — X диаграммы для бинарных систем. Интенсивные работы по изучению Р — Т — X диаграмм состояния показали, что использование высоких давлений (десятки и сотни тысяч атмосфер) в ряде случаев приводит к изменению типа диаграммы состояния, к резкому изменению температур фазовых и полиморфных превращений, к появлению новых фаз, отсутствующих в данной системе при атмосферном давлении. Так, например, диаграмма с неограниченной растворимостью в твердом состоянии при высоких температурах и распадом твердого раствора а на два твердых раствора ai + 2 при низких температурах может с увеличением давления постепенно переходить в диаграмму с эвтектикой (см. рис. 4.18,а). На рис. 4.18,6 показана диаграмма состояния системы Ga-P, в которой образуется полупроводниковое соединение GaP. В зависимости от давления это соединение может плавиться конгруэнтно или инконгруэнтно. Соответственно изменяется и вид двойной диаграммы Т — X яа различных изобарических сечениях тройной Р —Т — X диаграммы. [c.167]

Карбид кремния. Он является единственным бинарным соединением, образованным полупроводниковыми элементами IV группы таблицы Менделеева. Это нолупроводииковый материал с большой шириной запрещенной зоны 2,8—3,1 эВ (в зависимости от модификаций). Карбид кремния применяют для изготовления полупровод- иковых приборов, работающих дри высоких температурах вплоть до 700 °С. [c.290]

Прави. 1а этого рода часто используют, чтобы предсказывать полупроводниковые свойства бинарных и тройных соединений [см., напрнмер, Е. Музер, В. В. Пирсон Прогресс в полупроводниках, т. 5 (Хейвуд, Лондон, 1960), с. 105]. [c.174]

Анализируя химическую связь в полупроводниках, Музер и Пирсон [25] ввели понятие о некоторой специфической полупроводниковой связи ,основной составной частью которой является ковалентная связь, обеспечивающая полупроводниковые свойства кристаллов. Они пришли к выводу, что для образования этой связи в элементарных полупроводниках необходимо наличие полностью заполненных 5- и р-орбиталей в валентных оболочках всех атомов. В полупроводниковых бинарных соединениях достаточно, чтобы хотя бы один из двух связанных атомов обладал заполненными 5- и р-валентными орбиталями. Присутствие пустых металлических орбиталей у другого атома, входящего в состав соединения, не уничтожает полупроводниковых свойств, если эти атомы не связаны друг с другом. Связи в полупроводниках должны образовывать одно-, двух- или трехмерную решетку, простирающуюся на весь кристалл. [c.72]

Известно несколько способов получения диффузионного соединения полупроводник — металл диффузионная сварка чистых полупроводниковых материалов с металлами, а также предварительно металлизированных полупроводниковых и металлических деталей. Диффузионная сварка простых полупроводникот (кремний, германий) и бинарных соединений (арсенид галлия, карбид кремния) с металлами и сплавами имеет общие и отличительные закономерности. Специфические особенности этих соединений вызваны разной природой, различным строением структуры, физическими и механическими свойствами полупроводников. При диффузионной сварке чистых материалов (полупроводник — металл) зависимости температуры сварки от давления сжатия имеют экспоненциальный характер (рис. 7, кривая /). С увеличением температуры сварки давление сжатия необходимо уменьшать. При диффузионной пайке давление становится минимальным, при диффузионном вплавлении металлов в полупроводник — равно нулю. С уменьшением температуры сварки давление сжатия необходимо увеличивать. Это свя- [c.234]

Кроме этих 9 Ф. (чистых элементов) имеется огромное число ферромагн. сплавов и соединений, как бинарных, так и более сложных (многокомпонентных) металлических и неметаллических (полупроводниковых, полуметаллич., диэлектрич., сверхпроводящих), кристаллических и аморфных. Классификацию Ф.—сплавов и соединений металлич. типа можно провести, напр., по электронной структуре атомов (ионов) их компонент. [c.299]

Фазовые диаграммы систем бинарных сплавов, соответствующие полупроводниковым расплавам, часто обнаруживают соединения более чем одного состава. Это само по себе предполагает, что для жидкой фазы не может быть единственной стехиометрии, и если стехиометрия имеет место, то ее связь со стехимет-рией твердых соединений не является существенной. Во всяком [c.23]

Основные материалы для источников излучения ВОЛС — это полупроводниковые соединения А В . Среди них имеются бинарные (двухкомпонентные) ОаАв, тройные (трехкомпонентные) (АЬОа[ А8, ОаА8х8Ь1 х) четырехкомпонентные Оа Хп1 хА8уР1--у. [c.109]

Далее следует обратить внимание на то, что в правиле Музера-Пир-сона оговаривается только число В атомов элемента, входящего в состав полупроводника, а роль А атомов сводится к добавлению электронов в суммарное число валентных электронов Пд. Это позволяет предполагать, что можно посредством замены компонента А в исходном соединении получать не только полупроводниковые твердые растворы, производные от соединений А В - , но и другие бинарные, тройные и более сложные полупроводниковые соединения, но уже, возможно, со структурой, производной от алмазоподобной. В этом случае замещающие элементы выбираются из групп периодической таблицы, отличных от той, в которой расположен замещаемый атом А, однако при этом должны удовлетворяться общие закономерности образования полупроводников (см. выше). [c.77]

В заключении следует отметить, что помимо рассмотренных бинарных полупроводников существуют и другие, для которых могут не выполняться и правило Музера-Пирсона, и правило нормальных валентностей, например, полупроводниковые соединения А "В (GaSe), А"В (MgsSba). [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...