Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Полупроводниковые соединения степень ионности полупроводникового соединения

Значения эффективных зарядов часто используются для того, чтобы охарактеризовать полярность связи и степень ионности полупроводникового соединения. Величины q могут быть определены экспериментально из спектров ИК-поглощения и рамановского рассеяния, неупругого рассеяния нейтронов могут быть теоретически рассчитаны. Однако понятию эффективный заряд атомов в соединениях с преимущественно  [c.64]


Установление взаимосвязи между степенью ионности полупроводниковых соединений А и подвижностями носителей заряда р в них затруднительно, прежде всего, из-за сильной чувствительности р к дефектам кристаллов. В то время как измерения Eg в образцах с широким диапазоном значений концентрации примесей и дефектов дают одно и то же значение, для измерения решеточной подвижности p,i (см. ниже) необходимо иметь чистые и достаточно совершенные кристаллы. Поэтому далеко не во всех полупроводниках по измеренной при некоторой температуре подвижности можно говорить о надежном определении p,i. С другой стороны, сама теория химических связей не дает возможности рассчитывать численные величины подвижности носителей заряда из значений кристаллохимических параметров, характеризующих тип химической связи, можно говорить лишь о тенденциях, знание которых полезно для прогнозирования свойств получаемых полупроводниковых материалов.  [c.68]

Разность электроотрицательностей, входящих в состав полупроводниковых соединений элементов, должна быть менее 0.8-1. Это требование связано с тем, что степень ионности связи пропорциональна разности электроотрицательностей. Увеличение степени ионности связи приводит, как мы выяснили ранее, к увеличению и к уменьшению п,р, то есть переходу к диэлектрикам.  [c.73]

Степень ионности полупроводникового соединения принято характеризовать такой величиной как ионность решетки. В качестве параметра ионности решетки примем величину вероятности ионной конфигурации А = С . Введем также понятие равновесной ионности, определив ее как Ао = 1 — njiJN , где — число электронов, отдаваемых компонентом  [c.63]


Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводниковые соединения степень ионности полупроводникового соединения : [c.370]    [c.99]    [c.76]   
Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) -- [ c.63 ]



ПОИСК



Л полупроводниковый

Полупроводниковые соединения



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте