Диоды туннельные

Диод туннельный — диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению при прямом напряжении на характеристике участка, соответствующего отрицательному дифференциальному сопротивлению применяется в устройствах СВЧ и быстродействующих импульсных устройствах [З]. [c.143]

ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД— ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ [c.209]

Диод туннельный 309—312 Дислокации 502—509 [c.610]

Диод обращенный — полупроводниковый диод с критической концентрацией примеси, обладающий из-за туннельного эффекта большей проводимостью при обратном напряжении, чем при прямом применяется при детектировании слабых сигналов 19]. [c.143]

Механизм действия туннельного диода [c.360]

Туннельный диод. При сильном легировании, когда концентрация примесных атомов становится достаточно большой, происходит расширение примесных уровней и они перекрывают границу между зонами, в результате чего уровень Ферми попадает внутрь зоны (либо проводящей, либо валентной). При этом на переходе возникает ситуация, изображенная на [c.361]

При наложении внешнего напряжения в проходном направлении возникает обычный диодный небольшой ток. Однако ввиду того что по разные стороны перехода, разделенного потенциальным барьером, энергии носителей одинаковы, возникает туннельный эффект (см. 29), в результате которого носители проникают через потенциальный барьер на другую сторону от перехода без изменения энергии. Благодаря этому через переход течет более значительный ток. При дальнейшем увеличении разности потенциалов энергия электронов в и-области у перехода увеличивается, а в /j-области - уменьшается (рис. 126,6) и область перекрытия примесных уровней начинает уменьшаться. В результате этого сила тока начинает уменьшаться. Максимум силы тока достигается при наиболее полном перекрытии зон (рис. 126, а). Когда примесные зоны сдвигаются друг относительно друга настолько, что каждой из них на другой стороне перехода противостоит запрещенная зона (рис. 126,6), туннелирование становится невозможным и сила тока через переход уменьшается. При достаточно больших разностях потенциалов зоны проводимости п- и /7-областей оказываются почти на одном уровне (рис. 126, в) и становится возможным возникновение обычного диодного тока. Сила тока начинает снова возрастать. Вольт-амперная характеристика туннельного диода показана на рис. 127. [c.361]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода [c.362]

Если использовать туннельный диод в резонансном контуре, то его отрицательное сопротивление может компенсировать положительное сопротивление остальных элементов контура и процессы происходят так, как будто бы контур не имеет сопротивления. [c.362]

Благодаря этому он будет осуществлять колебания тока точно на резонансной частоте и используется в высокочастотных усилителях и генераторах. Существование области отрицательного сопротивления не связано с тепловым возбуждением носителей, поэтому туннельный диод успешно функционирует и при гелиевых температурах. [c.362]

При этом, по-видимому, осуществляются два процесса. При достаточно большом электрическом поле электроны и дырки в переходе успевают ускориться до таких энергий, что в состоянии вызвать ионизацию атомов и породить другие пары электронов и дырок. В результате начинается лавинный процесс образования носителей, приводящий к росту силы тока. Второй фактор связан с туннельным эффектом, позволяющим микрочастицам преодолевать потенциальные барьеры, имея недостаточную для этого энергию. Это чисто квантовый эффект, о котором уже говорилось в связи с туннельным диодом. [c.363]

Рис. 5.2. Вольт-амперная характеристика туннельного диода.

Рассмотрим автоколебательную систему, состоящую из отрезка передающей линии, нагруженной туннельным диодом с пренебрежимо малой паразитной емкостью (рис. 11.5). [c.355]

Рис. 11.5. Схема распределенной автоколебательной системы с туннельным диодом.

Вид предельной последовательности зависит от конкретной характеристики диода и от величины смещения На рис. 11.8 приведена типичная характеристика зависимости г = /(Нд) для туннельного диода. При д < ( 1 и Цд>Цз дифференциальное сопротивление диода положительно, для Ц1<Цд< 2 дифференциальное сопротивление отрицательно. [c.358]

Из арсенида галлия изготовляют фотоэлементы с КПД около 7 %, дозиметры рентгеновского излучения, полупроводниковые лазеры. Из вырожденного арсенида галлия производят туннельные диоды. [c.263]

Большинство наблюдений, касающихся влияния излучения на транзисторы, применимо к полупроводниковым приборам диодного типа. Попытки сделать четкий качественный анализ влияния излучения на диоды были ограничены отсутствием информации о влиянии излучения на такие параметры, как время жизни носителей, удельное электросопротивление и подвижность носителей в базовой области приборов. Экспериментальные данные по диодам и выпрямителям (исключая туннельные диоды) показывают, что излучение всегда увеличивает прямое сопротивление и уменьшает время переключения этих приборов. Поведение обратных характеристик не всегда подчиняется обычным правилам, но обратный ток в результате облучения обычно увеличивается. [c.293]

В диодных генераторах СВЧ используют лавипно-пролётные диоды, туннельные диоды и Ганна диоды, в к-рых при определённых условиях в полосе частот появляется отрицат. диффсренц. [c.433]

Для нелинейного усилителя, описываемого ур-нием (4), аналогом рис. 4 является А-образная вольт-ампер-ная характеристика, содержащая падающий участок. В ряде устройств полупроводниковой электроники Ганна диод, туннельный диод и Др.) аналогичный А-образный вид вольт-амперной характеристики реа-ЗоО лизуется благодаря положительной О. с., возникающей [c.386]

Усилитель на т у и и е л ь н о м диоде. Туннельный диод, обладающий падающим участком вольтамперной характеристики, компенсирует потери, вносимые в схему активными сопротивлениями нагрузки Л и генератора входного сигнала Л (рис. 5). Если отрицательное сопротивление (но модулю) диода Л в рабочей точке больше сопротивления потерь системы, т. е. ЛдЛц/ (йр -Ь Лц) < Л1 для схемы 5,а и Лд -+- Л К для схемы 5, б. то в сопротивлении Лц выделяет [c.128]

НИМ минимума туннельный диод проявляет эффект отрицательного сопротивления, когда увеличение разности погенциалов приводит к уменьшению силы юка. [c.362]

Для того чтобы обеспечить компенсацию потерь или пополнение запаса колебательной энергии в системе должен содержаться внутренний источник в сочетании с устройством, преобразующим энергию этого источника в требуемую форму (батарея с электронной лампой, батарея с туннельным диодом, источник тока с газоразрядным прибором, генератор напряжения или тока определенной частоты, вызывающий изменение энергоемкого параметра во времени и т. д.). [c.144]

До сих пор при рассмотрении колебательных, параметрических и автоколебательных систем мы считали, что все линейные и нелинейные элементы, составляющие эти системы, безынерционны, т. е. их вольт-амперные, вольт-кулоновые, вольт-фарадные и другие характеристики выражаются мгновенными функциями соответствующих координат. Например, токи туннельного диода, электронной [c.210]

В качестве распределенной автоколебательной системы с неэквидистантным спектром рассмотрим ограниченную двухпроводную линию, на одном из концов которой включен нелинейный активный элемент (туннельный диод, транзистор, электронная лампа и т. д.) (рис. 11.1) ). [c.346]

Для линии, закороченной при х = 0 и нагруженной при х = / туннельным диодом, можно записать следующие граничные условия [c.355]

Время Т — 211и происходит переключение туннельного диода от напряжения щ к напряжению Ток в линии при этом остается постоянным. [c.360]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

Исследование квазистохастического режима автогенератора на туннельном диоде. В сб. Методы качественной теории дифференциальных уравнений . Горький, 1983, 95—117 [c.214]

Измерители диэлектрических характеристик (диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь) типа 7004, созданные в Институте механики полимеров АН Латвийской ССР, основаны на измерении параметров выносного резонансного контура, в который включен ЭП. Частота колебаний и напряжение контура автоматически поддерживаются постоянными. Изменение емкости A fe и проводимости AGft контура после внесения объекта контроля в электрическое поле ЭП компенсируется с помощью варикапа и туннельного диода. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь материала [c.172]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...