Полупроводниковые компоненты

Основные задачи функционального проектирования следующие разработка структурных схем, определение требований к выходным параметрам анализ и формирование ТЗ на разработку отдельных блоков ЭВА синтез функциональных и принципиальных схем полученных блоков контроль и выработка диагностических тестов проверка работоспособности синтезируемых блоков расчеты параметров пассивных компонентов и определение требований к параметрам активных компонентов формулировка ТЗ на проектирование компонентов выбор физической структуры, топологии компонентов расчеты параметров диффузионных профилей и полупроводниковых компонентов, электрических параметров, параметров технологических процессов эпитаксии, диффузии, окисления и др. вероятностные требования к выходным параметрам компонентов. [c.10]

Стремительное совершенствование технологии производства интегральных полупроводниковых компонентов, обеспечившее возможность создания высокоэкономичных цифровых устройств обработки и хранения информации, а также появление эффективных средств программирования оказывают все более существенное влияние не только на развитие техники измерений и управления, но и на подход к автоматизации вообще. Первые попытки применения цифровых устройств для автоматизации производственных процессов относятся к началу 60-х гг., когда были разработаны первые управляющие вычислительные машины. В 70-х гг. ЭВМ, непосредственно связанная с объектом в составе замкнутого или разомкнутого контура управления, стала обычным элементом оборудования автоматизированных систем. В последнее десятилетие ежегодный прирост числа ЭВМ, используемых в подобных системах, составлял от 20 до 30%. При этом обнаружилась тенденция к снижению стоимости аппаратуры и увеличению относительных затрат на прикладное программное обеспечение. [c.7]

Объединение сложных функциональных узлов произошло в рамках полупроводниковой технологии, при которой большое число полупроводниковых компонентов (транзисторов, диодов, стабилитронов и др.) выполнено на одном кристалле кремния. [c.235]

Исследования многозначной пороговой логики возникли в начальный период исследований пороговой логики. За важной работой [7] по описанию свойств пороговых (двоичных) функций последовали пионерские работы [8, 9] по троичной пороговой логике. На протяжении последующего десятилетия основное внимание исследователей привлекла именно троичная пороговая логика, что определялось, вероятно, появлением возможности для ее приборной реализации на основе дискретных полупроводниковых компонент. В числе наиболее важных результатов данного периода можно упомянуть работы, посвященные описанию свойств троичных пороговых функций [10, 11], подсчету и классификации всех трехместных троичных пороговых функций [12, 13], откуда следует, что существует 85 629 таких функций (в то время как рядом авторов независимо указывалось на существование 471 двухместных троичных пороговых функций), а также табличный метод реализации троичных пороговых функций с числом переменных, достигающим трех [13, 14]. [c.163]

Недостаток сплавов с полупроводниковыми компонентами — заметная зависимость значения термоэлектрического коэффициента от температуры. Материалы термоэлектродов стандартных термопар менее чувствительны, но более стабильны, и поэтому нашли широкое применение. [c.37]

Следы примесей, определяющих свойства полупроводников, существенно влияют и на скорость окисления металлов, покрытых полупроводниковыми пленками. С другой стороны, легирующие компоненты, присутствующие в больших количествах (например, более 10 % Сг — Ni), оказывают влияние на скорость окисления не только изменяя полупроводниковые свойства пленок, но и путем изменения их состава и структуры. [c.198]

Получение особо чистых полупроводниковых соединений осуществляют, применяя для их синтеза очищенные компоненты. Суммарное содержание остаточных примесей в исходных материалах 10" —10" %. Синтез разлагающихся соединений проводят либо в запаянных кварцевых ампулах при контролируемом давлении паров летучего компонента в рабочем объёме, либо под слоем т. н. жидкого флюса, (иапр., особо чистый обезвоженный борный ангидрид). Синтез соединений, имеющих большое давление паров летучего компонента над расплавом, осуществляют в камерах высокого давления. Часто синтез совмещают с последующей дополнит, очисткой соединения путём направленной или зонной кристаллизация расплава. Направленную кристаллизацию осуществляют перемещением контейнера с расплавом в область (зону) с градиентом темп-ры. При зонной плавке расплавленная зона перемещается вдоль кристалла. [c.46]

СПЛАВЫ — макроскопически однородные многокомпонентные системы, в к-рых хотя бы один из компонентов обладает металлич. свойствами. В более широком смысле термин С. относят также к полупроводниковым, оксидным, солевым, органическим и др, многокомпонентным системам (см. Гиббса правило фав). Обычно С. находятся в кристаллич. состоянии, однако нек-рые из них могут быть получены в аморфном состоянии (напр., металлические стёкла). [c.649]

Ha рис. 556 представлена диаграмма состояния Sb-Tb по данным работы [1], в которой проводили исследования методами дифференциального термического, микроскопического и рентгеновского анализов. Сплавы получали путем нагрева в печи сопротивления порошков компонентов, помещенных в молибденовый тигель. Для приготовления сплавов использовали дистиллированный ТЪ чистотой более 99,9 % (по массе) и Sb полупроводниковой чистоты. [c.237]

В последние годы резко повысился интерес к таким широкозонным полупроводниковым материалам как карбид кремния и нитриды элементов III фуппы Периодической системы. Эти материалы обладают очень высокими температурами плавления и чрезвычайно высокими давлениями паров летучих компонентов над собственными расплавами. Для выращивания достаточно крупных монокристаллов этих материалов приходится использовать кристаллизацию из растворов и различные методы кристаллизации из газовой фазы, в том числе в аппаратуре высокого давления. Получение достаточно крупных и совершенных монокристаллов этих широкозонных полупроводников связано с преодолением большого количества принципиальных сложностей и, за исключением карбида кремния, еще не вышло за рамки лабораторных исследований. [c.44]

Для первой группы теплопотерь значения компонент увеличиваются по мере утолщения приемника и соответствующего возрастания времени выравнивания температур. Это увеличение идет за счет компонент, связанных с кондуктивной теплоотдачей в воздух и с теплоотдачей излучением. Компоненты, связанные с кондуктивной теплоотдачей в остов и полупроводниковые электроды, сохраняют практически неизменные значения вследствие небольшого изменения значений критерия Фурье . [c.676]

Значения компонент снижаются при увеличении толщины, а значит и теплоемкости приемника. Особенно интенсивно снижаются значения компонент, связанных с кондуктивной теплоотдачей в остов и полупроводниковые электроды, вследствие существенного уменьшения значений критерия Фурье . [c.676]

Метод эпитаксии позволяет создавать высокоомные (более чистые) пленки кремния и германия, исключает трудную технологическую операцию разрезки монокристаллов на тонкие пластины дает возможность получать сложные полупроводниковые материалы (например, карбид кремния), производство которых в виде объемных монокристаллов затруднено вследствие высокой стоимости процесса. Последнее обусловлено либо низкой производительностью, либо высокой температурой плавления и химической активностью компонентов, либо летучестью одного из компонентов соединения Применение тонких пленок толщиной 15 - 20 мкм улучшает параметры прибора. Излишняя толщина пластин ухудшает частотные свойства приборов из-за роста потерь. При резке объемных монокристаллов нельзя получить пластины тоньше, чем 100 -200 мкм. [c.594]

Мощнь1е полупроводниковые компоненты и устройства различного назначения (мощные MOSFET-транзисторы и IGBT-транзисторы, драй-веры, мощные диоды и диодные мосты) [c.222]

Мощность, рассеиваемая в выходном транзисторе коммутатора при малых значениях п, когда период накопления энергии превышает период, необходимый для обеспечения нормальной работы полупроводниковых компонентов, обусловливает применение конструкций коммута-гора, обладающих развитой поверхностью теплоотдачи (т. е. большие габаритные размеры корпуса, оребрение и т. п.). [c.230]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

Интерактивный режим работы иользоватсля с ППП обеспечивается наличием в пакете диалогового монитора. Примером ППП с диалоговым монитором служит пакет ПАРК для идентификации II а р а м е г р о в математических мод е-лей полупроводниковых приборов [9]. Комплекс входит составной частью в САПР больших интегральных схем (БИС) II является связующим звеном между подсистемами схемотехнического проектирования и проектирования компонентов БИС. Идентификация параметров осуществляется на основе минимизации расхождений между характеристиками эталонной и рассчитываемой с помощью создаваемой модели. Эталонная характеристика получается из эксперимента нлн рассчитывается с помощью более точной модели, относящейся к микроуровыю. Выбор минимизируемого функционала, ограничений, их оперативная корректировка осуществляются в диалоговом режиме. В пакет ПАРК кроме диалогового монитора входят [c.102]

При выращивании из расплава монокристаллов полупроводниковых соединений пользуются методом Бриджмена -Стокбаргера. Нахреватель в этой установке устроен таким образом, что по его длине создается определенный градиент температуры (рис. 3.26 ). При выращивании кристаллов разлагающихся соединений тигель с веществом помещают в запаянную ампулу, в которой поддерживается необходимое давление паров летучего компонента. В положении 1 содержимое тигля рас- [c.82]

Галлий — металл серебристо-белого цвета. Большой диапазон температур жидкого состояния позволяет использовать его в качестве мета.ллической жидкости. Применяется в радиоэлектронике, полупроводниковой и вакуумной технике. Присутствует как компонент в легкоплавких сплавах для улучшения некоторых свойств и т. д. Галлий технический (ГОСТ 12797—77) выпускается марки Гл-1 с содержанием галлия не менее 99,9%, галлий высокой чистоты — марки Гл-00 (ТУ 05-45—69) и Гл-ООО (ТУ 05-38—69), в виде слитков с герметической упаковкой каждого слитка в полиэтиленовый пакет. Хранить его следует при температуре не выше 25 С. [c.169]

Скандий — серебристо-серый мягкий металл. Плотность 2,99 г/см , температура плавления 1539° С, температура кипения 2000° С. Применяется для повышения жаростойкости хромоникелевых сплавов, в радиоэлектронике и светотехнике. Компонент полупроводниковых сплавов. По РЭТТ 629—60 выпускается марка Скм-3 с содержанием S не менее 96,0%. [c.196]

Совместно с МВТУ им. Н. Э. Баумана разработан силомомент-ный датчик, измеряющий три компоненты вектора силы и устанавливаемый в запястье робота. Диапазон измеряемых сил от 5 до 500 Нм. Применение полупроводниковых тензорезисторов, отличающихся большой чувствительностью, позволило отказаться от МДМ-усилителя. Усилитель представлет собой УПТ с дифференциальным входом, чем обеспечивается достаточный уровень подавления синфазных помех. Коэффициент усиления не более 100, уровень выходного сигнала 10В, сопротивление нагрузки >2 кОм. [c.179]

Свойства полупроводниковых твёрдых растворов зависят от их состава и природы составляющих компонентов. Период кристаллич. решётки обычно линейна зависит от концентрации растворённого компонента (правило Вегарда). Концентрац. зависимости иодвЕЖНости носителей р., времени их жизни т, интенсивности излучат, рекомбивации а оптич. поглощения в твёрдых растворах прямозонных П. м. описываются плавными кривыми между значениями, характерными для составляющих их компонентов (рис. 2). [c.46]

Кроме этих 9 Ф. (чистых элементов) имеется огромное число ферромагн. сплавов и соединений, как бинарных, так и более сложных (многокомпонентных) металлических и неметаллических (полупроводниковых, полуметаллич., диэлектрич., сверхпроводящих), кристаллических и аморфных. Классификацию Ф.—сплавов и соединений металлич. типа можно провести, напр., по электронной структуре атомов (ионов) их компонент. [c.299]

В полупроводниковых растворах (твёрдых или жидких) Ф. может образовываться вблизи области повышенной концентрации (кластера) того из компонентов, с атомами к-рого электрон сильнее взаимодействует. Возникающий кластер, состоящий преим. из атомов одного компонента, оказывается стабильным, даже если прямое взаимодействие между атомами не играет роли атомы во флуктуон-ном кластере связаны силами косвенного взаимодействия, обусловленного локализованным электроном (см. Автолокализация). [c.328]

В полном решении системы четко выделяются компоненты. Одна из них весьма сложна в явном виде и связана с процессом установления квазистационарного режима, а вторая отражает квазистационар-ный режим, соответствующий частоте тока. Оказывается, что переход от первой стадии ко второй происходит быстро. Это переходное время приближенно порядка я Аг 1а и практически для образцов из материалов, применяемых в полупроводниковых термоэлементах, при г = = 0,5—1 см равно нескольким минутам —10 сж7се/с). [c.16]

Полупроводниковые лазеры, первый представитель которых (на GaAs) появился еще в 1962 г., в последнее время все чаще привлекают внимание специалистов. Это обусловлено рядом причин. Во-первых, в настоящий момент уже разработано достаточно большое количество (несколько десятков) различных полупроводниковых лазеров, работающих в диапазоне длин волн 0,3...30 мкм. При этом многие из них (например, GaAs, ZnO, dS) могут работать при комнатной температуре. Во-вторых, разработка технологии изготовления смешанных полупроводников позволяет перекрыть указанный диапазон генерации непрерывно, подбирая материал полупроводника и соотношение его компонент. Серьезные успехи в последнее время достигнуты и на пути улучшения энергетических характеристик полупроводниковых лазе- [c.183]

Рассматривая графитоподобный карбонитрид бора состава ВСгМ как двумерный кристалл, авторы [141] провели расчеты монослоев для трех различный типов упорядочения атомов-компонентов в узлах 8-атомной плоской ячейки. Получено, что в зависимости от типа упорядочения резко меняются проводящие свойств системы. Например, когда каждый атом углерода имеет в ближнем окружении атомы В, С, N. запрещенная щель отсутствует, тогда как для других случаев упорядочения атомов В, С, N наличествует прямая ЗЩ (АЕ 1,8—2,9 эВ). Иными словами, варьируя тип атомного упорядочения, можно направленно менять проводящие свойства системы — от полупроводниковых до металлических. [c.21]

Полупроводниковые оптоэлектронные компоненты (светодиоды, семи-сагментные цифровые индикаторы, шкальные индикаторы) [c.222]

Знак фотоо твета указывает, какая из двух избыточных против стехиометрии компонент — металлическая или кислородная — преобладает, а амплитуда фотоответа позволяет определить, насколь ко одна избыточная компонента превышает другую. Таким образом, измеряя скорость анодного окисления металла и одновременно контролируя изменение полупроводниковых свойств окисных фаз, возникающих на поверхности металла, можно получить ценную информацию о механизме растворения и пассивации. [c.21]

В практических случаях приема и обнаружения сигнального излучения может иметь место ситуация, когда выделяется ослабленное широкополосное излучение твердотельного ОКГ (например, полоса полупроводниковых ОКГ или ОКГ на стекле с примесью неодимия может достигать нескольких десятков ангстрем) на фоне теплового шума. В этом случае интервал наблюдения много больше времени когерентности сигнальной составляющей лоля. Статистические свойства такого излучения совпадают со свойствами быстро флуктуирующего шума и имеют практически пуассонов-ское распределение вероятностей отсчетов. Поскольку и тепловое излучение (при очень слабой интенсивности) может характеризоваться также нуассоновским распределением, суперпозиционное поле, состоящее из сигнальной и шумовой компонент, будет иметь закон распределения Пуассона. Аналитическое выражение распределения вероятности отсчетов фотоэлектронов для многомодового излучения, являющегося суперпозицией ряда когерентных и шумовых мод при статистической связи между ними, в настоящее время в общем виде еще не получено весовая и производящая функции, а также моменты распределения приведены в (11 табл. 1.1). Из выражения для весовой функции следует, что излучение является многомерным гауссовским процессом в комплемсном [c.49]

Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводниковые компоненты : [c.59] [c.86] [c.238] [c.30] [c.291] [c.140] [c.92] [c.108] [c.370] [c.38] [c.166] [c.36] [c.42] [c.194] [c.161] [c.226] [c.57] [c.59] [c.420] [c.7]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...